【課題】ＴＤＩ動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路２０、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたＮ個の信号読出回路３０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子５０と、信号読出回路３０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ型の固体撮像装置において、水平方向の読み出しの際の転送動作による発熱を効率良く放熱し、且つ出力信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置２Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、及び、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されており各列から取り出される電荷の大きさに応じた電気信号をそれぞれ出力するＮ個の信号読出回路２０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換してシリアル信号として順次出力するＣ−ＭＯＳ型の半導体素子５０と、主面８１ａ及び裏面８１ｂを有する伝熱部材８０と、裏面８１ｂ上に設けられた冷却ブロック８４とを備え、半導体素子５０と伝熱部材８０の主面８１ａとが互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に２次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】メタルストラップ型ＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、（ＶＣＣＤを通る光電荷の流れを制御するゲート導電体の上に配置された）水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとの両方の使用によってＣＣＤ画像センサにおける内部抵抗を減少させ、これら水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとは両方とも、電気的制御信号を伝えるバスラインに選択的に接続されている。選択的な電気的接続は、特定のバイアスグループに対する総抵抗が、画像センサ画素アレイのサイズから実質的に独立することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】大容量なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】メモリ用シフトレジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成され、基板１０１の主面に垂直な軸Ｌの周りを回転する螺旋形状を有するチャネル層１１１とを備える。さらに、メモリ用シフトレジスタは、基板１０１上に形成され、軸Ｌに平行な方向に延びており、チャネル層１１１内の電荷を転送するために使用される３本以上の制御電極１１２１，１１２２，１１２３を備える。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、水平転送レジスタにおいて取り扱い電荷量の確保を容易とするとともに、転送効率を向上させ、コストの削減および消費電力の低減を容易に実現する。
【解決手段】固体撮像素子１は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列される受光素子３と、受光素子３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ４と、垂直転送レジスタ４により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ５と、半導体基板１０上にて各転送レジスタ４，５を構成する転送電極１１，１２下に設けられるゲート絶縁膜１３とを備え、ゲート絶縁膜１３は、垂直転送レジスタ４を構成する垂直転送電極１１下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）を有する垂直転送電極下膜部１３Ａと、水平転送レジスタ５を構成する水平転送電極１２下に位置し、第１の膜厚（ｄ１）よりも薄い第２の膜厚（ｄ２）を有する水平転送電極下膜部１３Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤを提供する。
【解決手段】ＣＣＤは、行及び列に配列された電荷収集サイトの２次元アレイを含み、各行は、行の方向に延びる複数の電極に関連付けられ、各電極は、それぞれの電圧相に対応する。ポリシリコン電極の抵抗性は、相電圧が電極の中央領域に出現する時に相電圧に関する時定数問題を引き起こし、この理由のために、各ポリシリコン電極に沿ってその抵抗を低下させるために導電ストリップを通すことが提案されてきた。しかし、微細な金属特徴部を加工することは困難であり、これは、従って、行が離間することができる接近の程度に制限を加える。本発明により、行に対して傾斜し、かついくつかの行の対応する電圧相の電極に電気接触する反復的に反転する部分を有する導電ストリップを提供する。好ましくは、導電ストリップは、それがそれぞれの相電圧を供給する各電極との複数の接続を行うためにジグザグ形状である。 （もっと読む）

【課題】再現性のある現象を低照明下で超高速度撮影できる「映像信号積算素子」の画素内の折り畳みＣＣＤメモリーを微細ＣＭＯＳプロセス（１層のシリサイドしか提供されていない）で作る。
【解決手段】従来技術では２層のポリシリコン（またはシリサイド）を交差させて作っていた電極を１層のポリシリコンで作る。駆動電圧送付のためのバスラインも１層の金属層で作る。電極を逆Ｚ字型とする。逆Ｚ字の上辺（左辺）と下辺（右辺）をつなぐ縦のつなぎ部分がＣＣＤのチャンネルストップと重なるように置く。この部分にコンタクトポイント１２６をペアにして置く。コンタクトポイントを通して駆動電圧を送るための金属バスライン１３３〜１３６を波形にする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の垂直転送部における暗電流ノイズによる影響を低減する。
【解決手段】例えば３つの垂直転送部２を１つのグループとし、各垂直転送部２は第１転送部２１と第２転送部２２とを有し、駆動制御部７は、第１転送部２１がパケットを転送した後、水平方向へのパケットの転送が行われる期間でパケットの転送を停止し、第２転送部２２が同一のグループ内の異なる第１転送部２１により転送されたパケットを異なるタイミングで水平転送部４に転送し、水平転送部４が異なるタイミングで転送されたパケットを異なる期間で水平方向に転送し、前記異なる期間で、第１転送部２１のパケットを形成するウェル領域として動作する電荷転送段を、全転送電極下の界面準位をホールで充満させるために、ホールを蓄積できる時間、各転送電極にホールが蓄積できる電圧を印加しながらパケットを移動させ、前記異なる期間で移動させる前の位置に戻す。 （もっと読む）

