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Fターム[5C024CX21]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 目的及び機能 (10,510) | ノイズ除去 (6,142) | 画素欠陥補正 (956)

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【課題】 欠陥画素の補正処理と高画質化の処理とを、高精度かつ高速に行うことができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素が複数の色成分のいずれか1つの色成分の色情報を有する第1画像の色情報を注目画素の画素位置で加重加算して注目画素の色成分と異なる色成分の値を算出し、各画素が複数の色成分を有する第2画像を生成する画像処理部と、第1画像における欠陥画素の画素位置の情報を記憶する記憶部と、を備え、画像処理部は、第1画像の色情報を注目画素の画素位置で加重加算する複数の係数パターンを用意し、注目画素の色成分および欠陥画素の画素位置に基づいて、係数パターンを選択し加重加算する。 (もっと読む)


【課題】センサに入力された映像を記録用の映像信号と評価用の映像信号とに分離し、キズの検出精度を向上させた評価用の映像信号で検出された欠陥画素の補正を記録用の映像信号に対して行うことで、品質の向上を実現することにある。
【解決手段】被写体を撮像する撮像手段と、前記撮像手段から出力された映像信号から欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、前記欠陥画素検出手段により検出された欠陥画素を近傍画素を利用して補正する欠陥画素補正手段と、前記映像信号を記録用の映像信号と評価用の映像信号として別々に処理可能な映像信号処理手段と、前記映像信号に対してゲインをかけることが可能な少なくとも1つ以上のゲイン制御手段と、を備えた撮像装置において、前記記録用の映像信号よりゲインアップされた前記評価用の映像信号から前記欠陥画素検出手段によって検出された欠陥画素の検出位置情報を使用して前記記録用の映像信号の前記欠陥画素補正手段によって補正することを特徴とする撮像装置。 (もっと読む)


【課題】複数の静止画像を合成処理する際、画質を低下させることなく、欠陥画素の補正を行う。
【解決手段】画像処理装置は、撮像素子101による撮像の結果得られた画像データを処理して処理済み画像データとする。この際、DSP103は、複数枚の画像データを合成して合成画像データする。DSP103はCPU105の制御下で、画像データを構成する画素データについて当該画素データを補正するか否かを決定するための第2の判定値よりも小さい第1の判定値と、合成画像データを構成する合成画素データについて当該合成画素データが示す画素値とを比較して、その比較結果に応じて合成画像データの合成画素データを補正して処理済み画像データとする。 (もっと読む)


【課題】補正対象画素の周辺にある有効な参照画素のデータを利用し、フィルタによる欠陥画素の補正処理を迅速かつ簡易に実行できる画像処理装置及び画像処理方法を提供する。
【解決手段】撮像データ入力I/F111は、撮像素子102の有効領域データ及び無効領域データを含む画像データを取り込む。欠陥画素補正処理回路112は、撮像素子102に含まれる欠陥画素の位置を示す第1の信号と、撮像素子102に含まれる前記設定された範囲外の画素の位置を示す第2の信号とを重ね合わせ、欠陥判定画素の位置を示す欠陥画素判定信号を生成し、取り込んだ画像データの着目する画素が、欠陥画素判定信号により欠陥判定画素であると示された画素である場合に、周辺に位置する欠陥判定画素であると示されていない画素における画像データの値を用いて、着目する画素の値を補正する。 (もっと読む)


【課題】静的補正用の欠陥画素アドレスメモリを増大させることなく、かつ、欠陥画素の補正漏れや欠陥画素補正に起因する解像度低下を生じることのない画像処理方法を得る。
【解決手段】欠陥画素検出対象画素を含む所定サイズのブロックの平均信号値と、欠陥画素検出対象画素の信号値との差分絶対値に対して、第一のしきい値と第一のしきい値より大きい第二のしきい値とによって欠陥画素検出対象画素が欠陥画素であるか否かを判定する(ステップST1〜ST6)。次に、差分絶対値が、第一のしきい値より大きく第二のしきい値より小さい場合は静的補正の対象として欠陥画素アドレスメモリに欠陥画素アドレスを登録し、差分絶対値が第二のしきい値より大きい場合は動的補正を行う画素として判定する(ステップST8〜ST12)。 (もっと読む)


【課題】ホワイトバランスを考慮して欠陥画素を補正する処理を短時間で行う。
【解決手段】デジタルカメラ10には、複数の欠陥画素マップ27〜28が予め記憶されている。欠陥画素マップ27〜28には、遮光状態で所定時間露光した時に撮像素子から得られるCFA画像データの画素値と撮影光源に応じて色毎に変えた閾値とに基づいて検出した欠陥画素の位置情報が記録さている。ホワイトバランスゲイン算出回路17は、撮像素子25から取得したCFA画像データに基づいてホワイトバランスゲインを算出する。欠陥画素マップ選択回路18は、ホワイトバランスゲインに応じて複数の欠陥画素マップ27〜29のうちからいずれかを選択する。欠陥補正回路19は、選択した欠陥画素マップに記載の欠陥画素の位置情報に基づいて欠陥画素を補正する。 (もっと読む)


