【課題】基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成するためのイオン注入方法及びデバイスが提供される。
【解決手段】本方法は、以下のステップを有する。先ず、イオンビームが提供され、次に、そのイオンビームの第１の断面形状と第１のイオン密度分布とが検出される。それから、イオンビームの第２の断面形状と第２のイオン密度分布とが、所定のスキャンパスに沿ってイオンビームを移動することによって検出される。その後、所定のスキャンパスが、第１の断面形状、第１のイオン密度分布、第２の断面形状、及び第２のイオン密度分布に従って調節かつ最適化される。次に、イオンビームは、最適化された所定のスキャンパスに沿って最適化されて、基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】プラズマ（イオン）を発生させて、これを高電圧で加速してイオン流を形成し、これを基板に照射し、更に基板に線状レーザー光を照射するドーピング装置において、特に大面積基板を処理するのに適した装置を提案する。
【解決手段】被ドーピング材を前記イオン流断面の長尺方向と概略垂直な方向に移動させドーピングを行い、ドーピング室において基板に対して線状レーザー光を照射することを特徴とする。 （もっと読む）

加工物又はウエハの線量に関連する正確なイオン流を測定するために、シリアル式イオン注入装置の走査型又はリボン型イオンビームの最終エネルギーベンド付近に配置された線量カップを有するイオン注入システム。本システムは、リボン型イオンビームを発生するイオンビーム源を有するイオン注入装置を含む。本システムは、更に、最終エネルギーベンドでビームを屈曲させることにより、リボン型イオンビームのエネルギーをフィルタリングするように構成されたＡＥＦシステムを含む。ＡＥＦシステムは、更に、ＡＥＦシステムに関連し、イオンビーム電流を測定するように構成されたＡＥＦ線量カップを含み、このＡＥＦ線量カップは、最終エネルギーベンドの直後に配置される。ＡＥＦシステムの下流のエンドステーションは、チャンバーによって画定され、加工物は、イオン注入のために、チャンバー内のリボン型イオンビームに対して移動可能な所定の位置に固着される。ＡＥＦ線量カップは、エンドステーション上流の最終エネルギーベンド付近に配置されるため、加工物の注入処理による脱ガスを要因とする圧力変動が軽減される。したがって、本システムでは、ガスによってイオンビーム中に発生する中性粒子が増大する前に、一般的には圧力補償を要することなく、正確にイオン流を測定することができる。この線量測定を使用して走査速度を変更し、イオン源及び加工物の脱ガスを要因とするビーム電流の変動の存在下で、均一な閉ループ線量制御を確保することもできる。
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本発明のイオンビーム均一性検出器は、平行な平面上に配置されかつ選択された距離によって分離された、多数の水平ロッドと多数の垂直ロッドと含む。クロスオーバー測定点は、水平ロッド及び垂直ロッドの交点によって形成される。垂直ロッドに選択的にかつ順次パルスを加えると同時に水平ロッドにバイアスを加えることによって、クロスオーバー測定点に対する測定値を得ることができる。この測定値は、クロスオーバー測定点でのイオンビームの形状及びビーム強度を決定するのに用いられる。これらの測定値に基づいて、続くイオン注入処理の調整を行うことができ、その結果、所望のビーム形状を与えるとともに、ビーム強度に関する均一性を高める。さらに、種々のクロスオーバー点での二次元の入射角度を示す測定値を得るために、複数対の垂直ロッド及び水平ロッドを用いることができる。
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【課題】ウエハの異なる領域に異なるドーズで不純物イオンが注入されるようにする不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法を提供する。
【解決手段】本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。複数のワイドイオンビームのうち少なくとも一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットでの実質的に均一な投与分布を得るために、均一なビームを得ること。
【解決手段】本発明はイオンビーム２０８全体（例 リボン状ビームのより広い部分）にわたって、種々の位置で入射角およびビーム電流の均一性を検出することによって、半導体装置の製造を容易にする。多くの要素からなる１以上の均一性検出器が、イオン注入システム内（単一のウエハ及び／あるいは複数のウエハに基づくシステム）で使用される。各要素は、入射するイオンビームの関数として、ビーム電流を測定する一対のセンサ２０２、２０４と、入射するイオンビームからビームレット２１０を選択的に得るマスク２０６の開口２１４とを含む。特定の要素に対する入射角は、センサ対による測定されたビーム電流から少なくとも部分的に決定される。結果としてイオンビームの生成は均一性が改善され、イオン注入は、改善された均一性と、厳しいプロセス制御の下で実行される。
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【課題】イオン注入において、基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受けることを可能にする、イオンビームを使用して基板に注入する方法を提供する。
【解決手段】注入方法に関し、第１の方向に延びる一連の走査線に沿って基板に対してイオンビームを走査するステップと、該基板と該イオンビーム間の相対的な回転をもたらすステップと、異なる方向に一連の第２の走査線に沿って該イオンビームを走査するステップとを備えている。注入レシピは、異なる領域が各走査ステップ中に生成されるように、各方向の走査中に変化される。該２つの走査ステップ中にこのように形成された領域は、該基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受け取るように重複する。該異なるレシピは、異なるドーパント濃度、ドーピング深さ、または異なるドーパント種をも生じることがある。 （もっと読む）