【課題】電子シャッタ変更命令を適応し変更した電子シャッタの画像データのみを出力する。
【解決手段】ＩＴ−ＣＣＤと、ＶＤ前に電子シャッタタイミングによって定まる蓄積時間を読み込むタイミング発生部とオーバーフロードレイン掃き捨てと読み出しとを内蔵の垂直転送駆動部と、双方向伝送回路とを有する固体撮像装置において、電子シャッタ変更命令を毎垂直周期ごとに受けつけ該電子シャッタ変更命令が来た次の垂直周期は、画像データの出力または伝送の少なくとも一方を中止し、該電子シャッタ変更命令に対応した電子シャッタパルスをＳＵＢに印加し、該電子シャッタ変更命令が来た次の次の垂直周期に該電子シャッタ変更命令に対応した画像データを出力する。 （もっと読む）

【課題】不純物層の深さおよび濃度のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１のチャネル層１２上に、酸化膜１４を介して、レジスト材料１６を一様に形成する工程と、電荷の転送方向に向かって光の透過率が変化するグレーティングマスク１７を用いてレジスト材料１６を露光する工程と、露光されたレジスト材料１６を現像することにより、膜厚が変化する薄膜部１８Ａを有するレジスト膜１８を形成する工程と、レジスト膜１８を介してチャネル層１２にイオンを注入することにより、第１の不純物層１３を形成する工程と、レジスト膜１８を除去後、第１の不純物層１３上の一部に、酸化膜１４を介して転送電極１５を形成する工程と、を具備し、レジスト材料１６は、単位露光量あたりの膜厚減少量を示すスロープの傾きが、０．００１３［μｍ／ｍＪ／ｃｍ^２］以上、０．００５［μｍ／ｍＪ／ｃｍ^２］以下のレジスト融解特性を有する材料である。 （もっと読む）

