【課題】 内部電界が弱い領域では、ホトダイオードＰＤより深い領域で発生した光電荷は横方向に拡散してしまい、隣接画素等への光電子流入（クロストーク）により感度低下が生じていた。
【解決手段】 クロスストーク防止層ＤＮＷ９をホトダイオードＰＤ形成部及び、画素−周辺回路間に設ける。
【効果】 画素−画素間または画素領域−周辺回路領域間のクロストークを低減し、光感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】光学素子半導体パッケージとして、放熱性能を従来より格段に高め、ウエハレベルパッケージングにより小型化する製造プロセスに適したものを提供する。
【解決手段】第１面１０２ａおよびそれに対し平行な第２面１０２ｂを有する半導体基板１０２と、第１面に形成された光学素子１０４と、第３面１０６ａ及びそれに対し平行な第４面１０６ｂを有しかつその第４面が半導体基板の第１面に対向するように配置された透光性基板１０６と、半導体基板の少なくとも周辺部分と透光性基板の少なくとも周辺部分との間を接合する接合部材１２４とを備えた半導体パッケージにおいて；透光性部基板の第３面と第４面との間を、光学素子への入出力光が通過すべき光透過領域１２８と、それ以外の光透過不要領域１３０とに区分し、光透過不要領域内に、一部が透光性基板の外面に開口してパッケージの外部空間に連通する１以上の微小空洞部１２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を添加しなくとも、ポリマー単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、低体積収縮を達成できるトリアジン環含有重合体、およびこれを含む膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】例えば、下記式（２）で表されるような、トリアジン環を有する繰り返し単位構造を含む重合体は、それ単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、および低体積収縮を発揮し得る。


（式中、Ｚ¹およびＺ²は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキレン基等を表す。） （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイまたは固体撮像装置の製造工程の単純化および／またはマイクロレンズ間のアライメントずれの防止に有利な技術を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイまたは固体撮像装置の製造方法は、複数の受光部を含む構造体の上にレジスト膜を形成する工程と、複数のマイクロレンズを形成するための複数のレンズパターンが配列されたフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光する工程と、露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを熱処理して前記複数のマイクロレンズを形成する工程とを含み、前記複数のレンズパターンは、露光光の光透過率分布が互いに異なるレンズパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型、表面照射型に関わらず容易に製造することができ、かつ、撮影時間を短くして高画質の撮影を行うことが可能な瞳分割機能を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】瞳分割用の画素部１０，１１は、シリコン基板内の断面形状が左右反転した形状となっている。画素部１０は、電荷発生領域１７と、この上の電荷蓄積領域１３と、電荷発生領域１７及び電荷蓄積領域１３のうち電荷発生領域１７のみに接し、電荷発生領域１７に対してポテンシャル障壁を形成する障壁領域１６と、障壁領域１６とシリコン基板表面との間の電荷排出領域１５とを備える。障壁領域１６は、画素部１０では右端にあり、画素部１１では左端にあり、ここには電圧印加用の配線３０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易に可能であって、ノイズの発生を防止して撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】入射光Ｈを遮光するように形成された光電変換膜１３を、シリコン基板１１において、読出し回路５１，ｎ型不純物領域１２，４１１よりも入射光Ｈが入射する側に設ける。これにより、読出し回路５１，ｎ型不純物領域１２，４１１へ入射する入射光Ｈを光電変換膜１３で遮光させる。 （もっと読む）

