磁気メモリを提供する方法およびシステム。方法およびシステムは、磁気メモリセル、ローカルワードラインとグローバルワードライン、ビットライン、ならびにソースラインが設けられる。各磁気メモリセルは、磁気素子と該磁気素子に接続された選択デバイスとを含む。磁気素子は、第１および第２の方向に磁気素子を介してて駆動される第１および第２の書込電流によってプログラムされる。ローカルワードラインは選択デバイスに接続されており、第１の抵抗率を有する。グローバルワードラインは、ローカルワードラインの一部分に対応し、第１の抵抗率よりも低い抵抗率を有する。ビットラインは磁気素子に接続されている。ソースラインは選択デバイスに接続されている。各ソースラインは、２以上の磁気メモリセルに対応し、第１および第２の書込電流を伝導する。 （もっと読む）

【課題】高速に、かつ安定して情報を記録することができるメモリを提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７に対して、絶縁体から成る中間層を介して磁化固定層が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、情報の記録が行われる記憶素子３と、この記憶素子３に電気的に接続された導体２１とを備え、この導体２１の周囲に磁性体２２が設けられたメモリを構成する。そして、この磁性体２２により、導体２１を流れる電流Ｉによる磁界２３を強め、かつ記憶素子３の記憶層１７に漏れ磁界２３を印加させて、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きをずらす作用を生じるようにする。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入磁化反転を用いたメモリにおいて、高速動作時の低電流書き換え動作を実現し、メモリセル毎のばらつきを抑え、読み出しディスターブを抑える。
【解決手段】 書き換え前に弱いパルスを与えてスピンの状態を不安定にし、書き換え電流を低減する。書き換え電流がパルス幅により非線形に大きくなる領域で読み出しを行い、ディスターブを抑える。更に、ビット線電荷で注入スピン量を一定とした駆動方法によりばらつきを抑える。 （もっと読む）

【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１は、半導体基板２２上に形成された下部電極５５と、下部電極５５上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層５３と、電気磁気効果層５３上に形成された上部電極５１と、上部／下部電極５１、５５間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層５３の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層５７とを有している。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる磁気メモリ装置を提供することにある。
【解決手段】 合成磁場発生用電流通電回路８から供給する高周波電流Ｉａの周波数を、第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れているときに、複数の磁気記憶セル１ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。そして第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れておらず且つ第２の書き込み導体線７に高周波電流Ｉａが流れている１以上の交差点に対応して配置された１以上の磁気記憶セル１の磁化状態を反転させることがないように、第２の書き込み導体線７に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。 （もっと読む）

【課題】高速読み出しが可能なＭＲＡＭを得る。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、行列に並べられたメモリセル（１０、１０Ａ〜１０Ｈ）を備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路（２６）とを具備する。メモリセル（１０、１０Ａ〜１０Ｈ）のそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）と、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）とを備えている。センスアンプ回路（２６）は、前記増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）の出力に応答して、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に記憶された前記データを識別する。 （もっと読む）

【課題】高読み出し帯域幅だけでなく、高書き込み帯域幅も有する高帯域幅ＭＲＡＭデバイスと、高帯域幅ＭＲＡＭデバイスを操作する方法を提供すること。
【解決手段】複数のメモリユニットを備えた、ＭＲＡＭデバイスのメモリセルへのアクセス方法は次のステップを含む。それぞれが書き込まれるデータとは異なるデータを格納した前記メモリユニットのいくつかを識別するステップと、前記メモリユニットの前記いくつかのすべてを同時に書き込むステップとによってメモリセルに書き込むステップを含む。ＭＲＡＭデバイスは、複数の書き込みワード線と、複数の書き込みビット線と、複数のメモリセルとを含む。各メモリセルは複数のメモリユニットを含む。 （もっと読む）

【課題】より小型化（薄型化）および高速化を達成することが可能な異なる種類のメモリを含む半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】この半導体メモリ装置は、ビット線と、ビット線と交差するように配置されたワード線と、ビット線とワード線との間に配置された記憶手段とを有するメモリセルを含む第１メモリと、第１メモリとは種類の異なる第２メモリとを備え、第１メモリと第２メモリとは、同一の半導体基板上に積層して形成されており、ビット線は、主ビット線と、主ビット線に接続され、メモリセルアレイ毎に配置された補助ビット線とを含み、記憶手段は、補助ビット線とワード線との間に配置されており、主ビット線と、補助ビット線とは、同じ方向に延び、かつ、平面的に見て互いに重なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】集積度を高めたＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ）は、ワード線ＷＬｎにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。また、メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ＋１）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ＋１）は、ワード線ＷＬｎ＋１にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】読出しディスターブを抑制し、かつ、アクセス速度の高速化が可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化反転が生じる電流値と供給時間との間には、単調減少の関係がある。これは、供給時間を短くすることで、磁化反転が生じるためのしきい電流値が高くなることを意味する。そのため、読出しディスターブの発生を抑制する観点からは、読出し電流の供給時間を短くすることにより、磁化反転が生じる電流のしきい値を高めて、読出しディスターブマージンを十分に確保できる。
したがって、読出し電流の供給時間を書込み電流の供給時間に比較して短くすることで、読出しディスターブマージンを確保し、読出しディスターブの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

磁気素子の磁化を超高速で制御するための装置とその方法であって、装置（１００）は表面弾性波発生手段（１０２）と、典型的には機能的及び部分的に構造的に前記ＳＡＷ発生手段（１０２）内に設けられたトランスポートレイヤー（１０４）と、少なくとも１つの強磁性素子（１０６）とを備える。表面弾性波は発生された後、典型的には圧電材料より成るトランスポートレイヤー（１０４）内を伝播する。これにより、歪みがトランスポートレイヤー（１０４）及びトランスポートレイヤー（１０４）と接触した強磁性素子（１０６）内に発生する。この歪みは磁気弾性結合により強磁性素子（１０６）内に有効磁界を発生する。表面弾性波が強磁性共振（ＦＭＲ）周波数に実質近い周波数を有する場合は、強磁性素子（１０６）は充分に吸収され、素子の磁化状態はＦＭＲ周波数で制御される。装置はＲＦ磁気共振器、センサ、カメラ等に使用される。対応する方法は磁気要素及び磁気論理素子における超高速の読み出し及び切り換えに利用される。

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本発明は、一般に、不揮発性メモリとして機能し得るようなメモリセルのための磁気的な分野に関するものである。より詳細には、本発明は、スピン分極電流を使用することによってメモリデバイス内の磁気領域の磁化方向を制御してスイッチングし得るような、高速でありかつ低消費電力の方法を開示している。磁気デバイスは、固定磁化方向を有したピン止めされた磁化層と；自由な磁化方向を有した自由磁化層と；固定磁化方向を有した読出磁化層と；を具備している。ピン止めされた磁化層と自由磁化層とは、非磁性層によって分離されており、自由磁化層と読出磁化層とは、他の磁性層によって分離されている。ピン止めされた磁化層の磁化方向と自由磁化層の磁化方向とは、一般に、同じ向きとはされない。非磁性層は、磁化層どうしの間の磁気的相互作用を最小化する。
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