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Fターム[5C024GX15]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 回路素子 (2,124)

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【課題】 画素起因ノイズ除去率を向上し、信号処理速度を向上することができるようにする。
【解決手段】 被写体像を撮像する複数の画素と、前記複数の画素から信号を読み出す複数の垂直出力線と、前記複数の垂直出力線に読み出された信号を増幅する増幅回路と、前記複数の画素から読み出された信号に含まれるノイズ成分を補正する補正回路と、前記増幅回路から出力された信号を水平出力線に転送する転送手段とを有し、前記補正回路と前記増幅回路は、少なくとも一部分を共有していることを特徴とする撮像装置を提供する。 (もっと読む)


固定パターンノイズを補正する回路又は方法は、テスト画素回路からなる少なくとも1つのテスト行を備えている。外部電圧が、少なくとも1つのテスト行の各画素回路に印加される。したがって、テスト行の画素回路の出力信号は、光子の信号又は暗電流の信号に依存しない。印加電圧は、撮像素子の各列の列オフセット誤差を決定するのに用いられる。 (もっと読む)


【課題】 列毎にAD変換回路を有し、デジタル化した信号を演算処理する固体撮像装置において、
水平間引き動作を行い、複数のレジスタ回路にそれぞれ保持される信号で演算を行うと、間引かれる、すなわち読み出されない列のAD変換器及びレジスタ回路は動作に関与しない状態になり、回路の利用効率の面で検討の余地があった。
【解決手段】 ある列のレジスタ回路と、異なる列のレジスタ回路とを接続する手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】放射線の照射後に直ちに電気信号の読み出しを開始し、ノイズを低減して画質低下を抑制でき、かつ、余分な電力消費を抑制可能な放射線画像検出装置および放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像検出装置1は、放射線の照射により電荷を発生させる複数の光電変換素子7と、信号線6を通じて光電変換素子7から読み出された電気信号を増幅する増幅回路19と、各光電変換素子7に逆バイアス電圧を供給するバイアス線9と、バイアス線9を介して光電変換素子7に逆バイアス電圧を印加する電源15と、バイアス線9を流れる電流を検出する電流検出手段14と、放射線の照射時に電流検出手段14で検出された電流値に基づいて電気信号の読み出し時の増幅回路19のゲインを設定する制御手段16とを備える。 (もっと読む)


【課題】列信号線を介して異なるタイミングで伝達された信号を保持するための2つの保持容量における一方の保持容量に画素から信号が転送される際に他方の保持容量の基準電源電極の電位が変動することを抑制する撮像装置及びそのシステムの提供。
【解決手段】撮像装置1は、複数の画素が行方向及び列方向に配列され、複数の列信号線へ信号を出力する画素配列PAと、前記複数の列信号線を介して伝達された信号をそれぞれ保持する複数の第1の保持容量103と、前記複数の列信号線を介して伝達された他の信号をそれぞれ保持する複数の第2の保持容量104と、前記複数の第1の保持容量の基準電源電極が配列された第1の領域のための第1の基準電源パターン107と、前記複数の第2の保持容量の基準電源電極が配列された第2の領域のための第2の基準電源パターン108とを備え、前記第1の基準電源パターンと前記第2の基準電源パターンとが分離されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、撮像センサーとして機能できると共に、たとえば既存の赤外線リモコンからの信号も正確に検出できる固体撮像セルを提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像セルScは、光電変換素子(たとえばフォトダイオード)PD1と、撮像素子構成回路部Maと、選択ゲート(スイッチ部)G15を備えている。撮像素子構成回路部Maは、光電変換素子PD1と共に固体撮像素子を構成している。さらに、撮像素子構成回路部Maは、光電変換素子PD1の一方の出力部とジェスチャー信号伝送ライン(第一の信号線)L1との間に配設されている。選択ゲートG15は、光電変換素子PD1の出力部から出力される電荷を、ジェスチャー信号伝送ラインL1側に出力するか、光電変換素子PD1の他方の出力部と接続される赤外線信号伝送ラインL2側に出力するかの切替を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】遮光領域の画素から読み出すべき黒レベルの基準信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】撮像装置は、遮光された画素が配された遮光領域と遮光されていない画素が配された有効領域とを含む画素配列を備え、前記遮光された画素は、第1の光電変換部と、前記第1の光電変換部にて生じた電荷を電圧に変換する第1の電荷電圧変換部と、前記第1の電荷電圧変換部により変換された電圧がゲートに入力されるMOSトランジスタである第1の増幅トランジスタとを含み、前記遮光されていない画素は、第2の光電変換部と、前記第2の光電変換部にて生じた電荷を電圧に変換する第2の電荷電圧変換部と、前記第2の電荷電圧変換部により変換された電圧がゲートに入力されるMOSトランジスタである第2の増幅トランジスタとを含み、前記第1の増幅トランジスタのゲート容量は、前記第2の増幅トランジスタのゲート容量より大きい。 (もっと読む)