【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】高品質の撮像画像信号を得ることができる光電変換層積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が表面部に形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０の光入射側上方に積層され第１電極膜１０４と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜１１３との間に光電変換層１０３が形成された光電変換部と、該光電変換部の光入射側且つ有効画素領域の外側に形成され第１電極膜１０４との間に誘電材料（１１７，１１８）が介装された導電性の遮光膜１２１とを備える。第１電極膜１０４に接続される配線の抵抗Ｒと第１電極膜１０４―遮光膜１２１間に形成されるキャパシタＣとでローパスフィルタが形成されるため、第１電極膜１０４に電圧を印加する電源のノイズが第１電極膜１０４に伝搬するのが低減される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードにおける量子効率を向上させることが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１の表面に、一部がこの表面から突出するように形成された凸レンズ状のフォトダイオード１３と、半導体基板１１の表面において、フォトダイオード１３とは離間して形成された不純物層１４と、不純物層１４を含み、不純物層１４とフォトダイオード１３との半導体基板１１の表面上に、ゲート酸化膜１５を介して形成されたゲート電極１７と、ゲート電極１７を含むゲート酸化膜１５上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８の表面のうち、フォトダイオード１３の上方を除く領域に形成された配線１９と、配線１９を含む層間絶縁膜１８の表面上に形成されたパッシベーション膜２２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】熱電素子及びその形成方法、これを利用した温度感知センサ及び熱源イメージセンサを提供する。
【解決手段】熱電素子は基板の上の互いに離隔されて配置された第１ナノワイヤ及び第２ナノワイヤと、第１ナノワイヤの一端に接続される第１シリコン薄膜と、第２ナノワイヤの一端に接続される第２シリコン薄膜と、第１ナノワイヤの他端及び第２ナノワイヤの他端に接続される第３シリコン薄膜とを含み、第１ナノワイヤ及び第２ナノワイヤは基板の上部面に対して水平な方向に延長される。 （もっと読む）

【課題】入射される光子をフォトダイオードの中央部分に屈折させるフォトダイオードを備えるバックサイドイルミネーションＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単位画素は、第２導電層１１０、第２導電層１１０上の第１層間絶縁層１２０、第１層間絶縁層１２０上の第１導電層１３０、及び第１導電層１３０上の第２層間絶縁層１４０を備える。第２層間絶縁層１４０の上部に、フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２が配置される。フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２は、第２層間絶縁層１４０との接触面は平らであるが、光を受信する上部面は一定した曲率を有する。 （もっと読む）

【課題】入射されてフォトダイオードを通過した後、メタル層から反射されて再びフォトダイオードに戻る光子を、フォトダイオードの中心部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素、該単位画素を備えるバックサイドイルミネーションＣＭＯＳイメージセンサ及び該単位画素の形成方法を提供する。
【解決手段】光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素は、フォトダイオード、メタル層及び光子屈折用マイクロレンズを備える。マイクロレンズは、フォトダイオード及びメタル層の間に配され、メタル層から反射された光子をフォトダイオードの中央部分に屈折させる。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスとを抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、特定の光を吸収するシリコンを含む光吸収層によって形成された光電変換層が、前記基板面に対して垂直な方向に積層された積層構造による受光素子であって、
前記光電変換層が、前記特定の光の波長に対応した光共振器を形成する前記積層構造中に配された一対の多層膜反射鏡によって狭持された構造を備え、
前記一対の多層膜反射鏡による光共振を可能とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する有機光電変換層を含む放射線センサおよびそれを使用した放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線センサは、入射する放射線を、少なくとも該放射線とは異なる波長域の電磁波に変換する蛍光体層５０が設けられた第一の可撓性基板１８と、電荷発生剤および５５質量％〜７５質量％のポリマーバインダを含有する電荷発生層４４並びに電荷輸送層４２を含み、前記電磁波を光電変換する有機光電変換層４０と、前記有機光電変換層４０で発生した電荷を読み出すための、蓄積容量３０および薄膜トランジスタ２０を含む電荷検出層６０が設けられた第二の可撓性基板１０と、前記有機光電変換層４０と前記電荷検出層６０との間に配置された高分子下引き層１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫ及び光入射面１ＢＫとは逆側の表面１ＦＴを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備える。フォトゲート電極ＰＧは、表面１ＦＴ上に設けられる。第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、フォトゲート電極ＰＧに隣接して設けられる。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から光入射面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）