【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ３ｒの光電変換部１２ｒは、青色用イメージセンサ３ｂの光電変換部１２ｂおよび緑色用イメージセンサ３ｇの光電変換部１２ｇに対して光入射面から深い位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】高解像度化した画素を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子１０は、Ｘ，Ｙ軸平面上に正方又は六方配置された各感光部から蓄積電荷に相当する信号をＺ軸方向に並列に抽出して出力する積層素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄと、この積層素子における感光部を有する素子１００ａに対して設けられ、それぞれの感光部に対して一部の領域で受光するための当該感光部の面積よりも小さい面積を有する１つのアパーチャ（開口部）１１０を、当該感光部の領域の範囲内で走査することにより各感光部を所定の分割数で分割し、当該分割した各領域によって画素を形成するマスク１０６及びアクチュエータ１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続した構成の固体撮像装置において、それぞれのチップの大きさの差を少なくすることによって、固体撮像装置のチップ面積（実装面積）の縮小化と、コストの削減を図ることができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続された固体撮像装置であって、第１の基板に配置された光電変換素子と、第２の基板に配置され、光電変換素子で発生した信号をアナログの読み出し信号として出力する読み出し回路とを具備する画素が複数配置された画素部と、読み出し信号に対して信号処理を行う信号処理回路とを備え、信号処理回路を構成する回路要素を区分基準に基づいて第１の基板側または第２の基板側に区分し、第１信号処理回路に区分された回路要素を第１の基板内に配置し、第２信号処理回路に区分された回路要素を第２の基板内に配置する。 （もっと読む）

【課題】高解像度化した画素を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の撮像素子１０は、Ｘ，Ｙ軸平面上に正方又は六方配置された各感光部１０１から蓄積電荷に相当する信号をＺ軸方向に並列に抽出して出力する積層素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄと、この積層素子における感光部１０１を有する素子１００ａに対して設けられ、それぞれの感光部１０１に対して一部の領域を遮光するための当該感光部１０１の面積よりも小さい面積を有する１つの遮光部１１０を、当該感光部１０１の領域の範囲内で走査することにより各感光部１０１を所定の分割数で分割し、当該分割した各領域における遮光による蓄積電荷の変化量によって画素を形成する液晶素子１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる方法で、奥行き情報を取得できる撮像技術を提供する。
【解決手段】奥行き推定撮像装置は、特定の波長域の光に対する透過率が撮像素子２の撮像面に平行な第１の方向に周期的に変化している第１の光学フィルタ１ａおよび第２の光学フィルタ１ｂとを備えている。第１の光学フィルタ１ａと第２の光学フィルタ１ｂとは、互いに対向し、それらの前記特定の波長域に対する透過率の周期変化は、互いに１／４周期ずれている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板の面積を有効に活用する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板どうしが接続部を介して電気的に接続された固体撮像装置であって、光電変換素子を含む画素が行列状に配置された画素部と、前記画素部内の画素の列に対応して配置され、対応する列の画素に含まれる前記光電変換素子で発生した信号を信号処理する複数の列処理回路を含む列回路部と、前記列処理回路によって信号処理された信号を当該装置の外部に出力する出力部と、を備え、前記第１の基板に前記画素部が配置され、前記第１〜第ｎの基板のうち少なくとも２以上の異なる基板のそれぞれに前記列回路部が配置され、前記画素部内の各列の画素に対応する信号処理を、前記少なくとも２以上の異なる基板のそれぞれに配置された前記列回路部で分散して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置（１０）において、一方の放射線変換パネル（２８ａ）は、静止画像又は動画像を取得可能な放射線変換パネルであり、他方の放射線変換パネル（２８ｂ）は、動画像を取得可能な放射線変換パネルである。この場合、他方の放射線変換パネル（２８ｂ）に対してリセット処理部（２８ｃ、３０、３２、４０）がリセット処理を実行可能な時間帯にのみ、一方の放射線変換パネル（２８ａ）は、放射線（１６）を静止画像又は動画像に変換する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ型の固体撮像装置において、水平方向の読み出しの際の転送動作による発熱を効率良く放熱し、且つ出力信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置２Ａは、Ｍ×Ｎ個（Ｍ，Ｎは２以上の整数）の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されて成る撮像面１２、及び、撮像面１２に対して列方向の一端側に各列毎に配置されており各列から取り出される電荷の大きさに応じた電気信号をそれぞれ出力するＮ個の信号読出回路２０を有するＣＣＤ型の固体撮像素子１０と、信号読出回路２０から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換してシリアル信号として順次出力するＣ−ＭＯＳ型の半導体素子５０と、主面８１ａ及び裏面８１ｂを有する伝熱部材８０と、裏面８１ｂ上に設けられた冷却ブロック８４とを備え、半導体素子５０と伝熱部材８０の主面８１ａとが互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置（１０Ａ）は、放射線（１６）の入射方向に沿って積層され、該放射線（１６）を放射線画像に変換可能な２つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）と、２つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）に対して残像の発生を抑制するためのリセット処理を実行可能なリセット処理部（２８ｃ、３０、３２、４０）と、２つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）に対するリセット処理を互いに異なる時間帯に実行するようにリセット処理部（２８ｃ、３０、３２、４０）を制御するリセット制御部（４５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁膜２０内に形成された少なくとも１層の金属配線層３２と、画素電極間の間隙Ｇに充填された充填部２１１と、光機能層５０内に突出して形成されてなる突出部２１２とからなる電界調整用絶縁層２１を備えてなり、光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層５２を含む。