【課題】複数の荷電粒子線を屈折させる正確さ及びサイズの小ささの両立に有利な静電レンズアレイ。
【解決手段】第１電極板及び第２電極板のそれぞれは、荷電粒子線を通過させる３つ以上の開口をそれぞれ含んで開口どうしが互いに整列している複数の開口サブセット領域を含み、絶縁性スペーサは、第１電極板及び第２電極板における複数の開口サブセット領域にそれぞれ対応し、且つ、対応する開口サブセット領域の外形より大きい外形をそれぞれ有する複数の貫通孔を含み、絶縁性スペーサは、第１電極板における複数の開口サブセット領域の間の領域において第１電極板と接触し、第２電極板における複数の開口サブセット領域の間の領域において第２電極板に接触し、且つ、複数の貫通孔のそれぞれが第１電極板及び第２電極板における対応する開口サブセット領域に整列するように、第１電極板と第２電極板との間に配置されている、ことを特徴とする静電レンズアレイ。 （もっと読む）

【課題】活性種の生成量を多くしてアパーチャの側面のクリーニングを可能にしつつチャンバ内の圧力の上昇を抑える。
【解決手段】クリーニングユニット２００は、第１個数よりも少ない第２個数の放出孔を有する放出孔プレート２０２を含む容器２０３と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構２２０とを含み、前記チャンバ１１５の中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第２個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第１個数よりも少ない前記第２個数の放出孔から放出される活性種によって前記第１個数のアパーチャのすべてがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる。 （もっと読む）

【課題】スループットの維持を図りつつＤＡＣアンプが異常（故障）として検出される前にショットの変化を確実に検出していくことで、ＤＡＣアンプの異常（故障）を事前に予測可能とするＤＡＣアンプの評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ＤＡＣアンプ３４，３５から出力されるアナログ電圧信号を受信し、加算するステップと、加算の結果生成される加算信号をデジタル加算信号に変換するステップと、デジタル加算信号を基にエラーを検出するステップと、を備え、エラー検出ステップでは、電子ビーム照射の整定待ち時間を整定時間よりも短く設定することで荷電粒子ビームのショット時におけるＤＡＣアンプ３４，３５の電圧値が予め設定される閾値外となることをエラーと定義する。 （もっと読む）

【課題】マルチビームを用いた荷電粒子線装置においてビーム間の結像誤差を補正する簡便な方法を実現する。
【解決手段】複数の一次電子ビームレットの焦点を形成する粒子光学部品６０５に於いて、第１の多孔プレート６１３と第２の多孔プレート６１４の複数の対応する開孔が互いに整列配置されており、第１の開孔６１５の位置における第１の幅Ｗ１を第２の開孔６１５’の位置における第２の幅Ｗ２よりも少なくとも５％大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁場レンズ内における電場レンズを構成する中間電極の長さ及び配置を工夫したり、電場レンズの中間電極の内部の中央に絞りを設け、電場レンズ内部でイオンガスの蓄積を阻止させるようにしたので、描画材料の描画フィールドのパターンを描画する時に発生する電子ビームの位置ずれ防止することができる。
【解決手段】電子ビームの描画材料上への集束状態を変化させるための電場レンズであって、電子ビームが内部を通過する円筒型の中間電極と、中間電極の上流側に配置される上段電極と、中間電極の下流側に配置される下段電極とから構成される電場レンズとを備えた電子ビーム描画装置において、磁場レンズが形成する磁場の中心に合わせて中間電極が配置され、且つ中間電極は、少なくとも一つの端部が、磁場レンズが形成する磁場と端部位置に形成される電位の壁とによりイオントラップが形成されない位置に来るように設けた。 （もっと読む）

【目的】より簡易に寸法変動補正を行うことが可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、パターンを構成する図形毎の座標とｘ，ｙ方向サイズと補正方向とが定義された図形データが示す補正方向についての当該図形の線幅寸法を演算する幅寸法演算部６２と、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算するパターン密度算出部６０と、線幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正するドーズ補正係数を演算するドーズ補正係数算出部６４と、図形を描画するための第１の照射量に補正係数を乗じた第２の照射量を演算する照射量補正部７０と、第２の照射量で試料に図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【目的】ローディング効果補正における補正残差を低減させるパタン作成方法、及び装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の試料１０にパタンを作成するパタン作成方法は、メッシュ状の複数のマス目に仮想分割されたかかる試料１０のパタン作成領域におけるメッシュ領域毎に含まれるパタンの面積Ｓとパタンの外周の辺の長さの総和とを用いて設計パタン１２の寸法を変更し、ローディング効果により生じるパタンの寸法誤差を補正することを特徴とする。本発明によれば、ローディング効果補正における補正残差を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、試料を配置するステージ１０５と相対移動しながら、電子ビーム２００，３００を用いて試料にパターンを描画する複数のカラム２２０，３２０と、パターンが描画される試料１０１の描画領域が複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプレイヤ作成部５０と、を備え、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、同時期に、試料のチップ領域に描画を行う。 （もっと読む）

