【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、ビーム絞りから発生するスパッタ物によるチャージング現象に起因する加工不良を回避し、装置の稼働率を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、ビーム絞りの材料として、ビーム絞りから放出されるスパッタ粒子により生成した、ビーム絞りの下流にある光学素子表面上の付着膜が、導電性を示す材料を用いることに関する。好ましくは、ビーム絞りの材質を、カーボンまたは、その化合物とする。また、好ましくは、ビーム絞りの下流側に、電位を与えた電極を配置する。 （もっと読む）

【目的】パターンのレイアウトに依存せずにかぶり補正精度を向上させる装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、第１のメッシュ領域毎に、電子ビーム描画における近接効果補正照射量ｄ（ｘ）を計算する計算部１１６と、第１のメッシュ領域よりも大きい第２のメッシュ領域毎に、近接効果補正照射量ｄ’（ｘ）を計算する計算部１１２と、第２のメッシュ領域毎に、当該近接効果補正照射量ｄ’（ｘ）を当該第２のメッシュ領域内の図形の面積重心位置に補間する補間部１１３と、第３のメッシュ領域毎に、補間された近接効果補正照射量ｄ’（ｘ）を用いてかぶり補正照射量Ｆ（ｘ）を計算する計算部１１４と、かぶり補正照射量Ｆ（ｘ）と近接効果補正照射量ｄ（ｘ）を合成する合成部１１８と、合成された補正照射量に基づいて描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】開示されている方法は、フィーチャの断面を繰り返し生成することによって、１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する。方法は、１または複数の加工済みフィーチャに近接する表面をミリングする工程を含み、ミリングされた表面は、フィーチャが位置する層と実質的に平行である。ミリング工程ごとに、１または複数の加工済みフィーチャのトップダウン画像化工程が、複数の断面画像を生成する。複数の断面画像の各々は、加工済みフィーチャの表現に再構成される。 （もっと読む）

【目的】本発明は、ローラーモールド作製方法に関し、大面積のローラモールドを短時間に作製してスループットを向上させると共に継ぎ目のないローラーモールドを作製することを目的とする。
【構成】マスクをレジストを塗布したローラーモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線をマスクに照射してマスク上のパターンを透過した電子線をローラーモールド上のレジストに露光するステップと、露光した後に、ローラーモールドを回転して次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、繰り返した後に、ローラーモールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のローラーモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをローラーモールド上に形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】最適なセトリング時間を迅速に見つけるための検査方法を提供することを目的とする。
【構成】偏向アンプのセトリング時間検査方法は、セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により電子ビームを偏向させて、第１と第２の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる２種のパターンを複数回交互にショットする工程と、ショットされたビーム電流を測定する工程と、測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、最適なセトリング時間を迅速に見つけることができる。 （もっと読む）

【目的】高精度な位置補正を行なうことが可能な較正用基板を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板１０は、基板１２と、基板１２上に配置された導電膜１４と、導電膜１４上に選択的に配置され、導電膜１４よりも反射率の大きい導電膜１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、電子の帯電やコントラストの低下を回避することができる。その結果、かかる較正用基板を用いて高精度な位置補正を行なうことができる。 （もっと読む）

