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Fターム[5C034BB10]の内容

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Fターム[5C034BB10]に分類される特許

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【課題】電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】この電子ビーム描画装置1は、描画を実施する際に被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズ16と、電子レンズ16に付着した分解生成物34に対して活性種Hを放出し、該活性種Hと分解生成物34とを反応させることで該分解生成物34を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段21とを備える。この洗浄手段21は、活性種Hが電子レンズ16に形成された電子ビームが通過する複数の孔30の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部37aを有する。 (もっと読む)


【課題】残留応力を有する薄膜を用いて電極の静電引力による変形を低減し、収差を少なくすることが可能な荷電粒子線レンズを提供する。
【解決手段】荷電粒子線レンズは、荷電粒子源から放射された荷電粒子線の光学特性を制御する。光軸方向に沿って空隙を介して複数の対向電極2A、2B、2Cが設けられ、対向電極2A、2B、2Cは、光軸方向に対向電極を貫通する少なくとも1つの荷電粒子線通過用の開口3A、3B、3Cを有すると共に、少なくとも1つの表面に薄膜4を有する。薄膜4は、光学特性を制御するための電圧を対向電極に印加することで生じる対向電極の変形を低減する残留応力を有するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域(スポット)に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 (もっと読む)


【課題】描画中の荷電粒子ビームの異常を監視して早期に発見するとともに、定量的な判断に基づいて描画を停止させることができる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置の一つである電子ビーム描画装置1は、荷電粒子ビームである電子ビーム6を照射する電子銃3と、成形アパーチャとを有し、電子銃3と成形アパーチャとの間には、電子ビーム6の照射を受けて流入する電流を検出するとともに、開口部分から電子ビーム6の一部を通過させるよう構成された検出器7を有する。電子ビーム描画装置1では、成形アパーチャで成形された電子ビーム6を照射して試料上に電子ビーム描画をするとともに、検出器で検出される電流量の変化に基づいて、電子ビーム6の異常を感知し、異常発生を判断して試料への電子ビーム描画を停止するようにする。 (もっと読む)


【課題】異常停止が起こる前にハードディスク装置等の記憶装置の異常を検出する描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置100は、ハードディスク装置142と、ハードディスク装置142のデータ読み出し処理を行う読み出し処理部12と、データ読み出し処理におけるデータ読み出し時間を演算する読み出し時間演算部14と、データ読み出し時間が閾値以上か否かを判定する判定部16と、判定の結果、データ読み出し時間が閾値以上の場合にハードディスク装置142が異常であることを示す情報を出力する出力部18と、判定の結果、閾値以上の場合にハードディスク装置142を別のハードディスク装置と交換した上で別のハードディスク装置を用いて、描画データのデータ処理を行う描画データ処理部10と、データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ストライプ間でドリフト補正量のばらつきをより少なくすることが可能な描画可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置100は、描画領域が短冊状に分割された複数のストライプ領域について、ストライプ領域毎に当該ストライプ領域を描画する描画時間を予測するストライプ描画時間予測部52と、描画される前のストライプ領域に対し、当該ストライプ領域の予測された描画時間の中間時刻を用いて、当該ストライプ領域を描画する際の荷電粒子ビームのドリフトを補正する補正量を算出するドリフト補正量算出部54と、当該ストライプ領域を描画する際に、当該ストライプ領域の描画開始位置から、算出された補正量で補正された描画位置に所望のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 荷電粒子線の本数が増加すると、ブランキング偏向器アレイの製造における歩留まりが悪くなってしまう。
【解決手段】 偏向器アレイは、複数の開口が形成されたベース基板と、複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、を備える。
さらにベース基板の複数の開口に対応する位置に偏向器チップの複数の開口が配置されるように、1枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定される。 (もっと読む)


【課題】
試料へのダメージが少なく加工効率に優れたイオンミリング装置、更には平面加工および断面加工にも柔軟に対応できる処理能力の高い装置を提供する。
【解決手段】
個別に制御可能な複数のイオン銃3を一つ試料室5に設け、このイオン銃3に対応して複数の試料1を試料ステージ8に設置する。複数のイオン銃3および試料ステージ8は制御装置9によって個別に制御可能であり、複数のイオン銃3を同時に作動させ、試料ステージ8をスイング又は傾斜・回転するすることで、複数の試料を同時に平面加工もしくは断面加工する。 (もっと読む)


【課題】反射電子ビームリソグラフィ装置のパターン生成器の画素素子の革新的なレイアウトを提供する。
【解決手段】一実施形態は、対象基板上にパターンを書き込むための装置に関する。この装置は、画素素子の複数の配列を含み、各配列は、互いにオフセットされている。加えて、この装置は、複数の配列上に合焦させる入射ビームを生成するための発生源1202およびレンズと、パターン化ビームを形成するために、画素部分が入射ビームを選択的に反射するように各配列の画素素子を制御するための回路と、を含む。さらに、この装置は、対象基板上にパターン化ビームを投射するための投射器1214を含む。また、他の特徴、態様および実施形態も開示される。 (もっと読む)


【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源1と、集束レンズ電極2と、ブランキング電極3と、走査電極4と、試料9を載置するための試料台10と、荷電粒子ビーム照射により試料9から発生する二次荷電粒子7を検出する二次荷電粒子検出器8と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ14と、原料ガスを試料9に供給するガス銃11と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 (もっと読む)