【課題】実施例は、回路とフォトダイオードの新しい集積を提供することができ、解像度と感度を共に改善することができ、垂直型のフォトダイオードを採用しながら、フォトダイオードと回路の間の物理的、電気的接触力が優れ、フォトダイオード内の欠陥(ディフェクト)を防止することができるイメージセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例によるイメージセンサーは、配線を含む回路が形成された第1基板と、前記配線と接触するように前記第1基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層と接触しながら前記第1基板とボンディングされて、前記配線と電気的に接続されるように結晶型半導体層に形成されたフォトダイオードと、前記配線の上側が露出するようにフォトダイオードと絶縁層を一部除去して形成したビアホールに、伝導性金属が充填されて形成されたビアプラグと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ソースフォロワのリニアリティ特性を向上させて画質を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードと、フォトダイオードから光電荷を転送する転送トランジスタと、転送トランジスタを通じて光電荷が転送されるフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンに接続されたゲート電極を有する増幅トランジスタTr4(M1)とを有する画素PXが半導体基板にアレイ状に複数個集積されており、増幅トランジスタTr4(M1)の出力側に、増幅トランジスタの出力が入力される増幅器APと、増幅器APの出力が接続されたゲート電極を有する補償トランジスタM2とを含み、補償トランジスタM2の出力が増幅器APに負帰還された構成の補償回路CCが設けられている構成とする。 (もっと読む)


【課題】透明なトランジスタを備えたCMOSイメージセンサーを提供する。
【解決手段】フォトダイオードと、フォトダイオード上に形成されたトランジスタと、を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサーである。 (もっと読む)


【課題】CCD撮像素子の駆動周波数を変更しても、CCD撮像素子の出力波形を良好に保つことができるようにしたCCD出力信号処理回路を提供する。
【解決手段】CCD撮像素子2の出力信号は、FET11からなる負荷回路に供給され、トランジスタ21からなるエミッタフォロワ回路を介して、出力端子4から導出される。スイッチングトランジスタ12及び13を制御することにより、負荷回路の抵抗値が切り替可能である。また、スイッチングトランジスタ22及び23を制御することにより、エミッタフォロワの抵抗値が切り替え可能である。CCD撮像素子2の駆動周波数が切り替わると、これに応じて、負荷回路に設けられた抵抗の抵抗値と、エミッタフォロワ回路のエミッタ抵抗の抵抗値とが切り替えられる。このため、CCD撮像素子2の出力波形を良好に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】画素の信号を高速に読み出す場合でも、チップ面積を低減でき、消費電力の増加を抑制できる撮像装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、光電変換部を含む画素と、画素に接続された列信号線と、列信号線を介して画素から信号を読み出す読み出し回路と、読み出し回路に接続されており、容量を有する出力線と、出力線を介して読み出し回路からの信号に応じて、画像信号を出力する出力部とを備え、読み出し回路は、列信号線に出力された信号を保持する第1の蓄積部と、第1の蓄積部との接続を開閉する第1の開閉部と、第2の蓄積部と、第1の蓄積部に保持された信号を第2の蓄積部へ伝達する伝達部と、伝達部と第2の蓄積部との接続を開閉する第2の開閉部とを含み、第1の蓄積部の容量は、第2の蓄積部の容量よりも小さく、出力部には、第2の蓄積部の容量と出力線の容量とに基づいて、第2の蓄積部に保持された信号が読み出される。 (もっと読む)


【課題】画素の色成分に依存した出力リニアリティの特性を改善する。
【解決手段】固体撮像装置10は、画素から転送される信号電荷を順次に蓄積するフローティングディフュージョン(FD)部16と、FD部16にゲート電極が接続された駆動トランジスタ20aを有し、FD部16の電位(VFD)に応じた信号電圧(Vout)を出力するソースフォロア型の出力回路17とを備え、さらに、駆動トランジスタ20aのバックバイアス電圧(VBB)を制御するための制御端子22が設けられている。バックバイアス電圧(VBB)を、FD部16に蓄積された画素の色成分に応じて変更し、駆動トランジスタ20aの閾値電圧を変化させる。 (もっと読む)


