【課題】高集積化に適したメモリセル配置、特に折り返し型ビット線構成に適したメモリセル配置を有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリアレイにおいて、１個のメモリセルＭＣと対応する繰り返し単位１４０ａが連続的に配置されて、メモリセルＭＣが行列状に配置される。隣接するメモリセル列間で、繰り返し単位１４０ａは、１／２ピッチ（ハーフピッチ）分だけずらして配置される。ビット線ＢＬ１およびＢＬ２は同一のビット線対を構成し、ビット線ＢＬ２はデータ読出時において、ビット線ＢＬ１の相補線／ＢＬ１として動作する。選択されたリードワード線ＲＷＬに対応して、１本おきのビット線にメモリセルが接続されるので、セルサイズを増加させることなく折返し型ビット線構成に基づくデータ読出に適したメモリセル配置を実行できる。 （もっと読む）

【課題】動作速度の速いルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイを提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル回路１は、入力信号に基づいて複数の抵抗変化型素子の中から一つの抵抗変化型素子を選択する抵抗変化回路２と、抵抗変化回路２の最大抵抗値と最小抵抗値との間の抵抗値を有する参照回路４と、抵抗変化回路２の他端にソースが接続された第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６と、参照回路の他端にソースが接続された第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインを通して抵抗変化回路２に電流を供給する第１の電流供給回路１０と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレインを通して参照回路４に電流を供給する第２の電流供給回路１２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレイン電位と第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電位を比較する比較器１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入磁化反転を用いたメモリにおいて、高速動作時の低電流書き換え動作を実現し、メモリセル毎のばらつきを抑え、読み出しディスターブを抑える。
【解決手段】 書き換え前に弱いパルスを与えてスピンの状態を不安定にし、書き換え電流を低減する。書き換え電流がパルス幅により非線形に大きくなる領域で読み出しを行い
、ディスターブを抑える。更に、ビット線電荷で注入スピン量を一定とした駆動方法によりばらつきを抑える。 （もっと読む）

【課題】磁気制動定数が小さく、駆動電流の低減が可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】組成式Ｆｅ_ｘＮｉ_ｙＢ_ｚ［但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．２ｘ≦ｙ≦４ｘ、０．１（ｘ＋ｙ）≦ｚ≦０．４（ｘ＋ｙ）］を主成分とし、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する磁性層を有する記憶素子を構成する。さらに、この記憶素子は、磁性層の一方の面に接し、塩化ナトリウム構造又はスピネル構造の酸化物からなる酸化物層を備える。 （もっと読む）

【課題】記録層における磁化容易軸が垂直方向を向いている垂直磁化型の不揮発性磁気メモリ装置において、記録層の磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせることを目的とする。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層を有する積層構造体５０、第１の配線４１、及び、第２の配線４２から成る磁気抵抗効果素子を備えており、積層構造体５０の上、又は、積層構造体５０の下、又は、積層構造体５０の上及び下には、記録層５３を構成する材料のヤング率よりも低い値のヤング率を有する低ヤング率領域４８１が配置されており、積層構造体５０は磁化参照層５１を更に有し、低ヤング率領域４８１を配置することによって記録層５３及び磁化参照層５１において内部応力が発生し、記録層５３及び磁化参照層５１の垂直磁気異方性が増大される。 （もっと読む）