【課題】単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。
【解決手段】ウェハは、第１のピボット１５０に接続され途中で曲げられたアーム１１０の一端に第２のピボット１４０によって取り付けられたウェハホルダ１２０に載置される。ウェハは第２のピボットによって任意の角度にチルトされ、かつ第１のピボットによって円弧状に機械的走査される。電流密度を第１のピボットからの距離に比例させたリボンビーム２０をコリメータによって形成し、ウェハに照射することにより均一な注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】高速イオンビーム制御を用いた固定ビームによるイオン注入処理におけるグリッチからの回復方法及び装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置には、固定平面イオンビームのソースと、第１操作パラメータ値により決定される通常ビーム軌道に沿ってイオンビームを操縦するビームラインコンポーネントの組と、通常ビーム軌道をウェハに横切らせてウェハを機械的に走査するエンドステーションと、注入通行の過程におけるグリッチに反応して、（１）ビームラインコンポーネントの少なくとも１つについての走査パラメータを直ちに第２値へと変更してイオンビームを通常ビーム軌道から逸らせ、それによりウェハの注入遷移位置において注入を停止し、（２）次に、ウェハ上の注入遷移位置がイオンビームの通常軌道に直接的に乗る注入再開位置へとウェハを移動させ、（３）操作パラメータをその第１値へと戻して、イオンビームを通常ビーム軌道に沿って配向させ、ウェハの注入遷移位置においてイオン注入を再開する制御回路が含まれる。操作パラメータは、引き出し電源の出力電圧、又はその他のイオンビームの軌道に影響を与えるビームラインコンポーネントの電圧、及び／又は、電流であってよい。 （もっと読む）

【課題】 試料の表面に低エネルギーの中性粒子ビームを照射し、試料が電気的に中性を保つように不純物を導入することができるドーピング装置を提供する。
【解決手段】 ドーピング装置１０は、試料１８に中性粒子を照射して不純物をドープする。ドーピング装置１０は、試料１８を保持する保持台４４と、荷電粒子をプラズマとして発生させるプラズマ室１４と、荷電粒子を試料に向けて加速する電極３２と、加速された荷電粒子を中性化して中性粒子を生成する中性室１６とを備えている。また、このドーピング装置１０は、中性化室１６と試料１８との間に設けられ、中性化室１６で中性化されなかった荷電粒子５４を除去する偏向電極６０と、偏向電極６０により除去された荷電粒子５４を計測することにより試料１８へのドープ量を計測する計測手段６４，６６，６８，７０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオン照射装置は、イオン源２０から引き出され質量分離電磁石３２を通したイオンビーム３０を、Ｘ方向において二方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをＸ方向に走査する機能を有するビーム走査器８２と、それから導出されたイオンビームを曲げ戻して平行ビーム化するビーム平行化器８６、８８と、ビーム平行化器８６から導出されたイオンビーム３０が導入され被照射物２にイオンビームを照射して処理を行う処理室９０と、被照射物２をＹ方向に機械的に駆動する駆動機構９４と、ビーム平行化器８８から導出されたイオンビーム３０が導入されビーム計測器９６を用いてビーム計測のみを行う計測室９２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源２０から引き出され質量分離器３２を通したイオンビーム３０を、Ｘ方向において二つの偏向方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをＸ方向に走査する機能を有するビーム走査器８２と、それから導出されたイオンビームをそれぞれ曲げ戻して平行ビーム化する二つのビーム平行化器８６、８８と、ビーム平行化器８６から導出されたイオンビーム３０が導入され、被照射物２にイオンビームを照射してイオン注入等の処理を行う処理室９０と、被照射物２をＹ方向に機械的に駆動する駆動機構９４と、ビーム平行化器８８から導出されたイオンビーム３０が導入され、ビーム計測器９６を用いてイオンビームの計測のみを行う計測室９２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ビーム電流が不安定でもウェハへの不純物面内分布が均一になるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１０は、イオンビーム発生機構１５、スキャナ部１６、イオン注入室２０を有する。スキャナ部１６は、Ｘ方向静電偏向器１６ｘ、Ｙ方向静電偏向器１６ｙを有する。イオンビームＩＢの走査速度は、信号処理部１７ｘ、１７ｙにおける各三角波電圧の周波数変調によって変更可能である。信号処理部１７ｘ、１７ｙは、非接触ビーム電流計１８の計測値の変動に応じて各三角波電圧を周波数変調する。イオンビームＩＢは、その変動によりビーム電流が通常より減少したときにはその走査速度が小さくなり、通常より増大したときにはその走査速度が大きくなるよう制御される。 （もっと読む）