【課題】A/D変換の周波数の増加を抑えつつ、出力画像の画質を向上させる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】デジタルカメラ等の撮像装置に搭載される固体撮像装置において、1または複数の画素列ごとに、画素信号をA/D変換するランプ型カラムA/D変換回路106を設ける。各A/D変換回路106のデジタルメモリ108に保持させる計数値のうち、下位側複数ビットに位相シフトコードを適用し、より低い周波数でビット精度を向上させたA/D変換を実現する。 (もっと読む)


【課題】新たなAPSデバイス画素アーキテクチャー及び動作方法を提供する。
【解決手段】画素内にマイクロレンズと光遮蔽を設けた複数の画素を有する半導体基板からなる能動画素センサーアーキテクチャー。各画素は入射光が信号電荷として収集される光電子を形成する光検出器領域と、信号電荷を光検出器領域から光遮蔽により覆われる電荷格納領域に転送する手段と、増幅器への入力である検知ノードとを含む画素からなり、検知ノードは信号格納領域へ作用するよう接続される。画素アーキテクチャーは光遮蔽とマイクロレンズ技術を設計に導入することを許容する画素の対称な設計を可能にする。 (もっと読む)


【課題】データ出力部への転送線上の配線遅延による影響を低減でき、データ出力部におけるデータの取り込みを的確かつ高精度に行うことが可能で、ひいては走査の高速化を図ることが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】列走査回路13は、供給される駆動クロックに同期して選択信号を対応する保持回路に出力する複数の選択信号生成部131−0〜131−nと、マスタクロックを伝搬し、駆動クロックとして複数の選択信号生成部に供給するクロック供給線LMCK1,LCMCK等と、を含み、データ出力回路17−0〜17−nは、第1の取り込みクロックSACK1に同期して検出データを取り込み出力する第1のデータ同期回路172−0〜172−nと、第2の取り込みクロックSACK2に同期して第1のデータ同期回路の出力データを取り込む第2のデータ同期回路173−0〜173−nと、を含む。 (もっと読む)


【課題】入射光の斜入射特性を低下させることなく、シェーディングの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】MOS型固体撮像装置1では、上層配線(電荷転送線1018〜1048)がシフト形成されている画素セル101〜104において、撮像領域の中央L1を挟み両側となる部分に存在する画素セルどうし、例えば、画素セル101と画素セル104とを比較して見るときに、互いの画素セル101、104に関連する電源線1016、1046、垂直信号線1017、1047および電荷転送線1018、1048が、X軸方向において、センサ部10の中央L1から紙面に垂直な方向に想定する仮想平面を基準として面対称の関係を以って形成されている。 (もっと読む)


【課題】パッケージ型の固体撮像装置の信頼性及び耐久性の向上を図る。
【解決手段】光透過性部材32を有するパッケージ33内に固体撮像素子チップ34が封入される。パッケージ33の内面に粘着剤層47が形成され、パッケージ33の底部にパッケージ内の空間48と連通する貫通孔49が形成されている。 (もっと読む)


【課題】小規模で簡易な回路構成により、固定パターン雑音を抑制して出力画像の画質を向上する。
【解決手段】撮像部10Aに有効画素部1と無効画素部2〜5を有し、各画素の信号を画素列単位で読み出して信号処理を行うCMOSイメージセンサにおいて、無効画素部2〜4の一部に固定パターン雑音補正用のオプティカルブラック部(OB部)2を設ける。そして、OB部2から得られる各画素の信号量を測定し、有効画素部1の信号量からOB部2の画素の信号量を引き算する。例えば所定の平均化処理によってOB部の画素平均信号量を求めて有効画素部の各画素の信号量から引き算することで、フレームメモリを設けることなく、各種の雑音を除去した画像信号を得る。 (もっと読む)


【課題】マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子は半導体基板に設けられた複数のフォトダイオードを備える。前記フォトダイオード上に平らな上部表面を有する絶縁膜が配置される。前記絶縁膜上に設けられて前記フォトダイオードの上部にそれぞれ配置した複数のマイクロレンズを提供する。前記マイクロレンズは保護パターンにより覆われている。前記保護パターンはオキサイド系感光性ポリマー膜またはナイトライド系感光性ポリマー膜とすることができる。前記保護パターンは平らな上部表面を有する。 (もっと読む)


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