【課題】パッドの腐食を抑制することにより、金属材料とパッドとの接続性を向上させることができるようにする。
【解決手段】本開示の半導体素子は、内部回路の外部端子となる電極と、前記電極の表面に形成され、外部水分が接触しないように前記電極を保護する無機材料の薄膜である保護膜とを備える。本開示は、半導体素子、撮像素子、撮像モジュール、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、耐冷熱衝撃性およびガスバリア性に優れ、低弾性率化したオルガノポリシロキサン系組成物を接着剤として用いることで、生産性に優れ、耐久性に優れたイメージセンサーを提供する。
【解決手段】（Ａ）および（Ｂ）および（Ｃ）からなるオルガノポリシロキサン系組成物の硬化物を接着剤として用いてなるイメージセンサー。
（Ａ）アルケニル基含有多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）に対して、ヒドロシリル基を有する化合物（ｂ）を反応させて得られた多面体構造ポリシロキサン変性体、
（Ｂ）１分子中にアルケニル基を２個以上有するオルガノポリシロキサン、
（Ｃ）１分子中にアルケニル基またはヒドロシリル基を１個有する有機ケイ素化合物。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 高い測定精度を有しつつ、測定時間の短縮が可能なマイクロレンズのモニタ用構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、画素領域に設けられたマイクロレンズと、画素領域の他の領域である周辺領域の上に設けられ、マイクロレンズの形状と相関があり、基板に垂直な面に含まれる断面の形状が同一のモニタ用構造体を有する。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から２００μｍ以下の領域である。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口２２aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率ｒの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をＳとしたとき、マスク開口52の開口面積Ｓｍが、Ｓｍ＜Ｓ／ｒであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】複数方向の被写体を撮像することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、光電変換素子が形成されるシリコン基板と、前記シリコン基板の表面側に形成される配線層とを備え、前記光電変換素子が、前記表面側から前記配線層を介して入射される光を光電変換するとともに、前記シリコン基板の裏面側から前記配線層を介さずに入射される光を光電変換する。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、製造方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】形成する着色パターンの色抜けを抑制し、現像性及び耐熱性に優れる着色パターンを形成しうる着色組成物を提供する。形成する着色パターンの色抜けを抑制し、現像性及び耐熱性に優れる着色パターンを形成しうる着色硬化膜、該着色パターンを備えたカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。耐色抜け性及び耐熱性に優れる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】色素構造を有する樹脂（Ａ）を含有する着色組成物であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される前記樹脂（Ａ）における分子量２０００以下の成分の占めるピーク面積が、前記樹脂（Ａ）の分子量分布全体のピーク面積に対して１０％未満である着色組成物。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】クラック及び汚染発生の抑制が容易で、パーティクルの除去が容易な、無機物を
マイクロレンズにしたイメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に無機物薄膜を蒸着するステップと、前記無機物薄膜上に半球状のフ
ォトレジストパターンを形成するステップと、前記無機物薄膜に全面エッチバック工程を
行い半球状無機物薄膜のマイクロレンズを形成するステップとを有することを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第１の面及びそれと反対側の第２の面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１内のフォトダイオード１２と、半導体基板１１の第１の面側においてフォトダイオード１２の全体を覆い、半導体基板１１の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層１３と、半導体基板１１の第２の面の全体を覆い、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】端部（胸壁側）においても解像度の高い画像を撮影できる放射線検出素子等を提供する。
【解決手段】平面視したとき長方形の放射線検出素子１０にマトリックス配置された複数の画素２０各々の形状を、胸壁側に平行する方向において長く、それと交差する方向である奥行き方向において短い画素形状（長方形）とする。また、放射線検出素子１０の一方の長辺側にスキャン信号制御部、信号増幅部等の外部回路を設けず、その長辺側が被検者の胸壁側となるように構成することで、胸壁側での撮像欠損をなくすとともに、奥行き方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】より容易により多様な光電変換出力を得ることができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、入射光を光電変換する光電変換素子が形成される光電変換素子層と、前記光電変換素子層の、前記入射光の入射面とは反対の側に形成される、前記光電変換素子から電荷を読み出すための配線が形成される配線層と、前記光電変換素子層および前記配線層に積層され、他の光電変換素子を有する支持基板とを備える。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板に画素電極と、入射光に応じた電荷を生成する有機膜を有する光電変換部と、透明な対向電極と、封止層とが形成された固体撮像素子の製造方法である。基板の画素電極が設けられた側表面にメタルマスクを磁力で密着させる工程と、基板の画素電極が設けられた側表面に、有機物を蒸着し、有機膜を形成する工程と、有機膜形成後、メタルマスクを取り外す工程と、有機膜上に対向電極を形成する工程と、対向電極を覆う封止層を形成する工程とを有する。メタルマスクは、ハーフエッチングが施されており、このハーフエッチングが施された側を画素電極に向けて密着されている。 （もっと読む）