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Fターム[5B046JA04]の内容

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【課題】 物質の物理的、化学的性質を計算するためのサンプリングをシステマティックに効率よく行うことができるサンプリングシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】 決定論的微分方程式を数値積分することによって、解の軌跡を求め、この軌跡に沿ってサンプリングを行う際に、該微分方程式の解がBoltzmann-Gibbs(BG)分布より広いエネルギー範囲をカバーする複数のTsallis分布を合成した分布を再現するように設定する。Tsallis分布のパラメータには、いくつかの値を設定し、それぞれ異なったパラメータ値に対応するTsallis分布を合成したものを作る。複数のTsallis分布を合成した分布から得られた軌跡からサンプリングしたサンプリング点を使って、BG分布に従う物理系の物理的及び化学的性質を、統計力学の方法によって、計算する。 (もっと読む)


【課題】 バス上でトランザクションの順序が入れ替わった場合に、順序の入れ替わったトランザクションを容易に確認できるようにする。
【解決手段】 システム記述言語によりバス上の通信をトランザクションにより行うトランザクションレベルで記述されたシミュレーション装置において、バス上でトランザクションの順序が入れ替わった場合に、該順序が入れ替わったトランザクションに関する情報をハードウェアにマッピングされないアトリビュート情報としてトランザクションに設定し、設定されたハードウェアにマッピングされないアトリビュート情報を履歴情報として記録する。 (もっと読む)


【課題】Sパラメータ等、周波数領域特性表現で特性化された素子モデルを時間領域で解析可能な素子モデルに変換するための処理の高速化を図ることができる素子モデル変換方法を提供する。
【解決手段】畳み込み積分前処理結果の参照先が自分自身である要素(同一値を取る要素を持たない要素、および、同一値を取る要素の中の代表要素)についてのみ、逆FFTでの時間領域のインパルス応答関数Fの取得(Q4)および畳み込み積分前処理(Q7)を実行し、他の要素を参照先とする要素(同一値を取る要素のうち、代表要素でない要素)については、参照先の要素の畳み込み積分前処理の結果を利用する。各解析時刻におけるインパルス応答関数Fとポートの信号値vとの畳み込み積分は、有効区間(関数値を0値とみなされない領域)の開始点(e1)から終了点(eN)について実行する(Q8)。 (もっと読む)


【課題】 電界効果トランジスタの特性の正確なシミュレーションを可能とする電界効果トランジスタモデル、回路シミュレーション装置、回路シミュレーション方法、回路シミュレーション用プログラム及び記録媒体を提供する。
【解決手段】 電界効果トランジスタのAC特性及び雑音特性のシミュレーションを行うための電界効果トランジスタモデルにおいて、熱雑音を発生する第一抵抗と熱雑音を発生しない第二抵抗とを直列に接続した抵抗回路を電界効果トランジスタのゲート抵抗として接続する。 (もっと読む)


本発明では、パワーの流れに基づいたSMSMの包括的なモデル化及びシミュレーション方法を提案しており、本発明は標準化された要素ユニット、グラフィックフレームをベースとするエフォートの流れ、ルーチン化されたモデル化手順及び自動シミュレーション工程の利点により、複雑なシステムについてもモデル化が容易であり、設計コストや時間の節約となる。本発明は、複雑に相互作用する機械システム、電気システム及び流体システムで成る多分野エンジニアリングシステムのための規則的な方法で統一された階層的なモデルを作成することを可能にし、コンピュータで自動シミュレーション解析を有効に実行することを可能にする。
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【課題】 マルチバンドの電子波動関数の固有値を簡単に求めることができる半導体装置設計支援装置を提供する。
【解決手段】 量子井戸構成層をN個のノードによって微小領域に分割する微小領域分割部4と、波数を決定し、決定した波数において有効質量近似されたハミルトニアンを算出するハミルトニアン算出部5と、ノードにおいて、ハミルトニアンの固有関数の取る関数値を求め、隣接するノード間での前記関数値の差分によって固有関数を展開する関数値算出部6、差分変換部7、マトリクス展開部8と、展開された固有関数の固有値を算出し、前記波数でのエネルギーバンドを特定する固有値算出部9とを有している。量子井戸構造の電子エネルギー準位を簡単に求めることができ、量子井戸構造のエネルギーバンド構造を特定し、半導体装置の設計を支援することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の配線許容電流から配線幅の制約値を求め、レイアウトデータで制約値通りの配線か否かを検証して工数を削減する。
【解決手段】制約箇所選択手段の処理101で半導体集積回路にて配線幅制約の設定箇所を選択し、シミュレーション手段の処理102で回路シミュレーションを実行して、処理101の配線幅制約の許容電流値を超えたか否か確認する。超えた場合に電流値から必要な配線幅を制約値決定手段の処理103で決定して、接続情報作成手段の処理104で回路図データ108から接続情報を作成する。ルール作成手段の処理105により、処理103で決定した配線幅からネット毎に検証配線幅を定義した検証ルール111を作成する。レイアウト検証手段の処理107は、レイアウト作成手段の処理106で作成のレイアウトデータ112と検証ルール111と接続情報110を基に、レイアウトデータが検証ルールの配線幅通りかを検証する。 (もっと読む)


