【課題】対向して配置されたイオンビーム発生装置を備える基板処理装置をクリーニングする方法およびその機能を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が配置される面Ｓを挟むように第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂが対向して配置され、前記基板の両面を処理する基板処理装置１００のクリーニング方法は、前記第１のイオンビーム発生装置１ａと前記第２のイオンビーム発生装置１ｂとの間から基板を退避させる退避工程と、前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするクリーニング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レジストの熱効果や線量変化量を高いスループットで補正できる粒子ビームの描画方法を提供する。
【解決手段】レイアウトデータに基づいてショット領域の第１露光線量が決定される。粒子ビーム描画装置のショット期間を制御するように構成された制御ユニットが荷電粒子ビームが基準電流密度に到達したと見なす第１時点ｔ１と、前記荷電粒子ビームが実際にターゲット基板にて基準電流密度に到達する第２時点ｔ２との間の線量偏差を補正する補正線量が決定される。 （もっと読む）

本発明は、多数のビームからのそれぞれのビームの強度が決定されるリソグラフィシステムであって、複数のビームを同時に感知して、これらの集合信号を与えるように構成されたセンサ領域を有するセンサを備えた測定装置を具備するリソグラフィシステムに関する。複数のビームが、関連する一時ブランキングパターンに従ってそれぞれ変調される。本発明は、さらに、測定された集合信号及びビームの一時ブランキングパターンによってそれぞれのビームの強度を計算する方法に関する。
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【課題】電子ビームを被照射体に向けて照射する表面改質装置において、被照射体の被照射面の形状によらず被照射面へ均一に電子ビームを照射する。
【解決手段】
稀ガスＧ中で電子ビームを被照射体Ｗに向けて照射して被照射面を改質する表面改質装置において、単一電極３をアノード電極およびカソード電極として共用する。単一電極３をアノード電極として単一電極３周辺の稀ガスを電離させてプラズマＰを生成する。このプラズマが単一電極と被照射面との間に充満した後に、単一電極をカソード電極として単一電極３から電子ビームを被照射体Ｗに向けて照射する。 （もっと読む）

【目的】マルチカラム方式の装置で故障したカラムがあっても描画動作が可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、試料１０１を配置するＸＹステージ１０５と、ＸＹステージ１０５と相対移動しながら、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する複数のカラム２２０，２２２，３２０，３２２と、複数のカラムのうち、故障したカラムの位置に応じて、描画ルールを設定する描画ルール設定部１１４と、故障していないカラムを用いて描画する領域を設定する領域設定部１１６と、複数のカラムのうち他とは異なるいずれか１つを制御する複数の偏向制御回路１２０，１２２，１２４，１２６と、設定された領域用の描画データを変換処理して、該当する各カラムの制御回路に出力する描画データ処理部１１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料ホルダの寿命が長くなる薄膜試料作成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
試料加工室１０１に取り付けられた試料ホルダ１１１とビーム照射手段１１５との間に配置され、ビーム照射手段１１５から照射されたイオンビームＩＢの径を絞るスリット板１３１と、試料ホルダ１１１を試料加工室１０１から取り外す時には、スリット板１３１、遮蔽ガラス１２１のうち、少なくともどちらか一方を移動させ、スリット板１３１と遮蔽ガラス１２１との干渉を防止する干渉防止手段１５１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームマスタリング装置による磁気ディスク装置のアドレス情報描画において、原盤の回転に同期したリファレンスクロックを使用する複数の直接ディジタルシンセサイザを備えることで円周方向の描画精度を向上させる。
【解決手段】
本発明は、固定周波数をリファレンスとして動作する直接ディジタルシンセサイザによりスピンドルクロックを生成すると共に、そのスピンドルクロックを基に回転するスピンドルモータのエンコーダ信号に追従する位相同期回路によってスピンドルモータの回転ムラに同期した回転同期リファレンスクロックを生成し、その回転同期クロックをリファレンスとする直接ディジタルシンセサイザにより描画パターンの基準となるライトクロックを生成し、さらに、その回転同期クロックもしくはその分割信号をカウントするカウンタによって一定カウント毎にライトクロックとスピンドルクロックを同時に次周波数に切り替えることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】カソード交換があってもマルチカラム方式の装置での停止時間を短縮することが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、試料を配置するＸＹステージ１０５と、１列に並べられ、ＸＹステージ１０５と相対移動しながら、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する３つ以上の複数のカラム２１４，３１４，４１４，５１４と、カラム毎に配置された複数のカソード２２と、を備えたことを特徴する。本発明の一態様によれば、カソード交換があってもマルチカラム方式の装置の稼働率を向上し、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板への帯電が抑制可能となっているか否かを描画前に確認できる基板カバーを提供する。
【解決手段】基板カバーは、マスク基板の周縁領域に対応した形状の導電部と、導電部に設けられ、接地可能な電極が導電部から露出する複数の電極部とを有する。電極部１０５ａは、導電部および他の電極部１０５ｂ、１０５ｃと絶縁されており、電極部１０５ａと他の電極部１０５ｂ、１０５ｃとの間に電圧を印加することにより、これらの電極がマスク基板に導通していることを検出できる。電極部は、基板カバー自体を支持する機能も有するため、導電部の荷重が略等分布となるように３箇所に配置されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】偏向データを送信する際の通信遅延を低減することが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する
【解決手段】時刻ｔ２において偏向制御部から副偏向中継部に副偏向データの送信を開始し、時刻ｔ３において偏向制御部からＢＬＫ中継部にＢＬＫデータの送信を開始する。副偏向中継部によりこれら副偏向データ及びＢＬＫデータの格納状態を監視する（符号ｃ、ｄ）。時刻ｔ７においてショット出力信号がＢＬＫ中継部に入力され、時刻ｔ８において副偏向データが格納され、時刻ｔ９においてＢＬＫデータが格納されると、時刻ｔ１０において副偏向中継部から副偏向アンプに副偏向データを送信させるクロック信号がＢＬＫ中継部から副偏向中継部に出力される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画装置１による描画結果を検査する描画検査装置２で描画精度劣化を生じやすい領域を効率的に検査できるようにする。
【解決手段】描画装置１に、描画のための制御データ(ショットデータ)に基づいて、フレーム境界領域、サブフレーム境界領域、分割ショット領域等の描画精度劣化を生じやすい領域の座標を要検査領域座標として算出する手段４０７と、この要検査領域座標を検査装置２の座標フォーマットに変換して出力する手段４０８とを設ける。そして、要検査領域座標を検査装置２に入力し、検査装置２で検査する領域を要検査領域座標を参照して決定する。 （もっと読む）

