【課題】 より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第１半導体部及び第２半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜３０上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜３１を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜３１側に、第１半導体部及び第２半導体部を電気的に接続するためのＣｕ配線接合部３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４上にＣｕ拡散防止膜３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４の形成領域以外の領域のＣｕ拡散防止膜３３を除去して該領域に存在する不要なＣｕ部２１０，２１１を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なＣｕ部２１０，２１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に付着したゴミを容易かつ確実に除去する。
【解決手段】少なくとも固体撮像素子の上面に粘着性シート形成用溶液を塗布する塗布工程１と、塗布工程１にて形成された粘着性シートに対して引き剥がす方向の力を加えて、粘着性シートを剥離する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣとＮとを含む混合ガスをプラズマ化してＣＮ活性種を生成し、生成したＣＮ活性種により半導体基体１１の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体１１の表面の半導体層を前記ＣＮ活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】センサ素子領域が形成されない領域を抑制し、センサ素子領域を広く確保したチップを形成することができる、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０では、センサ素子領域２２の短辺側のみにガードリングパターン２４ａが設けられた第１エリア２０と、センサ素子領域２２の長辺に沿うような形状、かつガードリングパターン２４ａと接続されるように両端部が鉤状に曲折したガードリングパターン２４ｂを線対称に一対形成された第２エリア４０と、が形成されている。当該フォトマスク１０を用いてウエハ基板５０上に露光装置のブラインド機能を用いて各領域を露光する際は、ガードリングパターン２４ａの端部及びガードリングパターン２４ｂの端部が接続されるように繰り返し露光すると共に、ガードリングパターン２４ａの端部同士が接続されるように繰り返し露光する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１内に形成された光電変換部（ＰＤ）２と、ＰＤ２の上方に形成されたカラーフィルタ７と、カラーフィルタ７上方に形成されたマイクロレンズ８と、マイクロレンズ８とＰＤ２との間に形成され、マイクロレンズ８で集光された光をＰＤ２に導く光導波部９とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、光導波部９を形成する工程は、基板１上方に、ＰＤ２上方に凹部５Ｋを有する絶縁膜５を形成する第一の工程と、絶縁膜５上に、絶縁膜５よりも屈折率が高くかつＰＤ２上方に凹部５Ｋ内にまで達する凹部６Ｋを有する高屈折率材料膜６を形成する第二の工程と、高屈折率材料膜６上に、高屈折率材料膜６よりも屈折率が低くかつ凹部６Ｋを埋めるカラーフィルタ７を形成する第三の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ₃（ｂ）Ｈ₂Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ₂層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ₂層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ₂層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ₂層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ₂層が露出する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面から貫通孔絶縁層が後退した場合においても、半導体層と貫通電極との絶縁性を確保する。
【解決手段】貫通孔６には、貫通孔絶縁層７、８を介して貫通電極９が埋め込まれ、貫通孔絶縁層７、８は、半導体層３の表面から後退するようにして形成され、半導体層３と貫通電極９との間には、貫通孔絶縁層７、８の後退部分の対応した凹部１０が形成され、貫通電極９の側壁には、凹部１０に埋め込まれたサイドウォール絶縁膜１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】300℃以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃未満の熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の外周での配線層の露出を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の第１の面に活性層を形成し、活性層上に配線層を形成して、配線層を覆うように絶縁層を形成する。そして、絶縁層を介して半導体基板の第１の面と支持基板とを接合し、支持基板に接合された半導体基板を、活性層を第２の面側から覆う所定の厚さの前記半導体基板を残して薄厚化する。薄厚化後の半導体基板の第２の面の外周部および側面に保護膜を形成して、保護膜が形成されていない領域の半導体基板を、活性層が露出するよう除去する。 （もっと読む）