【課題】 イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。
【解決手段】試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。気体冷媒を試料チャンバ内に供給することで、試料Sにおけるイオンビームの照射面を直接気体冷媒で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】カソードの寿命を向上させることのできる電子銃およびその電子銃を使用した電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子を放出するエミッタ10を有する電子銃において、エミッタ10を、電子放射特性を有する第1の材料からなる第1の部材11と、第1の材料より仕事関数が大きい第2の材料からなる、第1の部材11を被覆する第2の部材12とを有するように構成し、さらに、第1の部材11と第2の部材12との間に溝15を設ける。溝の長さ(H+W)は50μm以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電子銃の異常放電を高い作業効率で効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】アノードとウェネルトの間に電圧を印加するとともに印加電圧を徐々に増加させ、これらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法であって、電子銃内の圧力を測定し、圧力の測定値の中の最小値を定めるとともに、測定値と最小値とを比較し、印加電圧を制御する。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電子銃内の圧力が所定値より低くなったところで行うことが好ましい。さらに、電子銃内の圧力の測定値と最小値とを比較し、印加電圧を所定時間維持するか、または、降圧したうえで所定時間維持することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は可変成形形電子ビーム描画装置に関して、第1の成形開口板3(又は絞り)上の電流密度分布を均一にするために、球面収差係数を減少させる手法とは異なる方法により球面収差起因の電流密度むらを解消することを目的としている。
【解決手段】
荷電粒子源、照明レンズ群、絞り、投影レンズ群、及び材料面の順にこれらが配置され、前記荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームが前記照明レンズ群を介 して前記絞り上に照射され、更に投影レンズにより前記絞りの像が材料面上に結像される状態で絞りを通過したビームが材料上に照射される荷電粒子ビーム装置 において、前記照明レンズ群は、前記荷電粒子源の像が前記絞り上に結像しないように配置され、かつ前記照明レンズ群のうちの一つのレンズが、前記絞りの位置と光学的に共役関係にある位置に配置されて構成される。 (もっと読む)


【課題】適切なビームドリフト補正を実行する装置を提供する。
【解決手段】描画装置100は、複数の描画単位領域の各描画単位領域を描画するための描画予測時間を算出する描画予測時間算出部112と、電子ビームの次回のビームドリフト補正を行う指定時刻を算出する指定時刻算出部34と、次回の描画単位領域の描画予測時間と次回のビームドリフト補正の指定時刻を用いて、ビームドリフト補正を行う必要性の有無を判定する判定部52と、ビームドリフト補正が必要と判定された場合に、ビームドリフト補正を行う補正部40と、ビームドリフト補正が必要と判定された場合にはビームドリフト補正が行われた荷電粒子ビームを用いて、ビームドリフト補正が必要ないと判定された場合には判定後にビームドリフト補正が行われていない電子ビームを用いて、次回の描画単位領域に所望のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビームのスループット向上のための共通磁界による複数レンズを構成する方法において、磁界の非対称成分を補償して良好な分解能を得る。
【解決手段】複数レンズを構成するレンズシステム1は、第1ポールピース、第2ポールピース、及び荷電粒子ビームの夫々用の複数のレンズ開口部16、及び、夫々のレンズ開口部へ第1磁束を供給する共通励磁コイル20と、レンズ開口部16間に配置される補償コイル30を備え、夫々のレンズ開口部の少なくとも一部に第2磁束を供給して第1磁束の非対称性を補償する。 (もっと読む)


【課題】かぶり補正照射量の精度を向上させると共に、描画順序が最も早いブロック枠内のパターンの描画を早期に開始する。
【解決手段】荷電粒子ビームを照射することによって、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域に多重描画する荷電粒子ビーム描画装置において、近接効果補正照射量とパターン面積密度分布とに基づくかぶり補正照射量計算の前または計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、パターンを試料の描画領域全体に描画し、かぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置に関し、ビーム漏れとビームプロファイルのすそ野(レジスト中に蓄積するエネルギーのすそ野を含む)によるパターン寸法への影響を照射時間で補正することにより、より高精度の描画方法を提供することを目的としている。
【解決手段】ビーム漏れ、ビームプロファイルのすそ野を含んだ近接効果補正では、入射エネルギーと解像しきい値の関係を表わす係数に基づいた入射エネルギーと、後方散乱による蓄積エネルギーと、ビームオフ時に発生するビーム漏れによる蓄積エネルギーと、ビームオン時に発生するビーム漏れによる蓄積エネルギーと、ビームプロファイルのすそ野による蓄積エネルギーの和が一定となるように、ビーム漏れ、ビームプロファイルのすそ野補正を含んだ近接効果補正による補正量Smodを求める、ように構成する。 (もっと読む)


【課題】試料表面を荷電粒子により調査及び/又は改変するのを容易且つ費用効率的に可能にし、表面電荷蓄積に関係する問題が克服されるような装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子により試料を調査及び/又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビームと、該荷電粒子のビームが通過する開口30を持つ遮蔽エレメント10とを有し、該開口30は充分に小さく、上記遮蔽エレメント10は上記試料の表面20に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 (もっと読む)


【課題】ディスク媒体に同心円状に形成されたトラックのパターンを、回転ステージの回転同期軸振れの影響を受けることなく、適正に検査できるようにする。
【解決手段】本発明のパターン検査装置1は、レジスト膜への電子ビーム照射によりパターン描画されているとともにパターン描画が周方向への回転動作を利用して行われたディスク媒体4のトラックのパターンを検査するものであって、ディスク媒体4が載せられる回転ステージ14と、この回転ステージ14に載せられたディスク媒体4に対して電子ビームを照射する照射光学系2と、この照射光学系2による電子ビームの照射によって回転ステージ14上のディスク媒体4から発生する電子を検出する電子検出器3とを備え、回転ステージ14は、ディスク媒体4にパターン描画するときに当該ディスク媒体を回転動作させるために用いた回転ステージと同一の回転ステージで構成されている。 (もっと読む)


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