説明

Fターム[4M118HA20]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 実装 (9,089) | 装着 (3,758) | 装着物 (1,243)

Fターム[4M118HA20]の下位に属するFターム

Fターム[4M118HA20]に分類される特許

81 - 100 / 341


【課題】モジュール内の領域を活用して撮像素子モジュールを小型化すること。
【解決手段】ランドを有する配線パターンを第1の面側に備え、該ランドが第1の面の周縁近くに配された第1の配線板と、機能面が第1の配線板の側とは反対の側に向けられて上記第1の面上に設けられた固体撮像素子チップと、ほぼ矩形の板形状の対向する第1、第2の端面、別の対向する第3、第4の端面のうちの第1の端面上に導体部を備え、該導体部が上記ランドと電気的、機械的に接続されるように、該第1の端面の側が第1の面の側に向けられて第1の面の周縁近く上に電気的接続可能な接着剤を介して立設された第2の配線板と、固体撮像素子チップの受光部に対向して設けられたレンズの位置を支持し、かつ、第1の面の周縁付近から壁状に起立する起立部に、第2の配線板の第2、第3、第4の端面に沿う、該第2の配線板をはめ込む凹部を有しているレンズ支持部とを具備する。 (もっと読む)


【課題】第1の基板(素子基板)や第2の基板(シンチレータ基板)に割れ等が生じることを的確に防止することが可能な放射線検出パネルを提供する。
【解決手段】放射線検出パネル3は、表面4aに複数の光電変換素子15が二次元状に配列された第1の基板4と、放射線を光に変換するシンチレータ6、6が表面5aに形成され、当該シンチレータ6、6と複数の光電変換素子15とが対向する状態で配置された第2の基板5と、複数の光電変換素子15およびシンチレータ6、6の周囲の部分に配置され、第1の基板4と第2の基板5とを接着する接着剤22と、接着剤22に含まれ、第1の基板4と第2の基板5との間隔を確保する複数のスペーサSとを備え、複数のスペーサSは、それぞれ光電変換素子15およびシンチレータ6、6の厚さと略同一の径を有し、接着剤22の延在方向に略同一の間隔をおいて配置されている。 (もっと読む)


【課題】モジュール内のデッドスペースを活かし撮像素子モジュールを小型化すること。
【解決手段】第1、第2のランドを有する配線パターンを第1の面側に備えた第1の配線板と、受光部と端子パッドを含む非受光部とを有する機能面が第1の配線板の側とは反対の側に向けられこの配線板の第1の面上に設けられた固体撮像素子チップと、ほぼ矩形の板形状を有し、該板形状の対向する第1、第2の端面のうちの第1の端面上に導体部を備え、第2の端面の側が固体撮像素子チップの側に向けられて該固体撮像素子チップの非受光部上に接着剤を介して立設された第2の配線板と、第2の配線板の第1の端面上の導体部と第1の配線板上の第1のランドとを電気的に導通するように第1の端面上から第1の配線板の第1の面上まで延設された、電気線路を含む接続基材と、固体撮像素子チップの端子パッドと第2のランドとを電気的に導通させるボンディングワイヤとを具備する。 (もっと読む)


【課題】接続端子が配置された側の基板端部における破損を抑制する。
【解決手段】放射線変換層50を間に挟んでTFT基板16に対向して配置された対向基板40が、接続端子38、39が配置された側の基板端部16Aを平面視にて覆っている。これにより、基板端部16Aが変形しようとした場合でも、基板端部16A、接続端子38、39、その接続端子38、39に接続される配線35、37などが対向基板40に当接して基板端部16Aの変形が規制され、基板端部16Aの破損を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】製造作業やメンテナンス作業における作業性を向上させる。
【解決手段】第1筐体61及び第2筐体62の一方に対して他方を開放して、第1筐体61に配置されたTFT基板16及び放射線変換層50と、第2筐体62に配置された回路基板とにそれぞれアクセス可能にする。これにより、TFT基板16のスイッチ素子28子と回路基板54とを接続する等の製造作業や、TFT基板16及び回路基板54のメンテナンス作業における作業性が向上する。 (もっと読む)


【課題】放射線検出装置が減圧下におかれた場合でも、放射線検出装置内の密閉空間に残留する気泡の膨張を抑制する。
【解決手段】放射線変換層50が収容される密閉空間60は、外部の気圧が低下しても、体積に変化を生じない。このため、密閉空間60内に残留する気泡の膨張が抑制される。これにより、気泡膨張による放射線検出への影響が軽減される。 (もっと読む)