【目的】適切なソーキング時間を取得する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、複数のマーク１０が形成された評価基板１０１を配置する描画室１０３と、描画室１０３内で、複数のマーク１０の位置を測定する測定アンプ２１４と、測定された複数のマークの位置を用いて、複数のマークの位置ずれ量を近似する近似式の係数を算出する係数算出部１１４と、前回算出された係数と今回算出された係数を用いて、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満かどうかを判定する判定部１１６と、を備え、評価基板１０１の寸法変動量が閾値未満になるまで、２回目以降の複数のマークの位置の測定について測定前に毎回待機時間を設けて、複数のマークの位置の測定と係数の算出と判定とを繰り返すことを特徴とする。本発明によれば、適切なソーキング時間を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の電子光学系と単一のビームパターン限定アパーチャを用いて、被処理体上のビームパターン内の電流密度分布特性を改善すること。
【解決手段】物理的に製作可能に修正されたアパーチャレイアウトについて、ビームパターン内の電流密度分布を求める（Ｓ₅）。次に、上記のようにして求めたビームパターンＢＰ内の電流密度分布に予め設定した判定閾値を当てはめて電流密度の均一性を判定し（Ｓ₆）、許容範囲に収まらないときは仮電子線通過領域部に仮内部遮蔽部を設定する（Ｓ₇及びＳ₈）。次に、上記のように仮内部遮蔽部によって変更または更新されたアパーチャレイアウトについてステップＳ₅〜Ｓ₈を適宜繰り返し、判定基準を満たすような仮電子線通過領域部および仮内部遮蔽部を確定する（Ｓ₈）。 （もっと読む）

本発明は、表面に所望のパターンを形成するための、可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを用いるための方法を説明し、複数のＶＳＢショットの集合体は、所望のパターンから逸脱する。さらに、ＶＳＢショットは、互いに重なり合うことが可能にされ、ショットのドーズを変化することが可能である。同様の方法が、光近接効果補正（ＯＰＣ）、フラクチャリング、マスクデータ準備、および近接効果補正について開示される。グリフ生成のための方法も開示され、それにおいては、１つのＶＳＢショットまたはＶＳＢショットのグループから表面上にもたらされるパターンが事前計算される。いくつかの実施形態においては、最適化技術が、ショット数を最小化するために用いられ得る。本開示の方法は、たとえば、レチクルを用いる光リソグラフィによって集積回路を製造するプロセスや、直接描画を用いて集積回路を製造するプロセスにおいて用いられ得る。
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本発明は、物質（１００，２００）を電子ビーム誘起エッチングする方法に関し、本方法は、少なくとも１種類のエッチングガスを、物体（１００，２００）に電子ビームが衝突する位置と同じ位置において、物体（１００，２００）に供給する方法ステップ、および、同時に、少なくとも１種類のエッチングガスによる自発的エッチングを減速または抑制するようにした少なくとも１種類のパッシベーションガスを供給する方法ステップを含むものである。 （もっと読む）

