【課題】 温度変化に伴う損傷や変形を低減する。
【解決手段】 周辺領域２２１と第３領域１１１との間に、撮像板２および保持板１０に対して固定された中間部材７が配置されているとともに、中央領域２２２の少なくとも一部と、第４領域１１２との間には中間部材７が延在せずに空隙３００が設けられており、撮像板２の線膨張率と中間部材７の線膨張率との差が、保持板１０の線膨張率と中間部材７の線膨張率との差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層の露出面において、ダイシングの工程等で水が接触することにより生じ、配線層の露出面における接合強度の低下や外観不良等の原因となる腐食の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板の一方の面側にて、標準電極電位が互いに異なる２種以上の金属を含む合金により形成された配線層を露出させる工程（パッドを開口する工程（Ｓ１０））と、前記配線層の露出面を含む範囲に、Ｎ_２／Ａｒプラズマを照射するプラズマ処理を行う工程（Ｎ_２／Ａｒプラズマ処理を行う工程（Ｓ３０））と、を含む方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、各色のカラーフィルタの特性をその厚さにより調整し、しかも各色に応じてその厚みを調整したカラーフィルタをその表面が平坦になるよう平坦化膜上に配置することができ、これにより、厚みの異なるカラーフィルタ上に平坦化膜を形成する必要がなくなり、感度低下を回避しつつ、カラー表示特性を所望の特性とすることができる。
【解決手段】基板上に配列された複数のカラーフィルタ１１１及び１１２を備えた固体撮像素子１００において、該複数のカラーフィルタ１１１は、それぞれの色に応じた膜厚を有し、該基板上の、該カラーフィルタの下地部分となる平坦化膜１３０は、該配列された複数のカラーフィルタの表面が全面に渡って平坦な面となるよう、その表面に各カラーフィルタの膜厚に応じた段差を形成した構造としている。 （もっと読む）

【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される熱型検出素子２２０と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路５１０，５２０と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素特性を備える。
【解決手段】固体撮像素子２１Ａは、半導体で構成され、互いに反対側を向く表面および裏面を有する半導体基板２２と、表面と裏面とを貫通するように半導体基板２２に対して形成されたトレンチに成膜されたゲート絶縁膜２５Ａと、ゲート絶縁膜２５Ａを介してトレンチ内に、半導体基板２２の裏面側に露出するように埋め込まれたゲート電極２６Ａとを備える。そして、ゲート絶縁膜２５Ａおよびゲート電極２６Ａが裏面側に突出するように形成されることで、半導体基板２２の裏面側の面から、ゲート電極２６Ａの裏面側の先端面までの間に段差が設けられる。本発明は、例えば、撮像機能を備えた電子機器に適用できる。 （もっと読む）

【課題】エッチングによるダメージを低減した焦電型検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｎ膜２７１を形成し、パターニングする第１膜形成工程と、Ｓｎ膜２７１に重ねてＩｎ膜２７２を形成する第２膜形成工程と、焦電体２３２を形成する第３膜形成工程と、酸素含有雰囲気にて加熱し、Ｓｎ膜２７１とＩｎ膜２７２から第１電極２３４を形成するアニール工程と、第１電極２３４が形成されない場所のＩｎ膜２７２と焦電体２３２を除去する除去工程と、を有する。第２膜形成工程が終了するとき、支持部材２１０上にはＩｎ膜２７２とＳｎ膜２７１とが積層されたＩｎＳｎ積層領域２７３と、Ｉｎ膜２７２とＳｎ膜２７１とが積層されていないＩｎ単層領域２７４と、が配置され、アニール工程ではＩｎＳｎ積層領域２７３にて第１電極２３４を形成し、Ｉｎ単層領域２７４のＩｎ膜２７２を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの結晶方位起因の応力による配線層のずれを効果的に抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の基板１の主表面上にフォトダイオード含んだ活性領域であるフォトダイオード層４を形成する工程と、前記フォトダイオード層４の上に、配線７０、７１およびそれを覆う絶縁層６を含む配線層７を形成する工程と、前記配線層７の上に絶縁膜８を形成する工程を備える。実施形態の半導体装置の製造方法は、前記フォトダイオード層４の結晶方位と第２の基板２の結晶方位とが一致するように、前記第１の基板１の前記絶縁膜８に前記第２の基板２を接合する工程をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】遮光領域への光漏れを防止し、光漏れによる画質の劣化を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２４内に形成され、光を電気信号に変換する光電変換素子２５と、半導体基板２４上に光電変換素子２５に対応するように配置され、入射光を光電変換素子２５上に集光するマイクロレンズ１３と、半導体基板２４上に形成され、光を遮光する遮光膜３０と、遮光膜３０上に形成され、入射光を遮光層３０上に集光するマイクロレンズ１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】カバーガラスとイメージセンサチップの接着力が強い狭ギャップの固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０４及びこの受光素子１０４から出力される信号を外部に出力するための電極１０９を備えたイメージセンサチップ１０２と、受光素子１０４上に形成されたマイクロレンズ１０３と、受光素子１０４の外周に形成される保護層１０７と、イメージセンサチップ１０２の上方に配置され、光学素子１０５が形成されたカバーガラス１０１と、このカバーガラス１０１に形成され、カバーガラス１０１と受光素子１０４とのギャップを制御するスペーサ１０６と、スペーサ１０６と保護層１０７とを接合するための接着層１０８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短射出瞳距離での混色や色シェーディング特性の悪化を改善する固体撮像装置を提供するものである。
【解決手段】撮像領域に配列された受光部と、各受光部上に配置された各色の色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと、各色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ上に配置されたマイクロレンズ３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂとを有し、撮像領域の中心から同じ距離に配置された受光部上における各マイクロレンズ３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂは、各受光部上に配置された色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの色毎に、当該受光部の中心４１に対して異なるずれ量で配置されている固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の画素分離部３０１に形成されたトレンチＴＲの内部に第１遮光部３１３Ａを設ける。これと共に、その第１遮光部３１３Ａの上面側に第２遮光部３１３Ｂを設ける。ここでは、画素領域ＰＡの中心よりも周辺において、第２遮光部３１３Ｂの中心が、画素分離部３０１の中心に対して、画素領域ＰＡの周辺の側へ多くシフトするように、第２遮光部３１３Ｂを形成する。つまり、少なくとも第２遮光部について「瞳補正」を実施する。 （もっと読む）