【課題】集積回路のパスの回路構成およびパスの情報に依存して、例えばパスのゲート段数、ファンアウト数、セル構成などの影響により遅延ばらつき分布に違いが生じる。
【解決手段】複数の同期回路セルを有する集積回路における同期回路セルどうし間の経路中の特定のパスを対象として、パスのネットリストを格納する第1の記憶手段と、トランジスタのゲート長、ゲート幅等に関するばらつき情報をネットリストに付加する第1の入力手段と、ネットリストにばらつき情報を付加した結果のばらつきネットリストを格納する第2の記憶手段と、ばらつきネットリストを用いてシミュレーションを実行し遅延ばらつき分布を算出する実行手段と、パスの回路情報を与える第2の入力手段と、遅延ばらつき分布と回路情報とに基づいて回路の設計マージンを設定し出力する出力手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】回路内の素子あるいは回路ブロックが複数のシミュレーションモデルを持つシミュレーションにおいて、入力信号の属性によって自動的なモデルの切り替えを可能にする。
【解決手段】回路内の入力信号に信号の計算に必要な精度や種類を表すモデル切替属性を付加し(S101)、回路内の素子あるいは回路ブロックに必要なシミュレーション速度や精度を表す優先切替属性を付加し(S102)、前記モデル切替属性を基準として入力する回路内の全ての素子あるいは回路ブロックのシミュレーションモデルの切り替えを行い(S113)、前記シミュレーションモデルでネットリストを作成し(S114)、シミュレーションを実行する(S115)。 (もっと読む)


【課題】 より精度の高い織物構造のモデル化方法、プログラム、及び装置を提供するとともに、それによって織物限界密度の判定及びそれに基づいた製織可能性の予測を可能にする。
【解決手段】 組織図における左端(0番目)の経糸及び下端(0番目)の緯糸から順に、全ての組織点について、干渉判定・回避処理を実行する。まず組織点(1,1)から処理を開始し(S301及びS302)、まず、隣接する位置の経糸(i-1とi)及び(iとi+1)に干渉が発生しているかをチェックし、発生している場合には回避方向に補正をする経糸相互の回避処理(S303)を実行する。次に、隣接する位置の緯糸(j-1とj)及び(jとj+1)に干渉が発生しているかをチェックし、発生している場合には回避方向に補正をする緯糸相互の回避処理(S304)を実行する。 (もっと読む)


【課題】コンピュータの使用するメモリ量、およびシミュレーション計算時間の大幅な削減をする。
【解決手段】シミュレーションによる電磁界計算結果と、実際の電磁界計算結果との誤差が極小となるようにする。そのため、解析対象物の形状を入力する解析対象物形状入力手段101と、前記解析対象物の電気的特性を有する情報を入力する電気的特性入力手段104と、前記解析対象物の形状を簡略化されたモデルにするモデル化手段107と、前記解析対象物を任意の大きさのセルで分割し、前記セル内に複数の構成要素が含まれているとき、電磁界計算結果と実際の測定結果との誤差が極小となるように前記構成要素を間引くモデル簡略化手段109と、前記モデルを複数のセルに分割し、電磁界の過渡的動作を計算する電磁界計算手段112と、前記電磁界計算手段による計算結果を出力する出力手段113とで構成される電磁界解析装置を設ける。 (もっと読む)