【課題】小型化された半導体モジュールを提供することができるとともに、効率よく光を受光することができる精度の良いカメラモジュールを提供する。
【解決手段】半導体モジュール1は、半導体素子11を備えた下側の配線基板10と、その半導体素子11に対応した位置に開口部21を有し、その開口部21の周辺に実装部品搭載可能領域を有する上側の配線基板20と、半導体素子11の周囲において複数のはんだボール30により電気的に接続されており、そのはんだボール30は遮光性のアンダーフィル31により覆われている。 (もっと読む)


【課題】サポート板材を用いて半導体装置の構成基板の強度を確保しつつ、当該サポート板材の側への端子取り出しによって小型軽量化の実現を可能とし、しかもその場合であっても構成基板に端子取り出し加工の悪影響が及ばないようにする。
【解決手段】一面に電極パッド15が配された半導体装置の構成基板12を形成する基板形成工程と、前記構成基板12を補強するためのサポート板材21にヴィアホール22を形成するとともに当該ヴィアホール22に導電材23を充填する板材形成工程と、前記構成基板12における前記電極パッド15と前記サポート板材21の前記ヴィアホール22に充填された前記導電材23が電気的に接続するように当該構成基板12と当該サポート板材21とを接合する接合工程と、を含んで半導体装置の製造を行う。 (もっと読む)


【課題】パルス系配線から信号出力配線へのクロストークの影響を回避するとともに、それぞれが発熱源となる固体撮像装置と周辺回路から伝搬してくる熱を効率良く放出させ、良好な画質を得ることができる光学デバイスモジュールを実現する。
【解決手段】固体撮像装置Aと、固体撮像装置Aの周辺回路3,4が搭載された回路基板Bとを有し、回路基板B上で固体撮像装置Aへの定電圧電源配線Lvとグランド配線Lgおよび固体撮像装置Aからの信号出力配線Loが周辺回路3,4に接続され、さらに、回路基板B上で、信号出力配線Loが定電圧電源配線Lvとグランド配線Lgとの間に配置され、かつ、信号出力配線Loに接続された信号出力端子Toが周辺回路3,4と固体撮像装置Aとの間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性の向上、小型化、薄型化、軽量化を図る上で有利な撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】撮像装置24は、配線基板36と、配線基板36の一方の面に配置された枠体38と、配線基板36の一方の面で枠体38の内側に配置された撮像素子40と、枠体38上に配置された透明カバー42とを備えている。配線基板36と枠体38は、熱硬化型接着剤2により取着され、配線基板36に貫通孔3602を設けている。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子の駆動に伴う熱を速やかに放熱することができる撮像ユニットを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる撮像ユニット1は、固体撮像素子2の受光部2aに対向する開口部3aが形成され、受光部2aと開口部3aとが対向する態様で固体撮像素子2をフリップチップ実装したプリント基板3を備える。プリント基板3の受熱部3cは、固体撮像素子2の駆動回路部2bに対向し、この固体撮像素子2が発する熱を接着剤4を介して受ける。プリント基板3の放熱層3dは、この受熱部3cが受けた固体撮像素子2の熱をプリント基板3の外部に放熱する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子チップから発生した熱をユニット外部に容易に放熱でき、これによって、半導体素子チップの温度上昇を抑制して半導体素子チップの機能低下を防止することができること。
【解決手段】本発明にかかる撮像ユニット6は、固体撮像素子チップ11を実装する回路基板12と、固体撮像素子チップ11の裏面に面接触して固体撮像素子チップ11から受けた熱を放熱する放熱部材13と、固体撮像素子チップ11の裏面に放熱部材13を押し付けて保持する保持枠14と、を備える。放熱部材13は、柔軟な帯状部材であり、保持枠14の内部から外部に延出する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、小型固体撮像装置において製造時や製品完成後の固体撮像素子基板の傾きや反りによる配線パターンの絶縁発生を防ぎ、品質を向上させることを目的とする。
【解決手段】貫通開口部を有する絶縁性構造体に、前記貫通開口部を塞ぐように固体撮像素子基板を装着し、固体撮像素子基板の固定用として、第1の接着剤と第2の接着剤の2種類が形成する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子の高画質撮像機能を損なうことなく、固体撮像素子の熱を効率よく放熱することができること。
【解決手段】本発明にかかる撮像ユニット1は、ベアチップ状態の固体撮像素子2と、このベアチップ状態の固体撮像素子2を搭載する回路基板3と、この固体撮像素子2の熱を放熱する放熱部材5とを備える。回路基板3には固体撮像素子2の受光部2aに応じた開口部3bが形成される。固体撮像素子2は、この開口部と受光部2aとを対向させた態様で回路基板3にフリップチップ実装される。放熱部材5は、金属部材である複数の接合部材4によって固体撮像素子2の裏面に接合される。この放熱部材5は、複数の接合部材4を介して固体撮像素子2から熱を受け、この受熱した固体撮像素子2の熱を外部に放熱する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板の貫通孔に形成される貫通電極において、シリコン基板と導電体層との間に発生するショート不良を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板10の第1の主面に撮像素子21が形成され、シリコン基板10の第1の主面に対向する第2の主面上にハンダボール18が形成されている。シリコン基板10に開けられた貫通孔内に絶縁膜35が形成され、貫通孔内の絶縁膜35上に貫通電極36が形成されている。シリコン基板10の第1の主面上及び貫通電極36上に層間絶縁膜23が形成され、層間絶縁膜23上に内部電極32が形成される。貫通電極36と内部電極32との間の層間絶縁膜23内に、貫通電極36と内部電極32とを電気的に接続するコンタクトプラグ37が形成されている。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化および耐久性の低下を抑制しつつ、移動対象物を変位させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】駆動装置であって、移動対象物を有する移動対象物層と、移動対象物層の一主面側に接合され、移動対象物層を所定方向に引っ張る第1弾性部を有する第1弾性部材層と、移動対象物層の他主面側に接合され、移動対象物層を上記所定方向とは反対方向に引っ張る第2弾性部を有する第2弾性部材層と、移動対象物に対して上記反対方向に力を付与することで、移動対象物を上記反対方向に移動させるアクチュエータ層とを備える。そして、第1弾性部の剛性が、第2弾性部の剛性よりも相対的に高くなるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】基板に実装される回路部品からの熱が固体撮像素子に直接伝達されないようにして、固体撮像素子の画素中における熱ノイズの発生を防止する。
【解決手段】第二主面1bに固体撮像素子2が搭載されるガラス基板1と、第一主面3aにガラス基板1が積層されると共に、第二主面3bに、固体撮像素子2と電気的に接続されて所要の回路を構成する回路部品4が中央部に配置される第一基板3と、第一基板3における第二主面3bの周縁部に積層されて、前記所要の回路を外部回路に接続するための枠型の第二基板6とを備えた撮像装置であって、第一基板3の第一主面3aとガラス基板1の第二主面1bとの間、及び第一基板3の第二主面3bと第二基板6の第一主面6aとの間に介挿部材9を設けて、第一基板3と固体撮像素子2との間、及び第一基板3と第二基板6との間に隙間Hを形成する。 (もっと読む)


