【課題】高速かつ精度の高いデータ読出動作を実行可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】センスアンプＳＡ０、増幅ユニット５５と、トランジスタＱＶ１，ＱＶ２の他方導通端子との間にキャパシタＣ１，Ｃ２を設ける。また、センスアンプＳＡ１は、増幅ユニット５５＃と、トランジスタＱＶ１＃，ＱＶ２＃の他方導通端子との間にキャパシタＣ１＃，Ｃ２＃を設ける。また、ノードＮ１ａ，Ｎ１ｂとの間にトランジスタ８０を設ける。また、ノードＮ２ａ，Ｎ２ｂとの間にトランジスタ８１を設ける。偶数行のメモリセルについてのデータ読出の場合には、ビット線／ＢＬｊ，／ＢＬｊ＋１は、低抵抗Ｒｍｉｎ、高抵抗Ｒｍａｘのダミーメモリセルと接続される。そして、偶数行のメモリセルについてのデータ読出の場合には、トランジスタ８１が導通する。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能で、データ保持の信頼性が高い磁気半導体メモリを提供する。
【解決手段】本発明の磁気半導体メモリは、ＭＴＪ素子２を含むメモリセル１と、Ｙ軸方向に延設された配線１１、１２とを具備する。配線１１の中心線１１ａは、ＭＴＪ素子２から＋Ｘ方向にずれており、且つ、配線１２の中心線１２ａは、ＭＴＪ素子２から前記−Ｘ方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】効率のよいレイアウトを提供する。
【解決手段】記憶装置であって、複数のワード線WLと、複数のワード線WLに交差する複数のデータ線DLと、複数のワード線WLと複数のデータ線DLとの交点に配置され、記憶情報に応じて抵抗が変化する記憶素子とＭＯＳトランジスタをそれぞれ含む複数のメモリセルMCとを備え、ＭＯＳトランジスタは、ソースとドレイン間の電流経路が対応する複数のデータ線の一つに対して斜めに形成される構造FLを持ち、複数のワード線のうちの選択されたワード線に接続された複数のメモリセルが選択される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置のストレージ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】下部電極２００、下部電極上の第１トンネリング絶縁膜２１０、第１トンネリング絶縁膜２１０上の中間電極２５０、中間電極２５０上の第２トンネリング絶縁膜２６０及び第２トンネリング絶縁膜２６０上の上部電極２８０を備える不揮発性記憶装置のストレージである。第１トンネリング絶縁膜２１０及び第２トンネリング絶縁膜２６０は、５Åないし２０Åの厚さを有する金属酸化膜から形成され、数十ナノサイズのストレージと数Åないし数十Åの厚さを有する絶縁膜を使用することによって、マルチビットの保存及び高集積が容易であり、高速動作速度及び低消費電力を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】より費用対効果の高い製造環境で、実用的な磁壁メモリ構造を製造すること。
【解決手段】書き込み／読み取り機能を備えた磁壁メモリ装置は、内部に複数の磁区を有する強磁性材料から形成された伸長トラックをそれぞれが備える、複数の共面シフト・レジスタ構造であって、さらにこのシフト・レジスタ構造が磁壁の配置を容易にするために内部に複数の不連続部を有する、複数の共面シフト・レジスタ構造と、それぞれのシフト・レジスタ構造に関連付けられた磁気読み取り要素と、それぞれのシフト・レジスタ構造に関連付けられた磁気書き込み要素であって、さらにこの磁気書き込み要素がそれぞれの共面シフト・レジスタ構造の縦軸とほぼ直交する縦軸を有する単一の書き込みワイヤを備える、磁気書き込み要素と、を含む。 （もっと読む）

【課題】セル面積を縮小する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、側面と上面とを有する段差部が形成された半導体基板１１と、段差部の側面上にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極Ｇと、段差部の上面内に形成されたドレイン拡散層２４と、ドレイン拡散層より下方の半導体基板内にドレイン拡散層と離間して形成されたソース拡散層１８と、ドレイン拡散層に接続され、磁化方向が固定された固定層３１と磁化方向が反転可能な記録層３３と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層３２とを有し、固定層及び記録層の間に流す電流の向きに応じて固定層及び記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子に接続されたビット線ＢＬを具備する。 （もっと読む）

