【課題】引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。
【解決手段】イオン源２から引き出されたイオンビームＩＢから特定の質量数及び価数のイオンを選別して導出する質量分離器３と、当該質量分離器３から導出されたイオンビームＩＢを加速又は減速する加速管４と、当該加速管４から導出されたイオンビームＩＢから特定のエネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離器５とを有するイオン注入装置１００の制御方法であって、加速モード運転において加速電圧Ｖ_Ａを０ｋＶとならないように制御する。 （もっと読む）

イオン注入装置において、イオン源の洗浄中に発生されるイオンビームをファラデーカップで検出する。検出されるイオンビームは、イオン源の洗浄プロセスがいつ完了するかを示す関連質量スペクトルを有する。質量スペクトルは洗浄剤とイオン源を構成する材料とからなる信号を生じる。この信号はイオン源チャネルが洗浄されるにつれて時間とともに上昇し、イオン源チャンバから堆積物がエッチ除去されてしまうと水平に一定になり、よってイオン源洗浄の終点を決定するために既存の注入ツールを利用することが可能になる。
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【課題】 イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。
【解決手段】 注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 （もっと読む）

【課題】イオン源から出射するイオンビームの軌道がイオン源におけるＹ方向磁界の影響を受けて設計上のビーム軌道からずれたとしても、分析スリットに入射するイオンビームの軌道を設計上のビーム軌道に近づけることができるようにする。
【解決手段】イオン源１０ａの引出し用電極を第１、第２引出し用電極２２ａ、２２ｂに分けて構成しておき、かつ両電極間に電位差を形成する直流電源５２ａ、５２ｂと、イオンビーム２を撮影してその画像データを出力するカメラ８０と、分析スリット４０を通過したイオンビーム２のビーム電流Ｉ₂を測定する後段ビーム測定器７０とを設けておき、Ｉ₂が最大になるように分析電磁石電流Ｉ₃を調整し、次に、カメラからの画像データに基づいて分析スリットに入射するビーム軌道の設計値からの偏差角度を求め、それが小さくなるように両引出し用電極間の電位差を調整する。調整を繰り返して偏差角度を許容範囲内に入れる。 （もっと読む）

イオン注入システムは、ビーム経路に沿ってイオンビームを生成するイオンソースと、上記イオンビームに対して質量分析および角度補正を行う、上記イオンソースの下流に設けられた質量分析部材と、上記質量分析部材の下流および上記ビーム経路に沿って設けられ、選択された質量分解能およびビームエンベロープに基づく大きさおよび形状をもつリゾルビングアパーチャ電極と、上記リゾルビングアパーチャ電極の下流に設けられた偏向部材であって、上記偏向部材を出る上記イオンビームの角度を変更する偏向部材と、上記偏向部材の下流に設けられ、電荷中和を行い上記イオンビームを減速させる減速電極と、荷電イオンが注入されるワークピースの保持および位置決めを行う、エンドステーション内部の支持プラットフォームと、を有する。上記エンドステーションは、偏向された上記イオンビームがワークピースに対して垂直になるように約８°反時計回りの向きに傾けられて設けられている。
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【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現する。
【解決手段】 イオン注入装置１０は、イオンビームＩＢの通過経路１３にガスを導入して、通過経路１３を所定の内圧に制御する内圧制御装置１５を備えており、内圧制御装置１５により、イオンビームの通過経路１３にガスを導入し、通過経路１３の内圧を所定の内圧に制御した後に、半導体基板３０にイオン注入を行うため、イオンビームＩＢの軌道にガスを存在させることができる。これにより、ガスにイオンビームＩＢを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、半導体基板３０にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。 （もっと読む）

イオン注入システムは、質量分析および角度補正の両方に対して質量分析装置を用いる。イオン源は、ビーム経路に沿ってイオンビームを生成する。当該イオン源の後段には、質量分析装置が配置されている。当該質量分析装置は、上記イオンビームに対して質量分析および角度補正を行う。上記質量分析装置部品の後段および上記ビーム経路に沿って、開口アセンブリ内部に分解開口が配置されている。上記分解開口は、上記イオンビームの選択した質量分解能およびビームエンベロープに応じたサイズおよび形状を有している。上記分解開口の後段には、角度測定システムが配置されている。当該角度測定システムは、イオンビームの入射値の角度を取得する。制御システムは、上記角度測定システムからのイオンビームの入射値の上記角度に応じて、上記質量分析装置に対して磁界調整を行わせる。 （もっと読む）

