【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学的な混色やＭｇフレアを抑制するとともに、感度を向上させる。
【解決手段】半導体基板に設けられ、フォトダイオードを含む画素が複数配列された画素領域と、半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、画素領域に配列される複数の画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、半導体基板とカラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の画素は、カラーフィルタの色により、互いに隣接する画素として、カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、画素間遮光部は、異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質劣化を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換素子ＰＤを有する画素Ｐと、画素Ｐに対応して形成されたカラーフィルタ１３と、カラーフィルタ１３を介して入射光を光電変換素子ＰＤに集光するマイクロレンズ１５と、カラーフィルタ１３とマイクロレンズ１５との間に形成され、マイクロレンズ１５より屈折率が小さい層内レンズ１４と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。そして、増幅トランジスタのゲート長を画素ピッチ以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像によって、赤外領域における遮光性が高く、耐久性（冷熱衝撃耐性や、基板に対する密着性など）に優れるとともに、所望の矩形形状を有するパターンを高感度で形成可能な固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）赤外線遮蔽材、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）酸の作用により架橋反応を示す化合物、及び、（Ｄ）バインダー樹脂を含有する固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる。 （もっと読む）

【課題】感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され光を信号電荷に変換する受光部２と、受光部２の上方に対応する部位に形成された開口６ａを除き、半導体基板１の上側を覆う遮光層６と、遮光層６を覆い且つ開口６ａを閉塞する形で形成された光透過層８ａと、光透過層８ａの上方に設けられ、入射光Ｉｎ１を受光部２に集光するマイクロレンズ９ｃとを備える。そして、光透過層８ａは、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層８ａには、少なくとも遮光層６の開口６ａの外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通するエアギャップＧ１が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】複数の層間膜からなる積層構造体中に光導波路を有する固体撮像装置であって、集光効率を改善することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光電変換を行う受光部１と、受光部１上に形成され、配線層（第１Ｃｕ配線９、第２Ｃｕ配線１２）を含む複数の膜からなる積層構造体と、積層構造体における受光部１に対応する位置に形成された導波路孔１４ａの側壁を覆うサイドウォール膜１６と、サイドウォール膜１６で囲まれた空間に光透過性材料が埋め込まれて形成された光導波路１４とを備え、光の入射方向から見た光導波路１４の平面形状の大きさが当該光の入射側の面から受光部１側に向けて小さくなる順テーパー形状となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体撮像装置とその製造方法、およびこの固体撮像装置を備えた撮像モジュールに関する。
【解決手段】撮像エリアに複数の画素が二次元配列されてなる固体撮像装置であって、画素毎に光電変換部が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成され、光電変換部上の領域毎に凹部を有する第１屈折率膜と、第１屈折率膜の凹部に一部が埋め込まれた、第１屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率膜とを備え、複数の画素には、撮像エリアの中央領域にある第１の画素と、撮像エリアの周辺領域にある第２の画素とが含まれ、第２の画素における第２屈折率膜の上面は、第１の画素側の端部が、第１の画素側とは反対側の端部よりも低くなるように傾斜していることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 導電体部を有し、複数の絶縁膜を除去して形成される半導体装置において、金属汚染を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電パターンを有する配線層と、導電パターンの側面を囲む第１の絶縁膜を含む複数の絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ上に複数の絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程と、を有する。そして、半導体ウエハ上に複数の絶縁膜を形成する工程及び配線層を形成する工程の後に、複数の絶縁膜の一部の領域を除去し、開口を形成する工程と、を有する。ここで、第１の絶縁膜は、導電パターンの配置位置のうちウエハの最外周に最も近い位置よりも半導体ウエハの外周に近い位置まで配置されている。 （もっと読む）

【課題】放射線検出素子を微細に形成した場合でも放射線検出素子の集光率を向上させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各小領域ｒに設けられた放射線検出素子７ごとに設けられ、放射線検出素子７の第１電極７ａにソース電極８ｓが接続され、信号線６にドレイン電極８ｄが接続されたＴＦＴからなるスイッチ手段８を備え、ＴＦＴからなるスイッチ手段８は、放射線検出素子７同士の間の部分に設けられた走査線５上に形成され、走査線５自体がスイッチ手段８のゲート電極８ｇとされている。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、高い精度で半導体装置を製造することができる。特に画質の高い固体撮像装置を提供及び製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８と、第１導波路部材１１８を貫通するビアプラグとを有する。 （もっと読む）

【課題】 導波路を有する固体撮像装置において、反射防止膜の光学特性の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体基板に配された光電変換部と、光電変換部の上に配された反射防止として機能する第１の絶縁膜と、光電変換部に対応して第１の絶縁膜の上に配された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に底面が配されたコアと、クラッドとを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、光電変換部の上部に配された部材の一部を異方性のエッチングにて除去し開口を形成することでクラッドを構成する工程と、開口にコアを形成する工程と、を有し、開口を形成する工程において、部材がエッチングされる速度よりも第２の絶縁膜がエッチングされる速度が低い条件で、部材がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】パッド電極ＰＡＤのパッド面の上面に設けるパッド開口ＰＫの側部を囲うように第１パッド周辺ガードリングＰＧ１を設ける。ここでは、パッド開口ＰＫの側部において、パッド開口ＰＫと同じ深さまで設けられたトレンチＴＲＰの全体に、金属材料を一体で埋め込むことで、この第１パッド周辺ガードリングＰＧ１を形成する。これにより、パッド開口ＰＫから吸湿した水分が内部へ侵入することを、第１パッド周辺ガードリングＰＧ１が遮断する。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素特性を備える。
【解決手段】固体撮像素子２１Ａは、半導体で構成され、互いに反対側を向く表面および裏面を有する半導体基板２２と、表面と裏面とを貫通するように半導体基板２２に対して形成されたトレンチに成膜されたゲート絶縁膜２５Ａと、ゲート絶縁膜２５Ａを介してトレンチ内に、半導体基板２２の裏面側に露出するように埋め込まれたゲート電極２６Ａとを備える。そして、ゲート絶縁膜２５Ａおよびゲート電極２６Ａが裏面側に突出するように形成されることで、半導体基板２２の裏面側の面から、ゲート電極２６Ａの裏面側の先端面までの間に段差が設けられる。本発明は、例えば、撮像機能を備えた電子機器に適用できる。 （もっと読む）