【課題】回路規模を抑制でき、キズ補正及びノイズ低減によって高品質な画像を得ることを可能とする画像処理装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、画像処理装置は、キズ補正手段であるキズ補正回路11と、ノイズ低減処理手段であるノイズ低減回路12と、選択手段であるセレクタ23と、を有する。選択手段は、対象画素がキズであると判定された場合にキズ補正手段からの出力を選択する。キズ補正手段は、コントラスト判定手段33による判定に応じて、平均化処理を経た第1の補正値と、第1の補正値以外の第2の補正値と、のいずれかを出力し、照度判定手段35による判定に応じて、第1の補正値又は第2の補正値と、調整手段36による調整を経た第3の補正値と、のいずれかを出力する。 (もっと読む)


【課題】焦点深度が拡大された光学系から得られた画像の復元に必要な領域に限って詳細なキズ補正を行う。
【解決手段】復元が必要なブロックについては、より微細なキズを補正する処理が行われた上で復元処理が施されるから、復元処理により微細なキズが顕在化するのを防ぐことができ、かつ画像全体の微細なキズを補正する場合よりも補正に要する時間が短くて済む。 (もっと読む)


【課題】ノイズ成分除去の補正の精度を高めることができる撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置1は、撮像素子3を有する。撮像素子3は、光量に応じた画素信号を出力する複数の画素が2次元行列状に配置された画素アレイを有する。前記画素アレイが遮光された状態で、前記画素信号を列方向に間引いて読み出す第1の読み出し制御と、前記画素アレイが露光された状態で、前記画素信号を読み出す第2の読み出し制御とが、切り替えて行われる。画像処理部13は、前記第1の読み出し制御により前記画素アレイから読み出された画素信号に基づいて、前記第2の読み出し制御により前記画素アレイから読み出された画素信号を補正する。 (もっと読む)


【課題】複数台の撮像装置に含まれる欠陥画素に対する補正処理に割り当てるリソースを適正化する。
【解決手段】複数台の撮像装置からの映像信号を入力する入力部と、それぞれの撮像装置に係る欠陥画素の情報を収集して、欠陥画素情報として記録する欠陥画素情報収集部と、あらかじめ定められた補正対象設定条件にしたがって、欠陥画素情報に記録された欠陥画素のうち、補正対象とする欠陥画素を撮像装置毎に設定する補正対象画素設定部と、映像信号の補正対象と設定された欠陥画素に対して画像補正を行なう欠陥画素補正処理部とを備えた画像処理装置。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥に起因するリーク電流に起因する再生画面上での白い点状欠陥の発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置10は、半導体基板103と、フォトダイオード110と、フローティングディフュージョン160と、転送ゲート電極123とを備え、フローティングディフュージョン160は、第1の領域において半導体基板103の表面から第1の深さまで形成された、第1の濃度の第1の不純物を含む第1の不純物領域121と、第1の領域より転送ゲート電極123から離れた第2の領域において半導体基板103の表面から第2の深さまで形成された、第2の濃度の第2の不純物を含む第2の不純物領域122と、第2の領域において半導体基板103の表面から第2の深さより浅い第3の深さまで形成された、第2の濃度より大きい第3の濃度の、第2の不純物と異なる第3の不純物を含む第3の不純物領域124とを含む。 (もっと読む)


【課題】間引きデータを画面上に迅速に表示させることが可能な放射線画像生成システムを提供する。
【解決手段】放射線画像生成システム30は、放射線画像検出器1と、コンソール31と、オフセット補正値生成手段31と、放射線発生装置34とを備え、コンソール31は、間引きデータf(x,y)又は実写画像データF(x,y)に基づいて作成した間引きデータに基づく画像、或いは、間引きデータ又は実写画像データに基づいて作成した間引きデータに対してゲイン補正処理及びオフセット補正値に基づくオフセット補正処理を行って間引きデータ又は実写画像データに基づいて作成した間引きデータに対する画像処理後の画像、或いは、実写画像データに対してゲイン補正処理及びオフセット補正値に基づくオフセット補正処理を行った画像処理後の画像、のうちの少なくとも1つとを、前記表示部に表示させる。 (もっと読む)


【課題】装置自体で放射線の照射の開始等を検出する場合に、線欠陥が複数の走査線に連続して現れることを防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置1の制御手段22は、放射線画像撮影前に、ある走査線5にオン電圧を印加した次のタイミングでは当該走査線5に検出部P上で隣接する走査線5以外の走査線5にオン電圧を印加するようにして各走査線5にオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子7のリセット処理を行い、電流検出手段43から出力された電流の値に基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するとリセット処理を停止させ、各走査線5にオフ電圧を印加して電荷蓄積モードに移行し、放射線の照射が終了した後に、各走査線5にオン電圧を順次印加させて各放射線検出素子7からの画像データDの読み出し処理を行って各画像データDを記憶手段40に保存する。 (もっと読む)