【課題】 リボン状のイオンビームを曲げる分析電磁石であって、出射時のイオンビームの形態の乱れを小さく抑えることができる分析電磁石とその関連技術を提供する。
【解決手段】 この分析電磁石２００は、第１主コイル２０６、第２主コイル２１２、三つの第１副コイル２１８、三つの第２副コイル２２４、ヨーク２３０および一組の磁極２３２を備えている。両主コイル２０６、２１２は、それぞれ、リボン状のイオンビーム５０のＹ方向の一方側の半分以上ずつをカバーする本体部２０８、２１４を有する鞍型のコイルであって、互いに協働してイオンビーム５０をＸ方向に曲げる主磁界を発生させる。各副コイル２１８、２２４は、それぞれ、各主コイル２０６、２１２の外側に位置する本体部を有する鞍型のコイルであって、主磁界の補正を行う副磁界を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 分析電磁石および分析スリットを備えるイオン注入装置において、空間電荷の影響によってイオンビームの焦点が分析スリットの位置からずれるのを防止する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム２０の運動量分析を行う分析電磁石３０および分析スリット４０を備えている。イオン源１０と分析電磁石３０との間および分析電磁石３０と分析スリット４０との間に、電界レンズ７０および８０をそれぞれ設けている。両電界レンズ７０、８０は、互いに協働して、イオンビーム２０の焦点２２の位置を分析スリット４０の位置に合わせる補正を行う。 （もっと読む）

【課題】イオンの質量分離に際し、高い質量分離分解能を維持しつつ電流ロスを低減できるイオン注入装置を提供する。イオンビームの電流密度分布のムラを低減し均一化を図ることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】質量分離電磁石１７からのイオンビーム１を受けて所望のイオンを選別して通過させる分離スリット２０を備えたイオン注入装置１０において、分離スリット２０は、イオンビーム１を通過させる隙間形状が可変に構成されている。また、引出し電極系１５と質量分離電磁石１７との間に配置され、イオンビーム１が通過する隙間を形成するものであって、イオン源１２から引き出されたイオンビーム１の一部を遮蔽するように隙間形状が可変に構成された可変スリット３０を備える。 （もっと読む）

【課題】入射したイオンビームの全電流量、イオン種比率、中性粒子量の正確な測定ができ、イオン種比率の測定をイオン注入中にでき、励磁、電界形成および２次電子抑制のための電源を不要にして小電力で作動でき、装置全体を小型化できるイオン注入装置用の質量分析器を提供する。
【解決手段】イオン源２と対向しかつ基板６の周囲を通過したイオンビーム５の一部が入射する位置に設置されており、入射したイオンビームに直交する方向に磁場を形成する永久磁石１３と、磁場で曲げられたイオンビームが全て入射し総イオン量と各イオン種量を測定可能なイオン量測定器と、磁場で曲がらない中性粒子が全て入射するように配置された中性粒子測定器１７とを備える。イオン量測定器は、ファラデーカップ１５と可動式遮蔽板１６からなる。 （もっと読む）

寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ技術が開示される。１つの特定の例示的実施形態では、技術は、寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ装置として実現し得る。装置は、スポットビームを前後に走査することにより、予め決められた幅を有するイオンビームを形成するコントローラを含み得る。装置は、静止時にスポットビームの通過を許容する開口機構も含み得る。装置は、さらに、コントローラと開口機構とに結合され、開口機構を走査されたスポットビームと同期して移動させる同期機構も含み得る。これによって、走査されたスポットビームは通過できるが、前記スポットビームに付随する１つ以上の寄生ビームレットは遮断されるようになる。 （もっと読む）

【課題】 コンタミネーションを低減できるビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源１からのビームを、質量分析電磁石装置３ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置７ならびにビーム平行化装置、加速／減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、ウエハ２３に照射するよう構成したビーム照射装置において、前記エネルギー分析装置として、静電、電磁の両機能を持つハイブリッド型の角度エネルギーフィルター１８を設け、前記角度エネルギーフィルターの下流側には、照射されるべきイオン種に対応して切替えられる複数のエネルギースリットを持つマルチサーフェスエネルギースリット１９を設置することにより、低エネルギーから高エネルギーまでの高電流ビームを、中性粒子、異種ドーパント、金属、パーティクル等のコンタミネーションが極めて少ない状態で、選択的に照射できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に対して目的核種の均一な注入を行なえる質量分離型ドーピング装置を提供する。
【解決手段】 質量分離型ドーピング装置は、イオンの流路を含み、断面形状が円弧状に形成されたケーシング１と、断面形状の円弧状の周りを取り巻くように、ケーシングに巻かれたコイル５と、コイル５に電流を流すための電源とを備える。コイル５が巻かれている領域は、第１密度で巻かれた第１密度巻回領域と、コイルの全体が一定の密度で巻かれたときにビーム電流が最大となる位置を避ける領域において第１密度よりも小さい第２密度で巻かれた第２密度巻回領域とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】イオン注入システムとそのビームラインアセンブリを備えており、マルチカスプ磁界がビームガイドに供給され、このビームガイドは進行波にマイクロ波電界をビームガイド通路に沿って供給している。磁界と電界は相互作用して、ビームガイド通路へのビーム封じ込めのために電子サイクロトロン共鳴状態を供給する。 （もっと読む）