【課題】分割出力されたセンサ信号の合成を行う際の処理を容易とするイメージセンサユニットを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤからのセンサ信号をシフトレジスタＳＲにより２以上に分割して転送する光電変換素子１３を複数個備え、それらの光電変換素子１３_ｋからのセンサ信号を２以上のチャンネルで出力すると共に、光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを分割された２回目以降のセンサ信号の転送開始の制御信号とするイメージセンサユニット４であって、光電変換素子１３_ｋを最大数備えたチャンネルにおける終端に位置する光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを、光電変換素子１３_ｋの全てに入力する。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】 所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】高ダイナミックレンジイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１の基板１２上に、複数の画素１８であって、各画素が光検出器を有する画素と、前記複数の光検出器に接続する複数の読み出し回路であって、各読み出し回路が、この読み出し回路に接続する少なくとも１つの光検出器の充放電装置を有し、各充放電装置は、充放電の作動信号によって制御して前記読み取り回路に接続する各画素の前記光検出器の積分時間を課す回路とを有する。第１の基板１２とは異なる第２の基板１４を有し、この第２の基盤上には充放電装置の制御電子回路３０、３２、３４を配置し、この回路は、第１の基板１２と第２の基板１４との間の電気接続１６を介して充放電装置に転送するための充放電の作動信号を生成するように設計し、各画素または画素群は作動信号に接続して固有かつ適切な積分時間をこの画素または画素群に課す。 （もっと読む）

【課題】 三次元積層構造を持つ半導体装置において、積層された半導体回路層間の積層方向の電気的接続を、埋込配線を使用して容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体回路層１ａの半導体基板１１の表面に、絶縁膜１４で内壁面が覆われたトレンチ１３を形成し、トレンチ１３の内部に導電性材料を充填して導電性プラグ１５を形成する。次に、トレンチ１３とは重ならないように所望の半導体素子を基板１１の表面または内部に形成し、その上に層間絶縁膜１９を介して多層配線構造３０を形成してから、多層配線構造３０の表面にプラグ１５に電気的に接続されたバンプ電極３７を形成する。そして、電極３７を用いて基板１１を支持基板４０に固定してから基板１１をその裏面側から選択的に除去し、絶縁膜１４を基板１１の裏面側に露出させる。基板１１の裏面側に露出せしめられた絶縁膜１４を選択的に除去してプラグ１５を露出させ、その端に電極４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積センサアレイを集積回路に接続しセンサ積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１の面１６と第２の面１８とを有しセンサアレイ１４の第２の面上に配置された第１の複数の接触パッド２０を含むセンサアレイを設け、第１の面と第２の面とを有し再配線層２４の第１の面上に配置された第２の複数の接触パッド３２を含む再配線層２４と集積回路２６の第１の面が再配線層の第２の面に作用的に結合されていて複数の貫通ビア３０が貫設されている集積回路２６とを含む相互接続層上にセンサアレイ１４を配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドが再配線層の第１の面上の第２の複数の接触パッドと位置合わせされるようにセンサアレイ１４を相互接続層上に配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドを再配線層２４の第１の面上の第２の複数の接触パッドに作用的に結合してセンサ積層体を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッケージレス構造の固体撮像素子を高速動作させる際に生じる熱ノイズを低減して画質劣化を防止することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を受光する受光面８を有するセンサチップ５と、センサチップ５の受光面８側に配置されるとともに、センサチップ５と電気的に接続される配線を有するガラス基板６とを備えるセンサモジュール７と、センサモジュール７を収容する筐体の支持部１４と、支持部１４に支持されて、センサチップ５をガラス基板６方向に向けて弾性的に押圧するとともに、センサチップ５の熱を支持部１４に伝える押圧部材１５と、を備えること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも２種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に設ける位置合わせ用のアライメントマークの配置位置による制約を解消し、半導体基板同士の実装精度を向上させるイメージセンサ用基板を提供する。