【課題】試作工程数を削減して開発コストを低減できるとともに、初心者であっても遊技機の設計を容易に行なうことができるシミュレーションプログラムおよびシミュレータの提供を目的としている。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るシミュレーションプログラムは、遊技機を構成する各部材に関する部材情報を設定する部材情報設定ステップと、前記部材情報設定ステップによって設定された部材情報に基づいて、擬似遊技機を仮想空間上に配置する配置ステップと、前記部材情報に基づいて、仮想空間上の擬似遊技機において擬似遊技媒体が流下する軌道を算出する軌道算出ステップと、前記軌道算出ステップによって算出された擬似遊技媒体の軌道に基づいて、擬似遊技媒体を擬似遊技機において流下させる画像を表示手段に表示させる表示ステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線間の電圧ノイズを低減することができるダミーメタルの配置方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の配線レイアウトデータと初期ダミーメタルレイアウトデータとを用いて配線ごとに第1配線間寄生容量及び第1配線総寄生容量を抽出する第1容量抽出ステップS301と、第1配線間寄生容量及び第1配線総寄生容量を用いて電圧ノイズを受ける配線を特定するための第1ダイナミックシミュレーションを行う第1シミュレーション実行ステップS302と、第1配線間寄生容量及び第1配線総寄生容量を用いて電圧ノイズを受ける配線を特定するための第1スタティックシミュレーションを行う第2シミュレーション実行ステップS303と、第1配線情報を基にダミーメタルの追加挿入を行うダミーメタル挿入ステップS600と、を含むことを特徴とするダミーメタルの配置方法。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置製造プロセスを、テストピースなしに、所望の工程通り又は修正しながら進行することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の工程からなる半導体装置の製造方法において、前記複数の工程の少なくとも1つにおける実観測データを得る工程と、abinitio分子動力学プロセスシミュレータ又は経験的ポテンシャルを与えた分子動力学ミュレータにより、前記複数の工程の少なくとも1つにおける予測データを得る工程と、前記予測データと実観測データとを逐次、実時間で比較検定する工程と、前記比較検定により、製造工程因子の設定値と、前記実観測データから推測される前記複数の製造工程因子との間に有意差が認められた場合、前記製造工程因子を逐次実時間で修正処理する工程とを具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】実際の動作を適切に表現することのできる画像処理装置を提供する。
【解決手段】オブジェクトを含む画像を処理する画像処理装置10であって、画像に含まれる所定のオブジェクトの第1動作に伴い変化する第1動作状態を示す第1動作情報と、第2動作に伴い変化する第2動作状態を示す第2動作情報とを保持している動作情報保持手段112と、第1動作状態と第2動作状態との対応関係を示す連動情報を保持している連動情報保持手段116と、第1動作情報、第2動作情報と、連動情報とに基づいて、動作指示受付手段が受け付けた動作指示の対象となる対象動作に伴い変化する動作状態と、連動動作に伴い変化する動作状態とを特定する動作状態特定手段122と、特定された対象動作にかかる動作状態の変化と連動動作にかかる動作状態の変化とを示す画像を作成する画像作成手段124とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 ネットワークを介して接続された複数のクライアントのCADシステムにおいて、他のクライアントのCADにおける設計情報を反映させたシミュレーションを可能とする。
【解決手段】 サーバー100は、演算部101によって、任意のクライアント110〜140による設計に基づいて生成された三次元モデルに対して他のクライアントによる設計データを反映させる。そして、この三次元モデルを用いて動作シミュレーションを行い、シミュレーション結果を要求元のクライアントへ送信する。そして、サーバー100からシミュレーション結果を受信したクライアントは、シミュレーション結果を、設計画面に表示する。 (もっと読む)


【課題】 コイルを含む電気機器を解析でき、非線形特性データを扱う際に反復計算が不要となり、インダクタンス素子の値を可変値として実際的なモデル化を実現でき、汎用性を高くできる回路シミュレータに組み込まれるコイルの等価回路等を提供する。
【解決手段】 回路シミュレータに組み込まれるコイルの等価回路は、磁気回路を構成するコイルを含む電気機器を解析するための回路シミュレータに組み込まれる当該コイルの等価回路モデルであり、電動モータ等の電気機器に含まれるコイル11Uの等価回路を、好ましくは抵抗成分12(R)と誘起電圧成分13(−dФ/dt)とインダクタンス成分14(L)とで構成するようにした。 (もっと読む)


【課題】 内側にランプヒータが内蔵されたローラ本体の各部の温度分布を、計算によって容易にかつ正確にシミュレーションすること。
【解決手段】 フィラメントの発光部がコイル状部31,32,…によって構成される場合、その中心に沿った軸lを想定し、ローラ本体の内壁面に軸lと平行な軸zを想定する。すると、l軸座標がlの点(点l)とz軸座標がzの点(点z)との距離をrとすれば、点zが点lから受ける放射は、点lにおける放射の線密度(放射発散度)をwとすると、w/4πr2 で表され、放射照度Wは、放射の前記内壁面に対する垂直成分(h/r倍)となる。従って、点zが受ける放射照度W(z)は、次式によって表される。
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【課題】数千個以上の原子集団を扱う大規模系の分子動力学シミュレーションにおいて、多元素が混在する複雑な組成を有する物質の、共有結合の組み換えを伴う構造変化を、効率的に再現する。
【解決手段】共有結合部位を決定する役割を持つ内部自由度を持った原子モデルを考え、原子核座標と内部自由度を併せた拡張力学系の運動を古典分子動力学法で計算し、結合の滑らかな繋ぎ変えを表現する。共有結合のような方位依存性のある引力相互作用の発現を、上記の方法で所望の原子間に限定することにより、従来法で問題となっていた企図しない余計な相互作用を取り除き、多体相互作用項同士の干渉を大幅に減少させることができる。これにより、多体相互作用項のポテンシャル定数の決定が大幅に単純化され、多元素が混在する複雑な系のポテンシャル定数を用意することが可能となる。従来法では不可能であった、多元素混在系において、共有結合の組み換えを伴う化学変化の大規模分子シミュレーションが、本発明によって可能となる。 (もっと読む)


回路解析と電磁波解析との連携処理が可能な装置における電磁界強度算出処理を高速化することを目的とし、解析対象に含まれる電気回路を構成する素子が線形素子か非線形素子かを判定する判定部2と、素子のすべてが線形素子である時、該線形素子を含む解析対象のモデルを用いて、解析対象から放射される電磁波を解析する解析処理部3と、素子の1つ以上が非線形素子である時、解析対象を回路解析法を適用すべき回路解析モデル、電磁波解析法を適用すべき電磁波解析モデル、および2つのモデルを結合する1つ以上のポートに分離して、解析対象から放射される電磁波を解析する連携処理部4とを備える。
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