【課題】メモリセルのトランジスタの配置効率が高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭでは、各メモリセルＭＣのアクセストランジスタを２つのトランジスタＱＡ，ＱＢに分割し、トランジスタＱＡ，ＱＢのゲートをそれぞれワード線ＷＬＡ，ＷＬＢに接続し、奇数番のメモリブロックＭＢのワード線ＷＬＡ，ＷＬＢを主ワード線ＭＷＬＡに接続し、偶数番のメモリブロックＭＢのワード線ＷＬＡ，ＷＬＢを主ワード線ＭＷＬＢに接続する。したがって、メモリセルＭＣのトランジスタの配置効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】磁化の向きが膜面に垂直な方向の垂直磁化層１７と、非磁性層１６と、膜面内方向に磁化容易軸を有し、磁化の向きが膜面に垂直な方向から１５度以上４５度以下の角度で傾斜している、強磁性層１５と、垂直磁化層１７と強磁性層１５とが非磁性層１６を介して積層され、垂直磁化層１７と強磁性層１５とが磁気的結合して成る記憶層２２と、磁化の向きが膜面に垂直な方向に固定された磁化固定層２１と、記憶層２２及び磁化固定層２１の間に配置された、非磁性の中間層１５とを含み、各層の積層方向に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】エラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる、記憶装置を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１４と、この記憶層１４に対して、非磁性層１３を介して設けられ、磁化Ｍ１２の向きが膜面に平行な方向に固定された固定磁化層１２と、記憶層１４の固定磁化層１２とは反対の側に、非磁性層１５を介して設けられ、磁化Ｍ１６の向きが膜面に垂直な方向である磁性層１６とを含む記憶素子１０と、この記憶素子１０に、記憶素子１０の各層の積層方向に流す電流を供給する配線とを含む記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】上面にストラップ配線が形成された絶縁膜と、この絶縁膜の下面に形成された配線と間で剥離が生じることが抑制された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板ＳＳと、半導体基板ＳＳ上に形成され、周辺配線Ｐ１および配線Ｌ２が形成された配線層ＬＬ１，ＬＬ２と、配線層ＬＬ２に形成され、配線Ｌ３を含む配線層ＬＬ３と、配線層ＬＬ３上に形成され、磁気記憶素子ＭＲを含む配線層ＬＬ４とを備え、配線Ｌ１，Ｌ２上に形成された拡散防止膜ＮＦ１，ＮＦ２は、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＣ膜から形成され、配線Ｌ３上に形成された拡散防止膜ＮＦ３は、ＳｉＮから形成される。 （もっと読む）

【課題】書込まれる記憶データのレベルに依存せず磁気特性が対称な磁性体メモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗素子中の自由磁化層においては、静磁性結合に起因する固定磁化層との間の結合磁界ΔＨｐが、磁界容易軸（ＥＡ）に沿った方向に作用している。データ書込磁界Ｈ（ＷＷＬ）は、自由磁化層の磁化困難軸（ＨＡ）と完全に平行に印加されるのではではなく、磁化困難軸ＨＡとの間に所定角度αを成すように印加される。これにより、Ｈ（ＷＷＬ）の磁化容易軸（ＥＡ）方向に沿った成分によって、一様な結合磁界ΔＨｐが相殺される。 （もっと読む）

【課題】活性領域の接触面積を増大でき、コンタクト抵抗を低減可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】フィン状の活性領域１３は、半導体基板１１内に設けられ、第１の側面、前記第１の側面に平行する第２の側面、及び前記第１、第２の側面を繋ぐ上面を有する。ワード線の一部としてのゲート電極１４は、活性領域に形成された溝１７内及び溝を跨いで形成され、活性領域と絶縁されている。シリサイド層１６は、ゲート電極の両側の活性領域に位置し、ソース、ドレイン領域としての活性領域の少なくとも第１の側面に形成されている。少なくとも記憶素子２１を接続するためのコンタクト１５は、シリサイド層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 磁化反転のための電流を低減し、動作を高速にする。
【解決手段】 １層の絶縁体層または非磁性層からなる中間層（２４、５１）と、中間層を挟む１対の強磁性層（２３、２５）とを備え、１対の強磁性層の強磁性層の保磁力が互いに異なるスピンバルブ素子またはそのスピンバルブ素子を用いる記憶装置。１対の強磁性層の強磁性層の磁化容易軸（１０、１２）の方向を互いに異なるようにする。また、好適には、磁化容易軸の間の角度を一定の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス（Hysteresis）特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証（Verify）時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。
【解決手段】ビットラインＢＬ及びソースラインＳＬに印加される書込み電流に従い、磁気抵抗素子ＭＴＪにデータを読出し及び書込みするメモリセル１００と、ビットライン及びソースラインの電圧を検出する電圧検出部１１０と、電圧検出部の出力に従い書込み制御信号の活性化の可否を制御する書込み電流制御部１２０と、書込み制御信号の活性化の可否に従い、メモリセル１００に供給される書込み電流の量を制御する書込み駆動部ＷＤ１，ＷＤ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気トンネル接合構造体並びにそれを含む磁性素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の垂直磁気トンネル接合は、上部磁性層及び下部磁性層のうちいずれか１層の磁性層に自由層を含み、トンネリング層と自由層との間に、分極強化層と交換遮断層とが積層されており、該交換遮断層は、非晶質の非磁性層であり、該分極強化層は、Ｆｅ層、体心立方（ｂｃｃ）構造を有するＦｅ系合金層、ＣｏＦｅＢ系非晶質合金層、Ｌ２１型ホイスラ（Ｈｅｕｓｌｅｒ）合金層及びそれらの複合層のうちいずれか１層であり、該非晶質非磁性層は、ジルコニウム・ベース非晶質合金層、チタン・ベース非晶質合金層、パラジウム・ベース非晶質合金層、アルミニウム・ベース非晶質合金層及びそれらの複合層のうちいずれか１層であり、また該非晶質非磁性層は、全体的には非晶質であるが、局所的にはナノ結晶構造を有するものでありうる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。
【解決手段】この磁気スイッチング素子１００は、磁性酸化物層３０と、上記磁性酸化物層３０の一方面側に位置する非磁性電極層４０と、上記磁性酸化物層３０の他方面側に位置する磁性金属層２０と、上記非磁性電極層４０と上記磁性金属層２０との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入磁化反転を用いたメモリセルの読み出しディスターブを防ぎ、大電流で高速に読み出す。
【解決手段】 複数のワード線ＷＬと、複数のビット線ＢＬと、複数のメモリセルＭＣと、選択されたメモリセルから情報を読み出す読み出し回路ＳＡ，ＬＡと、読み出し回路ＳＡ，ＬＡが読み出した情報に基づいて、選択されたメモリセルに書き換えを行う書き換え回路ＷＤ１，ＷＤ２とを有し、読み出し回路ＳＡ，ＬＡが選択されたメモリセルから情報を読み出す期間は、書き換え回路ＷＤ１，ＷＤ２が読み出し回路ＳＡ，ＬＡが読み出した情報に基づいて選択されたメモリセルに情報を書き込む期間より短い。 （もっと読む）