【目的】描画直前情報や描画時の情報をパターンと一緒に描画可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、試料１０１に描画されるパターンの描画データを入力し、描画データを基に、試料にパターンを描画する描画部１５０と、試料が描画された際の描画情報を入力し、描画情報に基づいて描画情報を示す図形コードの描画データを生成するコード用描画データ生成部１２と、を備え、描画部１５０は、さらに、図形コードの描画データを基に、試料１０１に図形コードを描画することを特徴とする。本発明によれば、描画が開始した後でなければわからない描画時の情報を図形コードとして、試料に描画することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト上に所望の微細パターンを電子ビームにより描画する電子ビーム描画方法において、微細パターンを描画する時間を短縮する。
【解決手段】レジスト１１が塗布され回転ステージ４１に設置された基板１０上に、回転ステージ４１を回転させつつ電子ビームＥＢを走査して所望の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法において、微細パターンの描画を、回転ステージ４１の半径方向位置における線速度が一定となるように、該回転ステージ１４の回転速度を、描画位置の半径に反比例して内周トラック描画で速く外周トラック描画で遅くなるように回転制御して行うものとし、この微細パターンを描画する前に、レジスト１１に予備露光を施す。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に電子ビームEBを走査して、微細パターン12のエレメント13の形状を描画する際に、描画データに基づき、基板10の所定回転位置でオン信号により電子ビームを照射し、その回転に追従して回転方向に描画し、オフ信号で描画を停止するオン・オフ制御で１周分を描画した後、ビーム照射位置を半径方向に移動させてオン・オフ制御による描画を繰り返すもので、エレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部のエレメント描画では、オン・オフ制御のオン時間を、疎配置部の同一エレメント描画でのオン時間より短く設定してドーズ量を調整し、近接効果補正を行う。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に、電子ビームEBを基板10の半径方向または半径方向と直交する方向に微小往復振動させるとともに、その振動方向と直交する方向に偏向してエレメントの形状を塗りつぶすように走査して、微細パターン12のエレメント13の形状を描画する際に、エレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部のエレメント描画では、前記偏向速度を疎配置部の同一エレメント描画での偏向速度より速く設定してドーズ量を調整し、近接効果補正を行う。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジストを用いて微細パターンを形成する場合にも適用可能なビーム照射位置誤差の検出方法を提供する。
【解決手段】複数の矩形パターンＰ１がＹ方向に連続することにより構成されるラインパターンＬ１を少なくとも２つ形成し、複数の三角形パターンＰ２，Ｐ４がＹ方向に連続することにより構成されるラインパターンＬ２，Ｌ４を形成する。三角形パターンＰ２，Ｐ４の描画は、予め設定された振り戻し量をそれぞれ考慮して行われる。ラインパターンＬ１間の寸法ＣＤ１ｘと、ラインパターンＬ１，Ｌ２間の寸法ＣＤ２ｘと、ラインパターンＬ１，Ｌ４間の寸法ＣＤ４ｘとを寸法測定器によって測定する。ＣＤ１ｘとＣＤ２ｘの差分、ＣＤ１ｘとＣＤ４ｘの差分が、Ｘ方向の振り戻し量の誤差として求められる。 （もっと読む）

【目的】パラメータ管理が可能な描画システムを提供することを目的とする。
【構成】描画システム１００は、通信規格の異なる制御ユニット１２２，１２４，１２６と、制御ユニット１２２，１２４，１２６により制御され、電子ビーム２００を用いて試料にパターンを描画する描画装置１１０と、外部の従計算機からパラメータ情報を受信して、記憶するデータベース１４０と、受信されたパラメータ情報を制御ユニット１２２，１２４，１２６に通信規格に合わせて出力するインターフェース回路群１３９と、主計算機１６０と、主計算機１６０からの要求を受信して、データベース１４０を介さずに制御ユニット１２２，１２４，１２６に設定されているパラメータ情報を主計算機１６０が用いる通信規格に変換して、送信するＩ／Ｆ回路群１７０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、想定していない描画を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 高精度で基板ずれを検出し、基板ずれの原因となる装置の劣化の程度を把握することが可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 ステージの加速条件を設定し、テスト用基板のマークをスキャンまたはテスト用基板に描画し、スキャン結果と基準となる座標の差分の累積度数データまたは描画の再現性が、予め記憶されている累積度数データまたは再現性の指標データよりも悪ければ、基板ずれが生じている判断することが可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
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【課題】高速な気圧変動に対しても露光精度の低下を防止することが可能な電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム露光装置本体が外気から隔離する環境チャンバーに収容された電子ビーム露光装置は、環境チャンバーの内部の気圧を計測する内部気圧計と、環境チャンバーの外部の気圧を計測する外部気圧計と、環境チャンバーの内部に気体を供給して気圧を制御する気圧制御器と、外部気圧を基に気圧変動を滑らかな気圧変動関数で近似し、気圧制御器を介して気圧変動関数に従うように環境チャンバーの内部の気圧を調整する制御部とを有する。更に、電子ビーム露光装置本体は、電子ビーム位置検出部と、偏向器とを備え、制御部は、ビーム照射位置の予測関数及び前記環境チャンバーの内部の気圧の変化を基にビーム照射位置を算出し、露光データの補正量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 低コストかつ簡易な構成であって、さらに、簡易な操作によって、再利用可能なブランクスの検出を行う電子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 偏向器の操作の履歴データを記録する偏向制御記録手段と、ステージ移動の操作の履歴データを記録するステージ移動制御記録手段と、記録された前記各履歴データを受け取って前記ブランクスに対する電子ビームの照射の有無を判断する電子ビーム照射判断手段とを有する電子ビーム描画装置を提供する。
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【課題】ハードディスクパターンを描画するにあたり、パターン描画の精度を低下させることなく、描画時間を短縮する。
【解決手段】多数の同心円トラックの描画を順次行うに際して、１つの描画トラックの描画後、隣接描画トラックの描画を行うためのトラック送り方法として、低速偏向アンプ５４の出力に基づいた偏向手段２１によるトラック送りおよびステージ直線移動手段４８による回転ステージ４１を半径方向に直線移動させることによるトラック送りに併せて、高速偏向アンプ５３の出力により偏向可能な範囲において、偏向手段２１が高速偏向アンプ５３の出力に基づいてトラック送りを行う。 （もっと読む）

