【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】画素の開口をより広くすることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子を構成する基板には、被写体からの光を光電変換し、その結果得られた信号電荷を蓄積する受光部と、受光部から信号電荷を読み出すときに電圧が印加される第１転送電極とが隣接して設けられている。第１転送電極には、第１転送電極の一部を覆うように第１遮光膜が形成され、さらに第１遮光膜の表面の一部には第２遮光膜が形成されている。信号電荷の読み出し時には、これらの第１遮光膜と第２遮光膜を介して第１転送電極に電圧が印加される。第１転送電極に形成する遮光膜を、第１遮光膜と第２遮光膜に分けて形成することで、所望の形状の遮光膜を簡単に形成することができ、画素の開口をより広くすることができる。本技術は、撮像ユニットに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数方向の被写体を撮像することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、光電変換素子が形成されるシリコン基板と、前記シリコン基板の表面側に形成される配線層とを備え、前記光電変換素子が、前記表面側から前記配線層を介して入射される光を光電変換するとともに、前記シリコン基板の裏面側から前記配線層を介さずに入射される光を光電変換する。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、製造方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズをアレイ状に整列使用した固体撮像装置において、該マイクロレンズを除く部分の平坦性を厳しく制御するための繁雑な工程による平坦化層を特別に必要とせずに、均一な特性を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部の各画素別の光電変換素子に対応して配置されるマイクロレンズで集光する固体撮像装置において、封止パッケージ用のキャップガラスの光電変換素子側内面にマイクロレンズを配置する。特にリニアセンサーに適している。 （もっと読む）

【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口２２aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率ｒの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をＳとしたとき、マスク開口52の開口面積Ｓｍが、Ｓｍ＜Ｓ／ｒであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 （もっと読む）

【課題】光が暗基準領域に衝突することを防止しつつ、終結していない結合の不動態化を可能にして、画像における暗レベルの向上した較正を可能にするＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】画像センサであって、該画像センサは、撮像アレイと、暗基準領域と、第１の実質的に不透明な光シールドと、第２の実質的に不透明な光シールドとを備え、該暗基準領域内において、該第１の光シールドにおける該開口部は、感光性エリアまたはＶＣＣＤ領域の上に配置され、両方の上には配置されず、該第１の光シールドにおける該開口部が、感光性エリアの上に配置される場合、該暗基準領域における各感光性エリアは、該感光性エリアの上に２つ以上の開口部を有しておらず、該第１の光シールドにおける該開口部が、ＶＣＣＤ領域の上に配置される場合、該暗基準領域における各ＶＣＣＤ領域は、該ＶＣＣＤ領域の上に２つ以上の開口部を有していない、画像センサ。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる固体撮像装置及び情報端末装置を提供する。
【解決手段】入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する複数の画素が２次元的に配置され、前記複数の画素の前記第１面によって上面１１が形成され、前記複数の画素の前記第２面によって裏面１２が形成された撮像基板１０と、前記撮像基板１０の前記上面１１側に設けられた遮光部材１３と、を備える。前記複数の画素は、前記遮光部材１３の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材１３によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第２面に形成されたＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】絞り機能を有し、しかも生産性にも優れる光学フィルタ、また、そのような光学フィルタを用いた高信頼性の撮像装置を提供する。
【解決手段】光学フィルタ１００は、被写体または光源からの光が入射する撮像素子が内蔵された撮像装置に用いられる光学フィルタである。光学フィルタ１００は、被写体または光源と撮像素子との間に配置された、入射光に対し透過性を有するフィルタ本体１０と、この光学フィルタ本体１０の少なくとも一方の面に光硬化性樹脂により一体に形成された、撮像素子に入射する光の一部を遮断する遮光層２０とを有する。光学フィルタ本体１０には、光硬化性樹脂を硬化させる光を反射する機能層１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】焦点検出の精度、画質などを損なわずに、低コストで自由度の高い撮像素子を提供することができるようにする。
【解決手段】フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、金属製の遮光膜を有する複数の第１の画素と、フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、前記遮光膜を有しない複数の第２の画素とを備え、前記第１の画素および前記第２の画素に含まれるフォトダイオードの周囲が金属製の枠により覆われている。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＯＳ形成製造方法を用いながら、撮像性能向上に寄与するＰＤ形成用ウエル構造を実現する。
【解決手段】光を信号電荷に変換する光電変換領域を含む画素と、該画素が形成された画素領域外に、前記信号電荷を処理するための回路を含む周辺回路が同一基板上に配置された光電変換装置において、前記基板に形成された第一導電型の第１の半導体領域と前記信号電荷と同導電型である第二導電型の第２の半導体領域を含んで前記光電変換領域が形成され、第一導電型の第３の半導体領域を含んで前記周辺回路が形成されており、前記第１の半導体領域の不純物濃度は前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑制する。
【解決手段】センサチップは、複数のＰＤが配置された半導体基板を有している。信号処理チップは、センサチップに積層され、センサチップを駆動するためのロジック回路が形成された半導体基板を有している。そして、センサチップの半導体基板と、信号処理チップの半導体基板との間に、信号の送受信を行う配線を有する配線層が配置されており、その配線層において配線が形成されていない領域に、遮光性を備えた遮光膜が配設される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測できるようにする。
【解決手段】 イメージセンサは、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有し、イメージセンサが光量計測に用いられる場合、有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される。本技術は、光量計測に用いられるイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板１０１上に酸化膜で構成された絶縁膜１０２が形成され、当該絶縁膜１０２上に並べて形成された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層１０７と、受光層１０７上に形成された対向電極１０８とを有する固体撮像素子であって、画素電極１０４が、酸化窒化チタンで構成され、受光層１０７を形成する直前における画素電極１０４の組成が、（１）画素電極１０４全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上、又は、（２）画素電極１０４の基板１０１側から１０ｎｍまでの範囲或いは画素電極１０４の基板１０１側から画素電極１０４厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】画素密度が低くコストが低い撮像素子を用い、解像度の高い画像を得る撮像装置を提供する。
【解決手段】被写体５を撮像する撮像素子２１と、撮像素子２１の受光面に形成される遮光膜２６と、撮像素子２１を１画素より小さい単位ずつをずらした複数の撮像位置に段階的に移動させる駆動部３と、撮像素子２１の撮像によって得られる撮像情報を取得する記憶部７と、撮像位置ごとに算出した撮像情報の違いに基づき、被写体５の画素情報を１画素より小さい単位で算出する制御部４と、算出された画素情報を被写体の位置と対応付けて画像情報として記憶する記憶部７と、を備えた。 （もっと読む）