【課題】測距用画素の位置に相当する撮像用信号の補間をより高精度に行うのに適した撮像用信号を取得することができる撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子面内には、撮像受光素子を有する複数の撮像用画素ＳＰと、２つの測距受光素子が撮像素子面内のＸ方向に配列された測距受光素子対を有する複数の測距用画素ＡＰとが配列されている。複数の測距用画素ＡＰは、撮像素子面内において、Ｘ方向に所定の周期で配列されている。複数の測距用画素ＡＰの各々の周囲に少なくとも４つの撮像用画素ＳＰが配置され、かつ、複数の測距用画素ＡＰの各々の間に少なくとも１つの撮像用画素ＳＰが配置されている。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】赤外光カットフィルタを用いることなく、実用上問題ない色差を実現することが可能なカラー撮像用の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素電極３と、画素電極３に対向する対向電極５と、画素電極３と対向電極５との間に設けられる光電変換層を含む受光層４とを有する受光部Ｐが半導体基板１上方に複数配列された固体撮像素子１００であって、受光部Ｐの分光感度特性は、（１）波長６００ｎｍにおける分光感度が７０％以上、（２）波長６００ｎｍ以上の範囲で分光感度が単調減少、（３）波長７００ｎｍにおける分光感度が波長６００ｎｍにおける分光感度の３０％以下、（４）波長７５０ｎｍにおける分光感度が１０％以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２，４と、一対の電極２，４に挟まれた光電変換層３とを含む光電変換素子１００は、電極２と光電変換層３との間に、電極２の光電変換層３側の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層５を備える。凹凸緩和層５は、電極２上にアモルファス性材料又は高分子材料を成膜後、これを加熱することで形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０３ａ、１０３ｂが配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３ａ、１０３ｂのそれぞれに対応した穴１０５ａ、１０５ｂが配される。穴１０５ａ、１０５ｂにはそれぞれ部材１０６ａ、１０６ｂが配される。部材１０６ｂに対して半導体基板１０１とは反対側に遮光部材１０８が配され、光電変換部１０３ｂのみが遮光される。このような固体撮像装置において、穴１０５ａ、１０５ｂが同時に形成され、部材１０６ａ、１０６ｂが同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ全体の厚みを抑制しつつ、トランジスタからのホットキャリアによる発光の悪影響を抑制し、かつ工程数の削減を可能にした固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２つ以上の半導体チップ部２２、２６が接合され、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイと多層配線層３７が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路と多層配線層５９が形成される。両多層配線層３７、５９が向かい合って電気的に接続されて接合される。第１及び第２の半導体チップ部２２、２６の接合付近に、一方又は双方の接続される配線と同じ層の導電膜により形成された遮光層６８が形成される。裏面照射型に構成される。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程で半導体装置を製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４の上に第５層間絶縁膜１１３ｅが配される。第５層間絶縁膜１１３ｅの光電変換部１０５と重なった位置に開口１１６が形成される。半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８を形成する。第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去し、第５層間絶縁膜１１３ｅを露出させる。 （もっと読む）