【課題】高速度撮像を行なう際に、高いＳ／Ｎ比で画像信号を得る。
【解決手段】信号電荷は、ＣＣＤメモリ３０における入力転送段３１に入力する。最終転送段３２は入力転送段３１に接続して形成され、最終転送段３２から入力転送段３１への転送も可能となっている。蓄積モードにおいては、読み出しゲート４２及びドレインゲート４０をオンせずにＣＣＤメモリ３０における次の転送動作を行う。蓄積された各信号電荷は１段ずつ転送され、最初の撮像タイミングで得られた信号電荷は、そのまま入力転送段３１に再び転送される。この状態で、次の撮像タイミングで光電変換部２０で新たに得られた信号電荷を、入力ゲート２１を介して入力転送段３１に注入する。この動作により、入力転送段３１中に蓄積されていた信号電荷に、新たな撮像タイミングで得られた信号電荷が加わるため、入力転送段３１にはこの２つの信号電荷が積算された積分信号電荷が蓄積される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体撮像素子の実装面積を縮小可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光が照射される基板上の受光領域１０ａにおいて、行列状に配置された複数の光電変換部１１と、行方向に並設され、各光電変換部１１の信号電荷を列単位で垂直転送し、また、基板上の遮光膜に覆われたＯＢ領域１０ｂにおいて、行方向に並設され、暗電流に相当する基準電荷を、垂直転送部１２に同期して垂直転送する複数の垂直転送部１２と、各垂直転送部１２から読み出される信号電荷と基準電荷とを水平転送する水平転送部とを備え、ＯＢ領域１０ｂの全部または一部において、隣り合う垂直転送部１２同士の間隔が、受光領域１０ａの隣り合う垂直転送部１２同士の間隔よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】同色画素の水平６画素加算を固体撮像素子内部で容易且つ高フレームレートで行えるようにする。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素４２と、複数の画素列に沿って形成された複数の垂直電荷転送路４３と、複数の垂直電荷転送路４３の各々に対して信号電荷を受け取り一時保持するバッファ領域を有し複数の垂直電荷転送路４３の転送方向端部に沿って形成されるラインメモリ４５と、ラインメモリ４５に隣接して形成されラインメモリ４５のバッファ領域から受け取った信号電荷を出力段に転送する水平電荷転送路４６であって垂直電荷転送路２本に対応する２つの前記バッファ領域に接続される水平転送段１段と垂直電荷転送路１本に対応する前記バッファ領域に接続される水平転送段１段とが交互に設けられた水平電荷転送路４６とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子のチップの大きさを低減することができ、かつ、信号電荷の転送を良好に行うことができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われる受光部と、半導体基体１１に形成された水平転送レジスタ４と、半導体層によって形成された水平転送電極１４と、水平転送電極１４の水平転送レジスタ４上の部分に電気的に接続され、金属層によって形成されたバスライン１６，１７と、水平転送電極１４とバスライン１６，１７とを接続するコンタクト部１５において、水平転送電極１４とバスライン１６，１７との界面付近に形成され、水平転送電極１４の半導体層の仕事関数及びバスライン１６，１７の金属層の仕事関数の間の大きさの仕事関数を有する、バリアメタル層２１とを含む固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 積分露光を行う積算段数を無段階に切り替え得る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置１では、オーバーフローゲート（ＯＦＧ）５が所定の電気抵抗値を有し、電圧印加部１６_１〜１６_５が接続部１７_１〜１７_５にてＯＦＧ５と電気的に接続されている。そのため、電圧印加部１６_１〜１６_５によって接続部１７_１〜１７_５に印加される電圧値Ｖ１〜Ｖ５を調整することで、ＯＦＧ５の前段側部分に生じる電圧値を高くし、ＯＦＧ５の後段側部分に生じる電圧値を低くすることができる。その結果、ＯＦＧ５の前段側部分でバリアレベル（ポテンシャル）が低くなり、ＯＦＧ５の後段側部分でバリアレベルが高くなるので、光電変換部２の前段側領域で発生した電荷の全てをオーバーフロードレイン（ＯＦＤ）４に流出させて、光電変換部２の後段側領域で発生した電荷のみをＴＤＩ転送することができる。 （もっと読む）

【課題】受光部の周縁部での入射光の遮りを低減し、かつ、大画角化や高速駆動化を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】１層のポリシリコンにより第１転送電極３ａと第２転送電極３ｂを形成する単層転送電極構造を採用している。そして、水平方向に連結した第１転送電極３ａ上において、水平方向に延在する２本のシャント配線４ａ，４ｂを形成し、転送チャネル２上で、第１転送電極３ａおよび第２転送電極３ｂに接続させている。水平方向に延在する低抵抗のシャント配線４ａ，４ｂを通じて、転送チャネル２上の第１転送電極３ａおよび第２転送電極３ｂに例えば４相の転送パルスφＶ１〜φＶ４が供給される。 （もっと読む）

【課題】高抵抗のエピタキシャル層を用いても電子増倍が十分に行われる電子増倍機能内蔵型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】この固体撮像素子は、Ｐ型の半導体基板１Ａと、半導体基板１Ａ上に成長したＰ型のエピタキシャル層１Ｂと、エピタキシャル層１Ｂ内に形成された撮像領域ＶＲと、エピタキシャル層１Ｂ内に形成されたＮ型の半導体領域１Ｃを有し、撮像領域ＶＲからの信号を転送する水平シフトレジスタＨＲと、エピタキシャル層１Ｂ内に形成されたＰ型のウェル領域１Ｄとを備えている。Ｎ型の半導体領域１Ｃは、ウェル領域１Ｄ内に延びており、ウェル領域１Ｄ内のＰ型不純物濃度は、エピタキシャル層１Ｂ内のＰ型不純物濃度よりも高く、ウェル領域１Ｄにおいて水平シフトレジスタからの電子を増倍する増倍レジスタＥＭが形成されている。 （もっと読む）