【課題】種類の異なる磁気メモリ素子の個々の特性を有効に活用できる半導体装置およびその製造方法ならびに素子特性が多様な磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】半導体装置は、フリー層ＭＦを含む磁気トンネル接合ＴＭＲを有し、ＴＭＲの近傍に流れる電流が発生する磁場によって、フリー層ＭＦの磁化方向が制御される標準ＭＲＡＭと、フリー層ＭＦを含むＴＭＲを有し、ＴＭＲに供給されるスピン注入電流により、フリー層ＭＦの磁化方向が制御されるＳＴＴ−ＭＲＡＭとを備え、標準ＭＲＡＭおよびＳＴＴ−ＭＲＡＭが同一基板上に搭載される。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動現象を利用した磁気抵抗効果素子に関し、熱揺らぎに対する安定性を低下することなく、磁壁の移動速度を向上しうる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された固定磁化層３６と、固定磁化層３６上に形成された非磁性層４０と、強磁性層４２と、強磁性層４２上に形成された非磁性金属層４４と、非磁性金属層４４上に形成された強磁性層４６との積層体よりなる自由磁化層４８であって、複数の磁化記録領域６４を有し、磁化記録領域６４のそれぞれにおいて、強磁性層４２の磁化と強磁性層４６の磁化とが互いに反平行に結合しており、一の磁化記録領域６４が、非磁性層４０を介して固定磁化層３６と対向している自由磁化層４８とを有する。 （もっと読む）

【課題】低電流で動作を高速化することを可能にする記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して絶縁体から成る中間層を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７の外周部の周囲に、積層方向の磁化成分Ｍ２２を有する磁性層２２が配置されている、記憶素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁移動を利用した情報記録媒体において、磁化方向を有する磁区を含んで第１方向に形成された磁性層と、磁性層の下面に形成された軟磁性層と、を備える磁壁移動を利用した情報記録媒体である。これにより、磁性層の屈曲領域での磁壁を容易に移動させうる。 （もっと読む）

【課題】分離素子のない磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ。
【解決手段】磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ１０は、各々第１の複数の不揮発性磁気抵抗エレメント１３を含む複数のデータ列と、複数のデータ列に隣接して配置され、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントを含む基準列１２とを含む。第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントは直列に接続されている。基準列は、該直列接続された第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントの両端に結合された基準ビットラインＢＬ_ｒｅｆと、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントの全抵抗に基づいてＲｍａｘおよびＲｍｉｎ間の中間点抵抗を伝達するように前記直列接続された第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントに結合された基準ディジットラインＤＬ_ｒｅｆ０とを有する。 （もっと読む）

【課題】記憶密度を大幅に高めることが可能で、読み取り時間の短縮や消費電力の削減が可能な新規なメモリー装置を提供する。
【解決手段】メモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる。メモリーセルは、具体的には、例えば第１の強磁性層１１と第２の強磁性層１２とがスペーサ層１３を介して積層されてなり、第１の強磁性層１１の磁化の向きが固定されるとともに、第２の強磁性層１２の磁化の向きによりメモリー状態が切り換えられる。個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の２つの安定した配向の１つに対応している。これらの状態は記憶セル内にスピン偏極した電子流を注入することによりスイッチング可能である。 （もっと読む）