磁気メモリを提供する方法およびシステムについて記載する。本方法およびシステムは、メモリアレイタイル(MAT)、中間回路要素、グローバルビット線、グローバルワード線、およびグローバル回路要素を提供することを含む。各MATは、磁気記憶セル、ビット線、およびワード線を含む。磁気記憶セルはそれぞれ、少なくとも1つの磁気素子および少なくとも1つの選択デバイスを含む。磁気素子は、磁気素子を通して駆動される書込み電流を使ってプログラム可能である。ビット線およびワード線は、磁気記憶セルに対応する。中間回路要素は、MAT内の読取りおよび書込み動作を制御する。各グローバルビット線は、複数のMATの第1の部分に対応する。各グローバルワード線は、MATの第2の部分に対応する。グローバル回路要素は、読取りおよび書込み動作のために、グローバルビット線の一部およびグローバルワード線の一部を選択し駆動する。
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磁気ランダムアクセスメモリを製造するシステムおよび方法が開示される。特定の一実施形態では、磁気トンネル接合メモリシステムを作製する方法は、金属層の一部分を、ほぼ直線の部分を有する無分岐のソースラインの中に形成するステップを含む。この方法はまた、ソースラインをほぼ直線の部分で、第1のビアを使用して第1のトランジスタに結合するステップを含む。第1のトランジスタは、ソースラインから受け取った第1の電流を第1の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される。この方法は、ソースラインを、第2のビアを使用して第2のトランジスタに結合するステップを含み、第2のトランジスタは、ソースラインから受け取った第2の電流を第2の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される。
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【課題】磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。
【解決手段】ＭＴＪメモリセルに対しては、データ書込およびデータ読出にそれぞれ用いられるライトワード線ＷＷＬおよびリードワード線ＲＷＬが独立して設けられる。メモリアレイ１０を列方向に分割して形成される領域ＡＲ１，ＡＲ２ごとにリードワード線ＲＷＬを分割配置することによって、リードワード線ＲＷＬにおける信号伝搬遅延を低減して、データ読出動作を高速化できる。各リードワード線ＲＷＬの活性化は、行選択結果に応じてライトワード線ＷＷＬと階層的に制御される。ワード線電流制御回路４０は、データ書込時およびデータ読出時のそれぞれに対応して、ライトワード線ＷＷＬにおける電流経路を形成および遮断する。 （もっと読む）

【課題】
半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。
【解決手段】
光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。該不揮発性光メモリ素子に電気パルスと光パルスを印加することにより、強磁性体に磁化方向により記録されているデータを効果的に読み出す。 （もっと読む）