【解決手段】 端子部４及び回路配線パターン１ｄを有して回路を形成した半導体基板１と、半導体基板１の長手方向に直線的に設けられ、光を光電変換する多数の光電変換部２と、光電変換部２から出力された電気信号を端子部４から出力する、光電変換部２と端子部４との間に設けられた駆動回路部３と、光電変換部２に選択的に配置され、光を透過させる光学波長の異なる複数の光学フィルタ５と、半導体基板１を載置するセンサ基板７と、センサ基板７に設けた基準マーク７ａと、駆動回路部３の領域にある半導体基板１の回路配線パターン１ｄで形成された光反射パターン部６と、光反射パターン部６を除いて駆動回路部３を覆い、複数の光学フィルタ５が積層された光遮光膜とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数の検出器ブロックを並べて光学的にしかも機械的に正確に配置することができ、ノイズの影響を受けにくい画像撮影装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線１００を発生するＸ線発生源を備える画像撮影装置１０は、Ｘ線１００を受けて光に変換するシンチレータ５３と、光を電気信号に変換する光検出器５４と、電気信号をデジタル信号に変換するデータ収集部５５とを有する検出器ブロック５２と、複数の検出器ブロック５２を配列して固定する固定部材７０と、基板６３と、複数の検出器ブロック５２の背面に略平行に挿通され、複数の検出器ブロック５２におけるデータ収集部５５の電気端子７３と基板６３とを電気的に接続する電気接続手段６１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 転送トランジスタからの暗電流を抑制しつつ、第２の半導体基板の低電源圧化を両立する。
【解決手段】 本発明は、画素配列と複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線と、複数の転送トランジスタを順次駆動するための転送用走査部と、前記共通出力線へ出力された信号を処理する信号処理部と、を有し、前記画素配列が第１の半導体基板に配され、前記複数の共通出力線及び前記信号処理部が第２の半導体基板に配された固体撮像装置であって、前記転送トランジスタのゲートに供給されるパルスの振幅を、前記第２の半導体基板に配された前記信号処理部を構成するトランジスタのゲートに供給される振幅よりも大きくするためのレベルシフト部を有し、該レベルシフト部が前記第１の半導体基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】大面積のモジュール式センサアレイ組立体を形成する。
【解決手段】センサから集積回路（１０６）へ信号を伝えるインターポーザ内のルーティングを有するモジュール式でタイリング可能なセンサアレイ（１０１）。大面積のモジュール式センサアレイ組立体は、ともに結合された１つ以上のタイリング可能なモジュールを含む。タイリング可能なモジュールは、センサを形成する複数のトランスデューサセル（１０３）と、複数のトランスデューサセルの第１の面上に結合されたインターポーザと、インターポーザの第２の面に結合された１つ以上の集積回路とを有し、インターポーザは、複数のトランスデューサセルの集積回路への接続を形成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】デジタルスチルカメラ、ビデオカメラあるいはカメラ付携帯電話などの撮像機能を備えた電子機器を更に小型軽量化することができる、超小型の半導体イメージセンサ・モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板５１の第１の主面５１ａ側に信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、半導体基板５１の第２の主面５１ｂを光入射面として第１の主面５１ａから第２の主面５１ｂに至るように形成された光電変換領域ＰＤを有する半導体イメージセンサを少なくとも具備し、半導体イメージセンサが透明基板上に、半導体イメージセンサの第２の主面５１ｂと該透明基板とが対向するように固定され、半導体イメージセンサの第１の主面５１ａ側の面上に支持基板５５が貼り合わせられ、支持基板５５を貫通し、配線層５４側の絶縁膜５２を介する導電プラグ５６に接続するように支持基板５５の表面上に電極パッド４５が形成された半導体イメージセンサ・モジュール。 （もっと読む）