【課題】メモリ装置からのデータの読み出し時の誤書き込みの発生を低減する。
【解決手段】半導体記憶装置は、メモリセルアレイ４と、Ｒ／Ｗ制御回路５と、基準抵抗回路とを備える。メモリセルアレイ４は、それぞれワード線ＷＬｙ（ｙ＝０，１，…２ｎ，２ｎ＋１，…）、ビット線ＢＬｉｘ及びソース線ＳＬｉｘ（ｉ＝０，１，…，ｍ，…，Ｍ；ｘ＝０，１）に接続された複数の磁気抵抗素子に対してデータを記憶保持する。Ｒ／Ｗ制御回路５は、ビット線ＢＬｉｘ及びソース線ＳＬｉｘに印加される電圧を制御する。基準抵抗回路は、所定の基準抵抗値を発生する。Ｒ／Ｗ制御回路５は、メモリセルアレイ４からデータを読み出すとき、磁気抵抗素子の抵抗値が最大抵抗値Ｒｍａｘであるとき、基準抵抗回路に印加される電圧Ｖｏｕｔ＿Ｂ０，Ｖｏｕｔ＿Ｂ１を高くするように制御することにより、磁気抵抗素子に印加される電圧Ｖｏｕｔ０，Ｖｏｕｔ１を低下させる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性かつ低消費電力の磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリセル１の強磁性自由層１０１の面積よりも接続面積１１２の小さい上部電極１０８を強磁性自由層１０１に接続し、電流１０７の印加により磁気メモリセル上で不均一な磁界を発生することにより、低電流かつ書き込み誤り率の小さいスピントランスファートルク磁化反転を実現する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁化固着層、前記スペーサ層を構成する前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第２の金属層が前記絶縁層に変換された後の絶縁層、並びに前記第３の非磁性金属層の少なくとも一箇所に、イオン、またはプラズマを照射して、各層間の密着性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリセルのトンネル磁気抵抗素子を安定的に磁化するためのデータ書込電流の供給方式を提供する。
【解決手段】データ書込動作時において、磁化困難軸方向に沿ったデータ書込磁界を発生するためのデータ書込電流Ｉｐは選択行ＷＷＬに供給され、磁化容易軸方向に沿ったデータ書込磁界を発生するためのデータ書込電流±Ｉｗは選択列ＢＬ，／ＢＬに供給される。データ書込開始時において、データ書込電流±Ｉｗの立上がりは、データ書込電流Ｉｐよりも緩やか（時定数大）にされる。また、データ書込終了時には、データ書込電流±Ｉｗよりも先に、データ書込電流Ｉｐの供給が停止される。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭで一般的に用いられるページモード動作をＭＲＡＭデバイスに適用する際に好ましい構成を提供する。
【解決手段】ページモードでのデータ書込動作において、ロウサイクルで入力されたロウアドレスに対応する選択行のライトワード線ＷＷＬの活性化は、コラムサイクルごとに制御される。すなわち、ロウサイクルおよび各コラムサイクルの終了時には、各ライトワード線ＷＷＬを非活性化にて、書込データによらず一定方向に流されるデータ書込電流Ｉｐの供給は一旦停止される。これにより、各コラムサイクルで選択行のライトワード線ＷＷＬの活性化を維持する場合と比較して、磁気ノイズによるデータ誤書込の危険性を低下できる。 （もっと読む）

【課題】固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスのための方法および構造が提供される。
【解決手段】酸化物層は固定磁気電極と自由磁気電極の間にある。本発明では、導体が固定磁気電極に接続される。酸化物層は、電流誘導加熱により自由磁気電極の異方性を低下させるのに十分な電力消費を可能とするレベルの抵抗を有する。電流誘導加熱が、自由磁気電極をスイッチングさせるためにスピン転移トルクまたは磁界と組み合わせて使用される。 （もっと読む）

【課題】微小な電流差を高速にセンスするセンスアンプを実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるセンスアンプは、フリップフロップ接続される第１、第２、第３及び第４のＦＥＴ Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を有する。第５のＦＥＴ Ｍ７のドレインは、第１の入力ノードＩ１に接続され、ソースは、電源ノードＶｄｄに接続される。第６のＦＥＴ Ｍ８のドレインは、第２の入力ノードＩ２に接続され、ソースは、電源ノードＶｄｄに接続される。センス動作は、第１の入力ノードＩ１から第１の出力ノードＯ１を第１の電流Ｉdataにより充電し、かつ、第２の入力ノードＩ２から第２の出力ノードＯ２を第２の電流Ｉrefにより充電することにより開始される。第５及び第６のＦＥＴ Ｍ７，Ｍ８は、センス動作を開始した後にオンになる。 （もっと読む）