【課題】粒子ビーム露光装置で、帯電した粒子のビームで照射され、ビームが複数のアパーチャを介してのみ通過することを可能にすることによって、ターゲット上にパターンを画定するためのデバイス内の改良されたアパーチャ配置を提供する。
【解決手段】アパーチャを透過するビームの形状および相対的配置を画定する同一の形状の複数のアパーチャを有するアパーチャアレイと、アパーチャを透過し、それらによって画定された選択されたビームレットの通過をスイッチオフするためのブランキング手段とを備える。アパーチャは、わずかな偏差だけ規則的配置から偏移した配置に従ってアパーチャアレイ手段上に配置され、粒子ビーム露光装置によって生じた歪みを調整し、アパーチャおよび対応する開口部を介してターゲット上に照射される電流を調整することができるように、アパーチャアレイのアパーチャのサイズは、アパーチャアレイに全体にわたって異なる。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプユニットの動特性を診断することが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるＤＡＣアンプユニットの診断方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置の位置偏向制御回路２３０からＤＡＣアンプユニット２３２に回路診断用のデジタルデータを製品レチクルの描画速度と同等の速度で送信すると共に、メンテナンスメモリ２３１に記憶する。このデジタルデータに対応してＤＡＣアンプユニット２３２のデジタル部２３３から出力されるデジタルデータをメンテナンスメモリ２３８に記憶する。メンテナンスクロック発生器２３９によりクロック信号を発生させて、メンテナンスメモリ２３１、２３８に記憶されたデジタルデータを読み出す。読み出したデジタルデータをビット毎に比較することで、デジタル部２３３の診断を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターンを精度よく描画する。
【解決手段】磁気シールド筐体２４の円筒部２５ａの内部に磁気キャンセル機構５０を設ける。この磁気キャンセル機構５０は、環状コイル５１，５２の相互作用により、固定子ユニット３４から発生する磁束密度Ｂｘの第１の磁界を打ち消すための、磁束密度がＢｃの第２の磁界を発生させる。これにより、第１の磁界と第２の磁界とが相殺し結果的に、磁気シールド筐体２４からの漏れ磁束の発生が回避される。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画装置に関し、クロスオーバ像の裾を制限することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子ビームを出射する光源４と、該光源４からの荷電粒子ビーム１を受ける制限開口板２１とブランカー１４，１５と第１レンズ２より構成される第１の荷電粒子ビーム制御手段と、該荷電粒子ビーム制御手段を通過した荷電粒子ビーム１を受ける第１成形開口板３と、該第１成形開口板３を通過した荷電粒子ビーム１を偏向する第２レンズ６と、該第２レンズ６を通過した荷電粒子ビームを受ける第２成形開口板７と、該第２成形開口板７を通過した荷電粒子ビームを受けるブランキング開口板１７と、該ブランキング開口板を通過した荷電粒子ビームを集束する縮小レンズ８と対物レンズ９と対物偏向器１３から構成される第２の荷電粒子ビーム制御手段とを具備し、該第２の荷電粒子ビーム制御手段の出力で材料１０上に投影図形を照射するように構成する。 （もっと読む）

【目的】ＳＥＭＩ規格に適合させながら遮断作業の効率化とコスト低減を図ることが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、個別のラック１２２，１２４，１２６にそれぞれ格納された複数の制御計算機ユニット１３２，１３４，１３６と、複数の制御計算機ユニット１３２，１３４，１３６にそれぞれ電源を供給する分電盤１１０と、複数の制御計算機ユニット１３２，１３４，１３６により制御され、電子ビーム２００を用いて試料１０１にパターンを描画する描画部１５０と、を備え、分電盤１１０の操作面に、複数の制御計算機ユニット１３２，１３４，１３６へ供給される電源を一度に遮断する緊急遮断スイッチ１０が配置されたことを特徴とする。本発明によれば、ＳＥＭＩ規格に適合させながら遮断作業の効率化とコスト低減を図ることができる。 （もっと読む）