【課題】信号処理回路から熱によって、画素回路の性能が劣化することを抑制することができると共に、画素回路および信号処理回路とをそれぞれ最適な製造プロセスで製作することができる固定撮像素子を提供する。
【解決手段】固定撮像素子１００は、第１主表面１０１および第２主表面１０２を含むガラス基板１０３と、集光部１１０および画素回路１１２を含む画素回路チップ１１３と、画素回路１１２からの信号を処理する信号処理回路が形成された信号処理回路チップ１２１とを備え、画素回路チップ１１３は、第１主表面１０１から間隔をあけて配置されると共に、集光部１１０が第１主表面１０１と対向するように配置され、信号処理回路チップ１２１は、第１主表面１０１に設けられると共に、集光部１１０とガラス基板１０３との間に位置する領域Ｒから離れた位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】複数個の固体撮像素子を並べて配置したリニアセンサの読み出しが、簡単な制御で高速に行えるようにする。
【解決手段】複数の固体撮像素子１０，２０，・・と、各固体撮像素子にパルスを供給するタイミング制御部３とで構成される。各固体撮像素子は、受光部と、転送制御部１３，２３，・・と、出力回路１２，２２，・・とを有する。転送制御部は、素子選択用パルスの入力で、信号電荷を転送レジスタから読み出す制御を行うと共に、固体撮像素子の切換えタイミングパルスに同期して素子選択用パルスを遅延させて別の固体撮像素子に出力させる。タイミング制御部は、１つの固体撮像素子の転送制御部に、切換えタイミングパルスの整数倍の周期に対応した時間をあけて、素子選択用パルスを少なくとも２回出力させて、２系統以上の同時出力が行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサチップを長手方向に複数配列してなる１ラインのラインセンサにおいて、イメージセンサチップ間の光電変換素子の存在しない隙間部分に相当する欠損画素を補間する。
【解決手段】イメージセンサチップ１１２１の回路基板３０の主走査方向における一方の端部に突出部３１が形成され、回路基板３０の主走査方向におけるもう一方の端部の、上記突出部３１に対応する位置には後退部３２が形成されており、イメージセンサチップ１１２１が主走査方向に複数直線状に並べられたときに、隣り合うイメージセンサチップ１１２１の突出部３１と後退部３２とは互いに嵌まり合う。当該突出部３１上において、光電変換素子列４０から副走査方向に所定距離離れた位置には、イメージセンサチップの繋ぎ目部分における画素欠陥領域の画素を補間するための補間用光電変換素子５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】センサチップからＳＴパルスの入力端子を削減できる密着イメージセンサを提供すること。
【解決手段】パルス入出力回路７は、当該センサチップの外部から時系列パルス６として入力されるライン同期パルス（ＳＴパルス）と出力開始タイミングパルス（ＴＯＵＴパルス）とを識別し、識別したＳＴパルス１１は当該センサチップの内部に入力するとともに外部へ出力し、識別したＴＯＵＴパルス１２は当該センサチップの内部に入力し、前記外部へ出力したＳＴパルスに後続するパルスとして、当該センサチップの内部から出力されるＴＯＵＴパルス１３を当該センサチップの外部へ出力する。外部には時系列パルス１４が出力される。 （もっと読む）

【課題】 モジュール間のギャップに因る信号歪が少なく、ギャップ分のデータ補間が容易で、且つ、製造も容易な放射線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線検出器３０は、シンチレータ３１と、夫々が２次元に配列された画素を画成し、かつ夫々がシンチレータからの光信号を規定サイズの画素毎に電気信号に処理する処理回路を実装した回路基板３２〜３５と、を備える。シンチレータでは、所定サイズのシンチレータ要素を行方向及び列方向の少なくとも一方に２つ以上、平面状に配置される。シンチレータ及び回路基板の対を一つのモジュールとして、行方向及び列方向の少なくとも一方に２つ以上、平面状にかつ隙間を持たせて配置される。各モジュールは、互いに隣接する２つのモジュールの間に存在する隙間に因る画素不存在の領域が、規定サイズの隣接方向における値の整数倍になるように、前記規定サイズの前記隣接方向の値よりも小さい値に設定したサイズの画素の並びを当該隣接方向における最外側の端部に有する。 （もっと読む）