リボンまたはリボン形状のビームを作り出すイオン注入機は、スキャンニング装置を備えて、イオン源によって放射されたイオンを端から端まで走査し、イオン注入室内に移動するイオンの薄いビームを供給する。加工物支持体は、加工物を注入室内に配置し、駆動体が、加工物支持体をリボンの平面に対して垂直に薄いリボンビームを通って上下に移動させ、加工物の制御されたビーム処理を達成する。制御装置は、走査装置に接続された第１制御出力を含み、最大量未満にイオンビームの走査を端から端までの大きさに制限し、これにより、加工物の特定領域に加工物のイオン処理を制限する。また、制御装置は、同時に駆動体に接続された第２制御出力を含み、最大量未満に加工物の上下移動の大きさを制限し、イオンビームを加工物の制御された部分に衝突させる。
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【課題】 トランジスタパラメータに差が生じる原因となるウェハ上での不均一性を改善できるイオン注入装置及びそれを用いたイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】 イオンビームソースから送出されたイオンビームをフォーカシングする第１四重極磁極組立体（２１）と、第１四重極磁極組立体（２１）を通過したイオンビームを、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に偏向させるＸ／Ｙスキャナ（２２）と、Ｘ／Ｙスキャナ（２２）を通過したイオンビームを、縦方向及び横方向に圧縮または拡張させる第２四重極磁極組立体（２３）と、第２四重極磁極組立体（２３）に同期してイオンビームを回転させるビーム平行器（２４）とを備え、ビーム平行器（２４）を通過したイオンビームが、ウェハにイオン注入される。 （もっと読む）

走査イオン注入装置の用量均一性が判断される。ベースビーム電流が基板面積全体にわたる完全走査の開始時および／または終了時に測定される。このベースビーム電流は、測定が注入される基板からの脱ガス化による影響を受けないときに測定され、ベース用量分布マップが次いで、当該走査に対して算出される。該走査自体の間に、ビーム不安定性イベントが検出され、該検出済み不安定性イベントの走査における大きさおよび位置が測定される。該算出済みベース用量マップの対応する偏差が判断され、該事前算出済みベース用量分布マップから減算されて、補正済み分布マップを提供する。このように全用量均一性を減算的に（ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅｌｙ）判断することによって、良好な全体の正確性が取得可能であり、該ビーム不安定性イベントの測定においてはそれ程正確ではない。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を防止できるイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 イオン注入装置は、主面を有する試料２１が設置される試料台２２と、複数のイオンを生成するためのイオン生成手段１１であって、イオン源ガスが導入される容器、および、前記容器内に設けられ、熱電子を放出するフィラメントを含むイオン生成手段１１と、前記複数のイオンを含むイオンビームを、試料２１の主面中に注入するための注入手段１３−１９と、前記イオンビームの重心の偏心方向と前記主面の法線方向とが一致するように、試料２１の位置を制御するための制御手段２３−２５とを備えている。 （もっと読む）

ガスクラスタイオンビーム処理のためのシステム（３５０）と方法は改良ビームと対象物中和機器（１２２）を利用することで達成される。大きなＧＣＩＢ電流運搬はＧＣＩＢの空間荷電の低エネルギー電子中和によって提供される。電流が大きくなるほどＧＣＩＢのガス量は増大する。高ガス運搬量にも拘わらず通気型ファラデーカップビーム測定システム（３０２）はビーム量測定精度を維持する。
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本発明は、実質的に真性な半導体の基板（１５８）の領域に注入された、計数された数のドーパントイオン（１４２）を有する汎用タイプの半導体装置に関する。基板（１５８）の一つ以上のドープされた表面領域は、金属化され、電極（１５０）が形成される。計数された数のドーパントイオン（１４２）が、実質的に真性な半導体の領域に注入される。

【その他】
原文には、請求項１１及び請求項１１Ａが存在する。請求項１１Ａは、オンライン手続上、請求項１１内に記載した。

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ファラデードーズ及び均一性監視器は、標的ウェハを囲む磁気抑制されたファラデーカップを含むことができる。狭い開口がファラデーカップの開口部内での放電を減少できる。環状ファラデーカップは連続した断面を備えることができ、とぎれに起因する放電を除去できる。異なる半径における複数の環状ファラデーカップを用いれば、電流密を別々に測定してプラズマ均一性の変化を監視できる。磁気抑制場は、距離の増加と共に場の強さが急激に減少するよう構成してプラズマ及び注入摂動を最小化でき、更に、半径方向及び方位角成分の両方か、主として方位角成分を備えることができる。この場の方位角成分を発生するには、垂直配向され且つ極性を交互配置した複数の磁石又は磁界コイルを用いればよい。更に、ドーズ電子機器が高電圧におけるパルス電流を集積し、集積した電荷をドーズコントローラに光学接続された一連の光パルスに変換できる。
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【課題】 真空度の悪化、構造物の組立不良等に基づくイオンヒ゛ームの不正確な測定による誤った制御を行なわずウェハ等に不純物注入を行うイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ト゛ース゛ファラテ゛ー1は、イオン照射対象物のウェハ4に照射するイオンヒ゛ーム6の軌道外に設けられ、ウェハ4へのイオン注入処理中のイオンヒ゛ーム6のヒ゛ーム電流を測定する。フロントファラテ゛ー2は、ト゛ース゛ファラテ゛ー1近傍のイオンヒ゛ーム6の軌道上に設けられ、イオン注入処理前にイオンヒ゛ーム6のウェハ4の上流のヒ゛ーム電流を測定する。ハ゛ックファラテ゛ー5は、イオンヒ゛ーム6の軌道上に設けられ、イオンヒ゛ーム6のウェハ4の下流のヒ゛ーム電流を測定する。フロントファラテ゛ースリット3は、ウェハ4に対して照射されるイオンヒ゛ーム6を通過させる。図に示さない制御装置は、フロントファラテ゛ー2で測定したイオンヒ゛ーム6のヒ゛ーム電流値と、ハ゛ックファラテ゛ー5で測定したイオンヒ゛ーム6のヒ゛ーム電流値との一致を確認し、ト゛ース゛ファラテ゛ー1で 計測されるヒ゛ーム電流値を、フロントファラテ゛ー2、ハ゛ックファラテ゛ー5で計測されるイオンヒ゛ーム電流値と一致させるための係数Dffを演算する。 （もっと読む）