【課題】厚塗り適性があり、得られた膜の塗布均一性が良好で、段差追従性があり、且つ赤外線領域の遮光性に優れる遮光性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか１種、（Ｂ）粒径分布における極大値を示す粒子径が１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲にあるフィラー、及び（Ｃ）粒径分布における極大値を示す粒子径が５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲にあるフィラーを含有する遮光性組成物であって、前記遮光性組成物中の前記フィラー（Ｂ）及び前記フィラー（Ｃ）の混合後におけるフィラー全体の粒径分布が、５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲及び１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲のそれぞれの範囲に極大値を有する遮光性組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置１００において、光入射効率を高める多重干渉効果に加えて、第１に、シリコンのもつ引張応力を緩和し、第２に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することを可能とする。
【解決手段】固体撮像装置１００において、シリコン基板１０１の第２面上に光透過膜１２３を形成し、該光透過膜１２３を、該シリコン基板１０１の該第２面上に形成されたシリコン酸化膜（第１の透明絶縁膜）１０２と、該シリコン酸化膜１０２上に形成され、該シリコン酸化膜の屈折率より高い屈折率を有するシリコン窒化膜（第２の透明絶縁膜）１０３とを、該シリコン窒化膜の厚みの増大に伴って、該シリコン基板の第２面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該シリコン窒化膜１０３の厚みを、該反射率の極小値として２周期目の極小値のみを含む範囲に設定した。 （もっと読む）

【課題】リセットトランジスタ及びアドレストランジスタを有しないＣＭＯＳイメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセルは、電荷を感知するためのフローティングベースバイポーラトランジスタとピンドフォトダイオードとを含み、前記ピンドフォトダイオードが、前記ピンドフォトダイオードから前記フローティングベースバイポーラトランジスタのフローティングベース２１３に電荷を伝送することができる伝送ゲート２０７を介して、前記フローティングベースバイポーラトランジスタに結合されている。イメージセンサアレイは、複数のピクセルと信号線とを含んでおり、特定ロー上のすべての伝送ゲートが互いに接続されており、特定カラム上のエミッタ領域が互いに接続されて、ピクセル当たり２個の信号線を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】隔壁を通過して受光部に光が達するのを抑制することができる画像撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の受光部（ＰＤ）が形成された半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成された配線層５と、前記配線層５上であって半導体基板３の各受光部（ＰＤ）に対応してそれぞれ形成されたカラーフィルタ７と、前記各カラーフィルタ７間に形成された隔壁９とを備え、前記隔壁９は、下層部２９と上層部３１とを有し、下層部２９の上面が改質された改質層となっており、改質層と上層部３１との間に、外部からの侵入光の反射を促進させる界面２７が構成されている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの作製に有用であり、色純度が高く、薄層で高い吸光係数が得られ、堅牢性、及び電圧保持率に優れた着色膜を形成しうる着色組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物及びその互変異性体から選択された少なくとも１種を含有する着色組成物。
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【課題】分光感度のバラツキや色滲みのなく高感度・高解像性であるとともに、隣接する画素部への光の混入を防ぐことができる構成の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の内部には、複数のフォトダイオード１０２が内部に形成されている。配線層１０３は、絶縁膜１０５と配線１０４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上に形成されている。複数のカラーフィルタ１０６は、配線層１０３の上方において、複数のフォトダイオード１０２の各々に対応して形成されている。カラーフィルタ１０６の上には、平坦化膜１０７とマイクロレンズ１０８が順に積層されている。固体撮像装置１では、カラーフィルタ１０６の各々において、平坦化膜１０７よりも屈折率が高いとともに、Ｚ軸方向の上面が凹形状である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの膜厚が不均一となるのを抑制することができる画像撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、画素領域３に相当する上面が周辺回路領域５に相当する上面より低い下地層（２５）と、下地層（２５）の画素領域３に相当する上面に二次元配置された複数のカラーフィルタ２７と、各カラーフィルタ２７間に配された隔壁２９とを備え、下地層（２５）における画素領域３に相当する上面に対して直交する断面において、周辺回路領域５に接する外側部分（９）に配されている隔壁２９の占有面積が、画素領域３の中央部分（１１）に配されている隔壁２９の占有面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】透明電極が形成された固体撮像素子において、感度低下の防止が図られた固体撮像素子を提供する。また、その固体撮像素子を用いた撮像装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に形成され、入射した光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部ＰＤと、基板１１上部に形成された透明電極１４を備える固体撮像素子１において、透明電極１４を、複数の開口を有するナノカーボン材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】短波長領域（例えば４００ｎｍ未満）での透光性を保持しながら、赤外領域及び可視域（例えば４００〜７００ｎｍ）で高い遮光性を有し、剥がれの発生が抑制された遮光膜用着色組成物を提供する。
