【課題】複数のフォトダイオードアレイの画素同士を分離するイメージセンサを提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード画素のうちの少なくとも１つのフォトダイオード画素は、光が、隣接するフォトダイオード画素の上に伝播することを回避する反射素子を含む。反射素子は、イメージセンサの配線に近接するフローティングコンタクトであってよい。反射素子は、反射素子の反射面を最大化するアスペクト比を有していてよい。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。
導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口２２aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率ｒの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をＳとしたとき、マスク開口52の開口面積Ｓｍが、Ｓｍ＜Ｓ／ｒであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第１の面及びそれと反対側の第２の面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１内のフォトダイオード１２と、半導体基板１１の第１の面側においてフォトダイオード１２の全体を覆い、半導体基板１１の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層１３と、半導体基板１１の第２の面の全体を覆い、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第１面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成され凹部３０を有するスペーサー部材２０と、スペーサー部材２０の凹部３０に向き合いスペーサー部材２０に支持される支持部材４０と、支持部材４０上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子６０と、を含み、凹部３０は、底面にスペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第１平面３１と、底面と支持部材４０との間に、スペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第２平面３２と、を備え、第１平面３１および第２平面３２に光を反射する反射膜３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子であるＴＦＴに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。
【解決手段】絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極と、該第１の電極上に配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の、光電変換素子が形成された一方の面とは反対側の他方の面から入射した光を一方の面に形成した反射膜により効率よく反射させることができ、これにより感度向上した固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２で生成された信号電荷を転送する転送トランジスタＴｔ１およびＴｔ２とを備え、該転送トランジスタのゲート電極１０７を、該光電変換素子を構成する電荷蓄積領域１０２の第１主面側の表面を覆うよう形成し、該転送ゲート電極１０７をポリシリコン層１０７ａとその表面を覆う高融点金属シリサイド層からなる反射膜１０７ｂにより構成した。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出素子のイメージセンサーには複数の画素があるが、シンチレータの発光が画素間に渡って拡散すると、撮像されたイメージの解像度が低下する。また基板からシンチレータが剥がれることを課題とする。
【解決手段】 複数の光検出部と、それぞれが複数の凸部を有する複数の凸領域とを備え、複数の凸領域のそれぞれが複数の光検出部のそれぞれと重なるように配列されている基板の上に、複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、シンチレータ層が形成された基板を降温し、シンチレータ層の隣り合う凸領域間の部分の積層方向に対応するシンチレータ層に亀裂を形成する工程とを有し、複数の凸領域は、特定の関係を満たす放射線検出素子およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】種々のＦナンバーの撮影レンズとの組み合わせにおいて感度の向上とクロストークの低減とに有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、第１マイクロレンズと、前記第１マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置された第２マイクロレンズとを含み、前記第２マイクロレンズは、中央部と、前記中央部を取り囲む周辺部とを含み、前記周辺部のパワーは、前記中央部のパワーよりも大きく、かつ、正の値を有する。 （もっと読む）

【課題】色再現性や入射角度依存性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】各画素に設けられ、光電変換が行われる受光部１と、１つの面に多層膜によりダイクロイックミラー４Ａ，４Ｂ，４Ｃが形成されており、受光部１の上方に設けられ、複数個を１組として、複数個の組み合わせにより入射光を複数の波長帯域の光に分離して、それぞれの波長帯域の光を異なる画素の受光部１に入射させる構成であり、ダイクロイックミラー４Ａ，４Ｂ，４Ｃの反射面の向きが撮像領域の中央線Ｃに対称となるように配置された、ダイクロイックプリズム１１，１２，２１，２２と、ダイクロイックプリズム１１，１２，２１，２２の下方で、かつ受光部上に配置された、カラーフィルタ２Ｂ，２Ｇ，２Ｒとを含む固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、記支持部材上に形成されている熱検出素子２３０と、熱検出素子と分離して、支持部材上における熱検出素子の周囲領域の少なくとも一部において形成されている光反射層２３５と、熱検出素子および光反射層上に形成されている光吸収層（２７０，２７２）と、熱検出素子と接続部ＣＮによって接続され、平面視で接続部よりも広い面積を有し、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有し、かつ光吸収層の内部に形成されている集熱部ＦＬを備える熱伝達部材２６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード３７を有するシリコン層３１と、シリコン層３１における受光面と逆側の他方の面上に設けられた配線層と、シリコン層３１内における他方の面側の表面層に設けられたＰ＋層４５とシリコン層３１内に設けられたＮ−型領域４１からなる光電変換領域と、光電変換領域よりも高濃度の第２導電型であって、シリコン層３１内におけるＰ＋層４５とＮ−型領域４１からなる光電変換領域との間に設けられたＮ＋領域４４とを備えた固体撮像素子である。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高い感度を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域を有する複数の画素と、半導体基板の第１面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造であって、画素分離構造は半導体基板の前記第１面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、積層膜は、トレンチの側面および底面に沿って設けられた第１絶縁膜と、第１絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜とを含む画素分離構造と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像撮影装置内の劣化を検知する。
【解決手段】放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）は、放射線を可視光に変換するシンチレータ（７４）と、可視光を電気信号に変換する光検出基板（７２）と、ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光を光検出基板（７２）に選択的に照射可能な光源（７８）とを有する。この場合、光源（７８）は、少なくとも２つの光のうち、一方の光をリセット光として光検出基板（７２）に照射し、他方の光を放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）内の劣化を検知するための劣化検知用光として光検出基板（７２）に照射することが可能である。 （もっと読む）