突出部２１２は、充填部２１１に接している２つの画素電極４０の各端部４０ｔと、該２つの端部間の中央部上方の１つの頂点Ａとをそれぞれ結ぶ下に凸の曲線で囲まれてなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子において、チップ面積に対して画素領域の占める面積比率をより高めることができる。
【解決手段】第１の基板１０から第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板が接続部を介して電気的に接続され、かつ段積みされた固体撮像装置であって、第ｍ（ｍは１以上ｎ以下の整数)の基板は、光電変換素子を含む画素を有する画素領域５０を備え、第ｍの基板以外の他の基板は、画素の駆動の用に供する回路要素を有する第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１とを備え、他の基板の領域のうち、画素領域と垂直方向に重なる重複領域５１内に、第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１との少なくとも一部分が配置されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードに入射する光の多様な入射角に対する対応能力を提供する。
【解決手段】３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素は、半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオード１４および、前記フォトダイオードの光電荷量を外部に転送するためのパッド１７を備える第１のウエハ１０と、前記フォトダイオードを除いたトランジスタ構成の規則的な配列を持つ画素アレイ領域、前記画素アレイ以外のイメージセンサの構造を持つ周辺回路領域、及び前記各画素を接続するためのパッド２１を備える第２のウエハ２０と、前記第１のウエハのパッドと前記第２のウエハのパッドとを接続する連結手段３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】各撮像素子で特性が異なることを抑制することができると共に、ノイズが導入されることを抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０と、当該単結晶基板１０に形成された回路部２０と、回路部２０の一部と直接接触する状態で単結晶基板１０の一面に配置された単結晶第１導電型層３１と、単結晶第１導電型層３１上に配置された単結晶第２導電型層３３とを有するフォトダイオード３０と、単結晶第２導電型層３３と電気的に接続される電極３５と、を備える。これによれば、単結晶基板１０上に単結晶材料を用いて構成されたフォトダイオード３０が形成されているため、撮像素子毎に特性が異なることを抑制することができる。 また、フォトダイオード３０における単結晶第１導電型層３１と回路部２０の一部とを配線を介さずに直接電気的に接続しているため、ノイズが導入されることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の暗電流の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換部を有する固体撮像装置の製造方法は、原料ガスとしてヘキサクロロジシランを用いて、前記光電変換部の少なくとも一部を覆うように減圧ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 撮像性能の向上に適した撮像素子の新たな構造を提供する。
【解決手段】 撮像素子は、第１チップ、および第２チップを備える。この第１チップには、受光画素、および貫通配線とが形成される。複数の受光画素は、受光面に配列され、入射光に応じた電気信号を生成する。貫通配線は、受光画素の電気信号を受光面の反対面へ伝達する。一方、第２チップには、読み出し回路が形成される。読み出し回路は、貫通配線を介して電気信号を読み出して画像信号として出力する。この撮像素子は、上記の第１チップの反対面と、上記の第２チップの読み出し回路とが対向する向きに配置され、貫通配線と読み出し回路との端子間が電気的に接合される。 （もっと読む）

【課題】色分離が良好であり、かつ、高い感度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】表面側が回路形成面とされた半導体層１１と、半導体層１１内に積層されて形成された２層以上の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２と、ゲート電極２１が半導体層１１の表面１５から内部に埋め込まれて形成された、縦型トランジスタＴｒ１とを含み、２層以上のうちの１層の光電変換部ＰＤ１は、縦型トランジスタＴｒ１のゲート電極２１の半導体層１１に埋め込まれた部分２１Ａにまでわたって形成され、縦型トランジスタＴｒ１によって形成されるチャネルに接続されている固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、複数の画素３１が配置される半導体基板５１と、複数本の配線が配設された複数層の導体層５８が絶縁膜５７に埋め込まれて構成される配線層５５とが積層されて構成される。そして、配線層５５では、画素３１により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、２層の導体層５８で形成される。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）