【課題】誘導結合された高周波プラズマフラッドガンを提供する技術を開示する。
【解決手段】一実施形態例によると、当該技術はイオン注入システムのプラズマフラッドガンとして実現され得る。当該プラズマフラッドガンは、１以上の開口を有するプラズマチャンバと、プラズマチャンバに対して少なくとも１種類のガス状物質を供給できるガス源と、プラズマを発生させることを目的として少なくとも１種類のガス状物質を励起するべく、プラズマチャンバに高周波電力を誘導結合することができる電源とを備える。プラズマチャンバの内面は全面にわたって金属含有材料がなく、プラズマはプラズマチャンバ内において金属含有素子にさらされることがない。また、１以上の開口は、プラズマから発生する荷電粒子の少なくとも一部が通り抜けるだけの幅を持つ。 （もっと読む）

【課題】 スキマーとイオン化器との間の異常放電を容易に防止することができるガスクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】 ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁１８によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁１８に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室１５とを有している。プロセス室１５には、プロセス室１５内に導入されたガスクラスターをイオン化するイオン化器５と、イオン化器５でイオン化されたガスクラスターを加速させてガスクラスターを被処理物である基板８に照射させる電極群７とが備えられている。ノズル１とスキマー４を接地電位にし、スキマー４とイオン化器５との電位差をクラスターイオンの基板８への照射エネルギーより小さくしてある。 （もっと読む）

【課題】 外部から供給した電子によって輸送中のイオンビームの空間電荷を効率良く中和することによって、イオンビームの発散を抑制し、イオンビームの輸送効率を向上させる。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４の経路の側方に配置されていて電子４２をイオンビーム４の経路に向けて放出する電界放出型電子源３０と、少なくとも電界放出型電子源３０にイオンビーム４の経路を挟んで対向する位置に配置されていて電界放出型電子源３０から供給された電子４２を静電的に追い返す追い返し電極６０と、イオンビーム４の経路であって電界放出型電子源３０から電子４２が供給される領域を含む領域に、イオンビーム４の経路に沿う方向の磁界Ｂ₁ を発生させるコイル６６とを備えている。追い返し電源６２を用いて、電界放出型電子源３０のカソード基板３２に対する追い返し電極６０の電位を第２引出し電極４４の電位よりも低く保つ。 （もっと読む）

【課題】 試料の表面に低エネルギーの中性粒子ビームを照射し、試料が電気的に中性を保つように不純物を導入することができるドーピング装置を提供する。
【解決手段】 ドーピング装置１０は、試料１８に中性粒子を照射して不純物をドープする。ドーピング装置１０は、試料１８を保持する保持台４４と、荷電粒子をプラズマとして発生させるプラズマ室１４と、荷電粒子を試料に向けて加速する電極３２と、加速された荷電粒子を中性化して中性粒子を生成する中性室１６とを備えている。また、このドーピング装置１０は、中性化室１６と試料１８との間に設けられ、中性化室１６で中性化されなかった荷電粒子５４を除去する偏向電極６０と、偏向電極６０により除去された荷電粒子５４を計測することにより試料１８へのドープ量を計測する計測手段６４，６６，６８，７０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 中性粒子ビームによる被処理物の加工中に中性粒子ビーム中の残留イオンによる被処理物のチャージアップを避けることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオン７０を生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオン７０を引き出す引出手段と、引き出されたイオン７０を中性化して中性粒子ビーム７２を生成する中性化手段と、中性粒子ビーム７２が照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。中性粒子ビーム処理装置１０は、被処理物１８に帯電した電荷と反対の極性を持つ荷電粒子７６を被処理物１８に照射して、被処理物１８に帯電した電荷を中和する荷電粒子源６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】背景技術による内包フラーレンの製造方法では、真空容器中で堆積基板に直流のバイアス電圧を印加して内包原子からなるイオンを含むプラズマを堆積基板に向けて照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に向けて噴射していた。そのため、堆積時間が長くなると堆積膜がイオンの電荷によりチャージアップし、堆積膜の剥離が起きるという問題があった。
【解決手段】堆積基板に正と負のバイアス電圧を交互に印加することにした。イオンに加速エネルギーを与える状態と堆積膜のチャージを中和する状態を交互に繰り返すことにより、堆積膜に過度のチャージが蓄積しないので、堆積膜の剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの走査方法及び走査速度によらずに、半導体基板上に形成された半導体装置に対する正のチャージアップを抑制して絶縁膜の絶縁破壊及び損傷を防止できるようにする。
【解決手段】 主面上に容量性絶縁膜が形成された半導体ウェーハ７に対して、不純物イオンを注入する。この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームのスキャン位置によらず、ビームポテンシャルによって自律的に電子を引き出すことができるような帯電抑制装置により、イオン注入によるウエハへの正帯電を抑制できるようにする。
【解決手段】 本帯電抑制装置３０は、イオンビームを特定範囲にわたって往復スキャンさせながらウエハに照射して処理を行うに際し、ウエハへの帯電を抑制するためのものである。帯電抑制装置は、第１引出孔３３を有する第１アーク室３４と、第１引出孔と連通し、イオンビームのスキャン範囲に望ませた第２引出孔３６を有する第２アーク室３５とを備える。第１アーク室に第１アーク電圧を印加して第１アーク室にプラズマを生成し、そこから電子を引き出して第２のアーク室に導入し、第２アーク室で再びプラズマを生成してイオンビームとの間にプラズマブリッジを形成する。 （もっと読む）

【課題】 磁場の広がりを制御し、ビーム進行方向への漏洩磁場を抑え、一様な磁場分布を生成してビーム全体を一様に屈曲させることができるエネルギー分析装置を備えたイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置を提供する。
【解決手段】
イオンビーム／荷電粒子ビームを、後段エネルギー分析装置によりエネルギー分析を行った後、基板に照射されるよう構成したイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記後段エネルギー分析装置を、偏向磁石の磁場分布の広がりを制御しつつ、前記イオンビーム／荷電粒子ビームを前記一方向において全体に屈曲させるよう構成する。 （もっと読む）

ガスクラスタイオンビーム処理のためのシステム（３５０）と方法は改良ビームと対象物中和機器（１２２）を利用することで達成される。大きなＧＣＩＢ電流運搬はＧＣＩＢの空間荷電の低エネルギー電子中和によって提供される。電流が大きくなるほどＧＣＩＢのガス量は増大する。高ガス運搬量にも拘わらず通気型ファラデーカップビーム測定システム（３０２）はビーム量測定精度を維持する。
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【課題】 ウエハ表面上を照射するイオンビームに対して最適かつ均一な電子量を供給できるようにして、ウエハ表面でのチャージアップの問題を解消する。
【解決手段】 中和装置は、走査イオンビーム６が紙面の表から裏へ通過する中空部５ａを有するリフレクター５と、リフレクター５の電子導入口５ｂ付近から電子４を供給するアークチャンバー３と、軸２を介してアークチャンバー３を上下移動させるための駆動装置１と、イオンビームの電荷量を測定するためのファラデー箱１１と、電流計１０₁〜１０₃を介して電源１２に接続される電極８₁〜８₃とから構成される。イオン注入の準備段階にて、イオンビームをファラデー箱１１側を通過させ、その電荷量を計測する。その計測値に見合う電流が電流計１０₁〜１０₃に流れるようにチャンバー３の位置を調整する。イオンビームをリフレクター５側を通過させイオン注入を行う。 （もっと読む）