【課題】生産性、組成均一性を向上させることができ、かつ低温アニール時に低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、GaおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜であって、In,Gaの組成比が3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10であり、かつ、抵抗率が1Ωcm以上、1×10⁶Ωcm以下を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の透過率特性に生ずるリップルを抑制することが可能な、カラーフィルタを具備しない固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトダイオード１３上に、第１の層間絶縁膜１８、第１のメタル配線１９、第２の層間絶縁膜２０、第２のメタル配線２１、パッシベーション膜２２を形成する工程と、第２のメタル配線２１間のパッシベーション膜２２上に複数の第１の開口部２６−１を有し、第２のメタル配線２１上のパッシベーション膜２２上に第２の開口部２６−２を有するレジスト層２７を、パッシベーション膜２２上に形成する工程と、レジスト層２７をマスクとして用いて、パッシベーション膜２２をエッチングし、第１の開口部２６−１に微小突起２３を形成する工程と、これによって第２のメタル配線２１上のパッシベーション膜２２に形成された開口部２８に電極パッドを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、パッドからの外来ノイズの混入を低減する。
【解決手段】 光電変換素子が主面に配された第１基板と、第１配線構造と、周辺回路の少なくとも一部が主面に配された第２基板と、第２配線構造と、を有し、第１基板、第１配線構造、第２配線構造、及び第２基板がこの順に配置された固体撮像装置において、固体撮像装置は周辺回路部を駆動するための電圧が供給されるパッドと保護ダイオード回路とを有し、保護ダイオード回路は前記第２基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】異なる高さのマイクロレンズを有する固体撮像装置を、製造工程を増加させることなく製造可能な固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上の透明樹脂層を露光する工程と、互いに高さが異なる第１、第２の樹脂パターンを形成する工程と、互いに高さが異なる第１、第２のマイクロレンズを形成する工程と、を具備する固体撮像装置の製造方法。露光する工程は、第１の透過領域、およびこの領域よりも高い透過率の第２の透過領域を有するグレーティングマスクを用いて透明樹脂層を露光する工程である。第１、第２の樹脂パターンを形成する工程は、透明樹脂層を現像することにより、第１の樹脂パターンおよびこのパターンよりも低い第２の樹脂パターンを形成する工程である。第１、第２のマイクロレンズを形成する工程は、第１の樹脂パターンおよび第２の樹脂パターンを熱処理することにより、第１のマイクロレンズおよびこのレンズよりも低い第２のマイクロレンズを形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】表面側の受光センサと裏面側のマイクロレンズおよびカラーフィルタとのアライメント精度をより上げる。
【解決手段】裏面照射タイプにおいて、受光センサ４に対するアライメントマークと同一のアライメントマークを基準として基板表面に位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）形成する。裏面加工時に、素子分離膜７の表面上まで開口された開口部３Ａを通して透明な素子分離膜７下の位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）をよりはっきりと確認しつつ、位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）に基づいて、基板表面側フォトダイオードである受光センサ４に対して基板裏面側のマイクロレンズ６およびその下のカラーフィルタ５をアライメント精度をより上げて形成することができる。 （もっと読む）

【課題】集光率を向上できると共に、エッチングダメージ層の形成を防止する。
【解決手段】固体撮像装置は、画素部４０と周辺回路部５０を有する半導体基板１と、画素部の上部に形成されたフォトダイオード（ＰＤ）部３及びフローティングディフュージョン（ＦＤ）部２０と、周辺回路部の上部に形成された複数のソース／ドレイン領域１８と、画素部及び周辺回路部の上に形成されたゲート絶縁膜４と、ＰＤ部とＦＤ部との間に形成された転送ゲート電極５と、各ソース／ドレイン領域同士の間に形成された周辺ゲート電極６と、ＰＤ部の上を覆うように形成された反射防止膜１３と、転送ゲート電極の側面に形成された第１のサイドウォール１５と、周辺ゲート電極の側面に形成された第２のサイドウォール１６とを備えている。反射防止膜、第１のサイドウォール及び第２のサイドウォールは、酸化膜と窒化膜とを含む積層膜である。 （もっと読む）

【課題】撮像素子前面に貼り付ける透明基板の下に空隙を必要とせず、また、接着材として屈折率に依存しない透明樹脂を選択できるようにした小型，薄型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１２１と、半導体基板１２１の光入射側上層に積層された光電変換膜１３０と、半導体基板１２１の表面部に形成され光電変換膜１３０が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段（図示省略）と、光電変換膜１３０の光入射側上層に透明樹脂を接着材として貼り付けられた透明基板（図示省略）と、前記信号読出手段に配線接続され半導体基板１２１に貫通して設けられると共に半導体基板１２１の光電変換膜１３０が設けられた面と反対側の面に露出して設けられた電気的接続端子１１３とを備える。 （もっと読む）