【課題】電磁波の照射を受けて直接電荷を発生する光導電層を備えた放射線固体検出器において、バイアス電極の端縁部における光導電層の劣化を抑制する。
【解決手段】電磁波に対して透過性を有する第1の電極層(バイアス電極)11と、電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層12と、複数の分割電極を備えた第2の電極層13とを、第2の電極層13から順にガラス基板14上に積層してなり、第1の電極層11および光導電層12を保護するように、保護フィルム21が貼付されてなる放射線固体検出器10について、第1の電極層11の端縁部の上方において、電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽部材22を保護フィルム21上に設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の割れの発生を抑制しつつ、改質領域を容易に形成することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1aの製造方法は、互いに対向する表面3a及び裏面3bを有する半導体基板3と、半導体基板3の裏面3b側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板3とのpn接合によりフォトダイオードを構成する複数のp型半導体領域5と、を備えるフォトダイオードアレイを準備する工程と、半導体基板3の裏面3b上に配線基板81を配置する工程と、配線基板81を配置する工程の後、半導体基板3の所定位置に集光点Fを合わせて表面3a側からレーザ光Laを照射することによって改質領域50を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の耐久性の低下を抑制しつつ、ノイズの発生を抑制することが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ1は、互いに対向する表面3a及び裏面3bを有するn型の半導体基板3と、半導体基板3の裏面3b側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板3とのpn接合11によりフォトダイオード13を構成する複数のp型半導体領域5と、裏面3b側において、隣接するp型半導体領域5間に配置されていると共に、半導体基板3よりも不純物濃度が高く設定されているn型半導体領域7と、を備え、半導体基板3には、表面3aとn型半導体領域7との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面3a及びn型半導体領域7に達することなく改質領域50が形成されている。 (もっと読む)


81 - 100 / 341