【解決手段】チタン原子を有する黒色チタン顔料から選ばれる少なくとも一種と、赤色有機顔料、黄色有機顔料、紫色有機顔料、及び橙色有機顔料の中から選ばれる有機顔料の少なくとも１種と、オキシム系光重合開始剤の少なくとも一種とを含み、波長６５０ｎｍの光の透過率が０．２％となるように成膜したときに、波長４００〜７００ｎｍの光の透過率の最大値が１．５％以下であり、その最大透過率を示す波長を４００〜５５０ｎｍに有しており、波長４００ｎｍにおける光の透過率が０．１％以上である。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばら
つきのない光電変換装置を得ることを課題とする。光電変換装置を有する半導体装置にお
いて、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極と
の間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバ
ーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、
前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端
部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造後も終点検出部が残存することがなく、また、半導体基板と異なる材料の半導体素子部への拡散等の問題もなく、精度よく半導体基板の薄膜化を実現することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いられる半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の表面１ａに複数の凹部３を有するトレンチ構造５を形成する工程と、前記トレンチ構造５を形成した半導体基板１を不活性ガス雰囲気又は還元性ガス雰囲気にて熱処理を行うことで、前記複数の凹部３の表面部分を閉塞して前記表面部分に半導体層３ａを形成すると共に、内部に空隙３ｂを形成する工程と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】電気的な構造を複雑化することなく撮像用画素と焦点検出用画素とをレイアウトする。
【解決手段】マイクロレンズと複数の光電変換部とを有する単位画素が２次元に配列された画素群を備え、当該画素群が撮像用画素と焦点検出用画素を含む固体撮像素子であって、前記画素群の一部に前記焦点検出用画素として、前記複数の光電変換部のそれぞれを部分的に遮光する遮光部を設けた。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、カラーフィルタの剥離を抑制する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子１１を有する画素１１２と、画素１１２に対応して形成され、複数の色目フィルタ成分を有するカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換素子１１に集光するマイクロレンズ１６と、カラーフィルタ１５の各色目フィルタ成分間に配置される遮光膜１７と、カラーフィルタ１５と遮光膜１７との間に設けられ、非平坦化された密着性膜１９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】色再現性の低下を抑制可能とする固体撮像装置及びカメラモジュールを提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置であるイメージセンサ１２は、画素アレイと、赤外光除去部であるＩＲカットフィルタ２６と、を有する。画素アレイは、複数の画素セル２１がアレイ状に配置されている。画素セル２１は、光電変換素子２３を備える。画素アレイは、色配列に従って、各色光の信号レベルを画素セル２１ごとに分担して検出する。ＩＲカットフィルタ２６は、光電変換素子２３へ進行する光から赤外光を除去する。ＩＲカットフィルタ２６は、画素セル２１ごとに対応させて設けられている。ＩＲカットフィルタ２６は、画素セル２１が検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜の感度を低下させることなく、高い光電変換効率を得ることが可能な固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に設けられる光電変換膜を用いて、入射光を光電変換する固体撮像装置あるいは当該固体撮像装置を有する電子機器において、光電変換膜をその膜面が基板面に対して傾斜するようにレイアウトすることで、光電変換膜内における入射光の光路長を長くする。そして、光路長を長くできる分だけ光電変換膜の膜厚を薄くすることで、光電変換膜の感度の低下を招くことなく、高い光電変換効率を得る。 （もっと読む）

【課題】金属遮光膜のストレス（応力）に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行う。
【解決手段】半導体基板６の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域２が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域２の外周側に、有効画素アレイ領域２からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域３が設けられ、オプティカルブラック領域３の外周側に周辺回路領域４が設けられた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４に入射光を遮光する金属遮光膜８ａ，８ｂが設けられ、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４における金属遮光膜８ａ，８ｂの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部５が設けられている。スリット５ａは、有効画素アレイ領域２およびその外周側のオプティカルブラック領域３の平面視４角形の外周囲に渡って形成されている。 （もっと読む）