【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ１３は、荷電粒子線３０を偏向する偏向器３１を複数備える。ここで、偏向器３１を構成する、荷電粒子線３０が通過する開口部３２に対して設置される電極対３３、および該電極対３３に電圧を印加する制御回路３４は、第１層４０および第２層４１の少なくとも２つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも１つ（第１層４０）は、電極対３３と制御回路３４との間に、断熱部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】レジストの厚膜化を必要とせず、スループットの低下を最小限にして、ラフネスを向上させることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】パターンの面積密度と、電子ビームの照射量と、パターンのエッジラフネスとの関係を求め、所定の領域におけるパターンの面積密度と電子ビームの照射量とから、上記関係を用いて、このパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する。エッジラフネスが許容値を超える場合には、パターンの面積密度を小さくするリサイズ量を計算し、このリサイズ量に基づきリサイズされたパターンについて、上記領域におけるこのパターンの面積密度と電子ビームの照射量とを求め、上記関係を用いてこのパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する工程をエッジラフネスが許容値以下となるまで繰り返す。 （もっと読む）

【目的】レジストヒーティングによる影響を抑制することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、レジストが塗布された描画対象となる試料の描画領域が仮想分割された複数の小領域のそれぞれの小領域内に配置される複数の図形パターンの各パターンデータであって、図形パターン毎に、当該図形パターンが所属する小領域内でさらに複数のグループの１つに振り分けられるための振り分け識別子が定義された各パターンデータを記憶する記憶装置１４０と、グループ毎に描画順序が並ぶように、各小領域に当該小領域に配置される各パターンデータを割り当てるＳＦ割当部５６と、電子ビームを用いて、グループ毎に、各小領域に当該小領域に配置される各図形パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】並列処理する処理装置の一部で処理エラーが生じた場合でも効率よく描画データを処理する描画データ処理制御装置等を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画処理ユニット１１０は、ＨＤＤ１２４に記憶されている所定の描画領域毎に区切られた複数の描画データの処理を、互いに並列処理する複数の並列演算ユニット１３０のいずれかに順次割当てる割当て部１１６と、割当てられた並列演算ユニット１３０で処理エラーが生じた場合に、処理エラーが生じた並列演算ユニット１３０を次回以降の描画データ処理の割当て対象から切り離す切り離し部１１４と、を備え、割当て部１１６は、処理エラーが生じた描画データの処理を別の並列演算ユニット１３０に割当て直すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料交換回数を減らし装置の稼動率を向上することで、試料作製の経済性を向上したイオンビームエッチング装置を実現する。
【解決手段】試料テーブル１００は、試料１０４を取りつける受容機構１０６とマスク１０５及び、少なくとも１つの位置決めユニット１０１、１０２、１０３を備えている。試料１０４はマスク１０５に対して相対的に位置決め可能である。試料テーブル１００は、１つの試料１０４がイオンビームにさらされている間、残りの位置決めユニット１０１、１０２、１０３がイオンビームから回避される様に配置し、回転機構により試料１０４を順次エッチング加工する事ができる。 （もっと読む）

【課題】例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、偏向器を有し、該偏向器で偏向された荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、偏向器１９は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極ｄ（ｄ１〜ｄ４）と、電極ｄに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線による描画動作に支障を与えることなく、ストッピングアパーチャに堆積される汚染物質を効率よく除去する。
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器１８と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ１９と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒２４と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構２５と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。 （もっと読む）

【目的】偏向信号の通信遅延によるスループットの低下を抑制可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５の移動に追従させるための荷電粒子ビームの偏向量を、互いに重なり合う時期を持ちながら時差をおいて演算する複数のトラッキング演算部２２，２４と、基板面を仮想分割した複数の小領域の小領域毎に、ビームの照射が終了したことを示す終了信号を入力し、終了信号をトリガとして、複数のトラッキング演算部の一方の出力から他方の出力へと切り替える切り替え部３４と、ステージが移動する中、複数のトラッキング演算部の切り替え前は、複数のトラッキング演算部の一方から出力される信号に基づき第ｎ番目の小領域へ荷電粒子ビームを偏向し、切り替え後は、他方から出力される信号に基づき第ｎ＋１番目の小領域へ荷電粒子ビームを偏向する主偏向器２０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）