【課題】高性能なAF動作を行うと共に、画素加算を行った場合でも高速に高品質な被写体画像を生成することができる。
【解決手段】半導体基板に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素を備える固体撮像素子と、該固体撮像素子を駆動制御し前記複数の画素のうち所要周期位置毎に設けられる画素の検出信号を加算する画素加算手段とを備える撮像装置であって、前記固体撮像素子は、前記複数のうちの一部の前記画素が位相差検出画素1x,1yとして形成される共に、複数の位相差検出画素1x,1yが前記所要周期位置に配置され、前記画素加算手段は、前記加算を行うとき位相差検出画素1x,1yだけの信号1X,3Xの加算を行う。 (もっと読む)


【課題】位相差画素の出力信号の補正に要する時間及び演算量を削減することが可能な撮像装置及び撮像画像信号の補正方法を提供する。
【解決手段】位相差を検出するための1対の位相差画素52を含む3つ以上の画素を有する固体撮像素子5と、位相差画素52の出力信号を、当該位相差画素52の周囲の位相差画素52以外のG画素51の出力信号を用いて補正する位相差画素補正部18と、位相差画素補正部18によって補正を実施する位相差画素52と補正を実施しない位相差画素52とを、固体撮像素子5に含まれる全ての位相差画素52への光の入射角に応じて判定する位相差画素補正実施判定部19とを備え、位相差画素補正部18は、位相差画素補正実施判定部19で補正を実施すると判定された位相差画素52についてのみ、補正を実施するものである。 (もっと読む)


【課題】取得された放射線画像の画質を向上させることができる放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】X線撮像装置は、隣接する複数の画素間で得られる画素値が時間的に変動する隣接欠陥画素を、この隣接欠陥画素の各画素値で平均化した画素値にそれぞれ置き換える隣接欠陥補正部55を備えている。隣接欠陥画素の画素値で平均化すると、その画素値が正常画素の範囲内に収まる。そのため、異常画素として欠陥補正されるなどして扱われていた隣接欠陥画素を正常画素として利用できるので、被検体の画素情報を失うことなく、取得された放射線画像の画質を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】遮光素子を用いることなく、不自然な固定パターンノイズを抑制することのできる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像装置1は、被写体像を撮像し、第1の露光時間で撮像した映像と、第1の露光時間より短い第2の露光時間で撮像した映像とを出力する撮像部11と、撮像部11が出力する、第1の露光時間で撮像した映像と第2の露光時間で撮像した映像とを基に、補正画像を生成する減算部14と、減算部14が出力する補正画像のフレームレートを変換するフレームレート変換部15と、フレームレート変換部15の出力に対して信号処理を行う信号処理回路16と、を備える。 (もっと読む)


【課題】集光率を向上できると共に、エッチングダメージ層の形成を防止する。
【解決手段】固体撮像装置は、画素部40と周辺回路部50を有する半導体基板1と、画素部の上部に形成されたフォトダイオード(PD)部3及びフローティングディフュージョン(FD)部20と、周辺回路部の上部に形成された複数のソース/ドレイン領域18と、画素部及び周辺回路部の上に形成されたゲート絶縁膜4と、PD部とFD部との間に形成された転送ゲート電極5と、各ソース/ドレイン領域同士の間に形成された周辺ゲート電極6と、PD部の上を覆うように形成された反射防止膜13と、転送ゲート電極の側面に形成された第1のサイドウォール15と、周辺ゲート電極の側面に形成された第2のサイドウォール16とを備えている。反射防止膜、第1のサイドウォール及び第2のサイドウォールは、酸化膜と窒化膜とを含む積層膜である。 (もっと読む)


【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制することが可能な不純物層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のドットパターン3により構成された第1の領域2−1と、この領域2−1のパターンよりも大きい面積の複数のドットパターン4により構成され、第1の領域2−1に隣接する第2の領域2−2と、を具備し、これらの領域2−1、2−2の境界部分で光の透過率が不連続的に変化するグレーティングマスク1であって、第1の領域2−1のドットパターン3と第2の領域2−2のドットパターン4との間に、これらのドットパターンの中間の面積を有するドットパターン6を設けたグレーティングマスク1を用いて、半導体基板8上に塗布されたレジスト材料9を露光する工程と、露光されたレジスト材料9を現像することによりレジスト膜10を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして用いて半導体基板8にイオンを注入することにより、不純物層11を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】欠陥画素の影響を低減しつつデータ圧縮処理に関する情報の省サイズ化を図る。
【解決手段】複数の走査線および信号線により二次元状に配列された複数の放射線検出素子7と、信号線方向に隣接する放射線検出素子から差分データを作成する算出手段491と、データの圧縮処理を行う圧縮手段492と、データ転送を行う転送手段39と、差分データから出力異常を判定する出力異常判定手段491cとを備え、圧縮手段は、信号線方向に片側の放射線検出素子との差分データにより出力異常と判定された放射線検出素子に対してその逆側に隣接する放射線検出素子との差分データを圧縮処理の対象から除外し、逆側に隣接する放射線検出素子は出力異常の放射線検出素子の周囲の放射線検出素子との差分データを算出する。 (もっと読む)


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