【課題】オフされているグリッドからのビームの漏洩を抑制し、更にニュートラライザが良好な中和効果を有する荷電粒子照射装置、これを用いた周波数調整装置及び荷電粒子制御方法を提供する。
【解決手段】イオンガン１１は、ガス導入部１１４よりＡｒガスを本体１１１内に導入し、フィラメント１１３とアノード１１２との間で直流熱陰極放電をおこし、Ａｒのプラズマを生成する。次に、２つ分割された構成を有する、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂに、イオンを射出する方向に電圧勾配を与えて、イオンを射出させる。イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド１１７に負電圧を印加する。これにより、停止している側のグリッドからのイオンビームの漏洩を抑制し、更にニュートラライザの中和効果を良好とすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に精細なパターンを描画することを可能とする。
【解決手段】スパイラルトラックＳＴｒに沿ってパターンを形成する場合に、基準位置からパターンの描画が開始される描画開始位置及び描画終了位置までの距離と、スパイラルトラックＳＴｒに沿って移動する電子線の照射位置（又は入射位置）の速度とに基づいて算出された時間に基づいて、電子線のブランキングのタイミングを決定する描画クロック信号Ｂｃｌｋを生成する。これにより、この描画クロック信号Ｂｃｌｋに基づいて、あるパターンの描画終了位置から次のパターンの描画開始位置までの間に電子線がブランキングされ、スパイラルトラックＳＴｒに沿って順次パターンが描画される。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーの荷電粒子の静電偏向器への流入を減らすことができ、描画精度の向上をはかる。
【解決手段】荷電粒子源から放出された荷電ビームを試料上の所望の位置に照射することでパターン形成を行う荷電ビーム描画装置であって、荷電粒子源１０と試料５０との間に設けられ、偏向を受けない荷電ビームの軌道である光軸方向に沿って２段以上の小偏向器を設置して構成され、荷電ビームを電場によって偏向するための静電偏向器３２と、静電偏向器３２の光軸方向に隣接する小偏向器の間に設けられ、光軸方向の下流側の小偏向器の光軸方向と直交する方向の対向距離よりも開口径が短いアパーチャを有し、静電偏向器３２で偏向すべき荷電ビームよりも低いエネルギーの荷電粒子を取り除くためのアパーチャマスク６０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かぶり効果によるＣＤ変動を補正するための照射量のより精密な調整が可能な電子ビーム描画装置の調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子ビーム描画装置の調整方法は、電子ビームを測定用マスクの所定位置に照射し、電子ビームの照射された照射位置の周辺に所定間隔で設けられた複数の測定位置において、かぶり量を測定し、複数の測定位置においてそれぞれ測定されたかぶり量より、かぶり効果補正パラメータを求め、かぶり効果補正パラメータにより、電子ビームの照射量を調整する。 （もっと読む）