本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

【課題】磁気情報の記録される強磁性半導体層（magnetic Semiconductors、MS）自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果（Planar Hall Effect）または磁気抵抗（Magnetoresistance）を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】基板１１０と、前記基板１１０上に形成され、多重ドメイン状態を用いて多重の状態を平面ホール効果または磁気抵抗値を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層１２０と、前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜１３０と、前記絶縁膜上に形成された第１電流ライン１４０と、前記第１電流ライン上に形成された絶縁膜１５０と、前記絶縁膜上に形成された第２電流ライン１６０と、を含む。 （もっと読む）

各データ担持ナノワイヤが、そのナノワイヤの全長に沿って複数の交差するナノワイヤを有して、磁壁ピン留めサイトを構成する交差接合部を形成する。データは、交差するナノワイヤとの整列と反整列の間で交番する磁界の作用の下で磁区を動かすことによって、各データ担持ナノワイヤを通って送られる。データは、上向きキラリティ横磁壁および下向きキラリティ横磁壁が、０および１を符号化するのに使用されて、磁壁のキラリティに符号化される。データは、事前定義されたキラリティの磁壁を有する磁区を核形成することができる適切な核形成磁界発生器を使用して、各ナノワイヤの中にクロック制御されて入れられる。データは、このキラリティを検知する適切な磁界センサを使用して、各ナノワイヤからクロック制御されて出される。
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【課題】 強磁性体構成要素を含む改良されたホール効果素子であって、例えば、ディジタルの組合わせ可能なタスクを実行する論理応用例や、磁界センサ等においてディジタル情報の不揮発性記憶装置用のメモリ素子として使用可能なホール効果素子を提供する。
【解決手段】 ホール・プレート５２０の一部を覆って該ホール・プレート５２０から電気的に絶縁されている強磁性体層５１０を含む。ホール・プレート５２０上のこの強磁性体層５１０は、外部的に印加された磁界によって変更可能であり、この素子がメモリ要素として用いられると、当該素子が２つの異なるデータ値（０或いは１）に対応し得る２つの安定磁化状態（正及び負）を異方性軸に沿って有することを可能としている。 （もっと読む）

この磁性多層膜は、連続する交互の磁性金属層Ｍ、及び、酸化物層、水素化物層または窒化物層Ｏを基板上に備える。前記層Ｍの数が、少なくとも２に等しい。前記層Ｍが、連続である。前記Ｍ／Ｏ界面のレベルにおける前記層の平面に垂直な界面の磁気異方性がある。
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感知装置は、センサーと、制御ユニットと、入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェースと、１又はそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリ装置とを含み、この不揮発性磁気メモリ装置の各メモリセルは、磁気構成要素とこの磁気構成要素の近くに配置されて、この磁気構成要素における残留磁気極性を作り出すために十分な電流を受けるように連結された書込みコイルとを含む磁気スイッチと、この磁気構成要素の近くに配置されて記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するためのホールセンサーとを含む。
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【課題】書き込み読み出し消去フォーマットで大容量のデータを永久に記憶する装置及び方法を提供すること。
【解決手段】ＩＣ半導体メモリーチップ上に製造可能なメモリーセルアレーは、２５６行×８列に配置されたメモリーセルと、１個の行アドレスレコーダ回路４４と、８個の列書き込み読み出し消去感知回路４６とで構成されている。メモリーセルアレーのアドレススペースの総容量は２５６の唯一無二の別々のアドレスとなる。各アドレススペースには唯一無二の８ビット語が記憶されるように割り当てられ、且つ特定の唯一無二のアドレススペースを含む各メモリーセルは「１」即ち「高」又は「０」即ち「低」ビットのいずれかであってこれらの組合せではない単一形式の２値ビットを一時に記憶するように割り当てられる。前記メモリーセルは、電磁気素子を記憶素子とする消去されるまではデータを記憶しているスタティック書き込み読み出しメモリーセルである。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性磁気メモリデバイスを作製する単純化された方法を提供する。
【解決手段】 １つまたはそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリデバイスであって、メモリセルの各々は、磁気コンポーネントと、磁気コンポーネントに近接した位置にあり、磁気コンポーネントに残留磁気極性を生じさせるのに十分な電流を受けるように連結された書き込みコイルとを含む磁気スイッチと、記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するために、磁気コンポーネントに近接して配置したホールセンサとを含む。 （もっと読む）

磁気メモリデバイスにおいて使用するための調整可能な磁気スイッチであって、バイアス磁場を与えるための磁気源と、バイアス磁場内に配置された磁気部品と、磁気リコイル効果にしたがって磁気部品中に所定の磁化レベルを設定するために磁気部品の周囲に同軸に配置されたコイルとを含む調整可能な磁気スイッチ。
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強磁性体の磁化反転に必要な外部磁場をなくし、消費電力の省力化を図ることができる電流注入磁壁移動素子を提供する。
電流注入磁壁移動素子であって、反平行の磁化方向を持つ二つの磁性体（第１の磁性体１と第２の磁性体２）と、それらに挟まれた第３の磁性体３の微小接合を有し、この微小接合界面を横切るパルス電流（電流密度が、１０⁴−１０⁷Ａ／ｃｍ²）を流すことにより、このパルス電流と磁壁との相互作用により電流方向もしくは逆方向に磁壁を移動させ、素子の磁化方向を制御する。 （もっと読む）