【課題】 真空度を悪化させないようにイオン注入することで、イオン注入処理中断や誤差の伴うドーズ量補正をすることのないイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１００は、イオンビーム発生機構１０５、スキャナ部１０６、イオン注入室１０７を有する。真空ポンプ１０８は、イオン注入室１０６をはじめとしてイオン注入装置１００全体を真空引きする。ワークステーション１１１は真空計１０９に対し、イオンの中性化が起こらない所定の値を規定している。イオン注入中、真空計１０９の測定結果が上記所定の値を下回ったとき、ワークステーション１１１はビームコントローラ１１２に対し、例えばイオン源１０１の動作に関わる電源を通常より低く制御するよう命令を出す。これにより、イオンビームＩＢは例えば第１のビーム量より低い第２のビーム量でもってイオン注入がなされるようになる。 （もっと読む）

イオン注入システムのイオンビーム走査装置を較正するための方法であって、この方法は、走査方向に沿った複数の位置において複数の初期電流密度値を測定する段階と、測定された初期電流密度値及び初期走査時間値に基づいて線形方程式系を作成する段階と、電流密度プロファイルの偏差を低減する線形方程式系の解に対応する１組の走査時間値を決定する段階とを含み、複数の初期電圧走査区間の各々は、複数の初期電圧走査区間のうちの１つ及び対応する複数の初期走査時間値のうちの１つに対応する。線量測定システムと制御システムとを含む、イオン注入システムのイオンビームを較正するための較正システムも提供される。
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【課題】 構造が簡単であり、基材に照射されるイオンビームの照射強度と極めて相関関係の高い検出器における照射強度を正確に測定でき、しかも基材に照射されるイオンビームの照射強度が略目標照射強度となるようにすること。
【解決手段】 真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発させて基板及びモニタガラス２５に蒸着させ、基板及びモニタガラス２５にイオンビーム１０を照射して蒸発材料の薄膜を基板及びモニタガラス２５に形成するイオンアシスト蒸着装置において、モニタガラス２５に設けられイオンビーム１０の照射強度を検出する検出器２３と、検出器２３に照射されるイオンビーム１０の照射強度が略目標照射強度となるように、検出器２３が検出する照射強度に基づいてイオンガンに制御信号を出力するイオン電流密度制御部とを備えるイオンビームの照射強度測定装置６であり、その制御信号に基づいてイオンビーム１０をイオンガンが出射する。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入において、深さ方向だけではなく面方向にも濃度ムラを低減する。
【解決手段】 イオンに反応して固体の反応生成物を生じさせるガスを試料室に導入し、注入時に反応生成物を試料上に堆積させる。この堆積物がイオンビームに対して障害となるので、注入時間の経過に伴って堆積物が厚くなると、注入深さは表面側に徐々にずれ、同じ深さに所定量以上注入されることはない。堆積物が所定の厚さに達した領域では、さらにイオンビームが照射されても、イオンは試料表面まで達しない。即ち、イオンビームの照射量の多い領域と少ない領域の違いは、多い領域の方が先に試料表面まで注入されるだけである。従って、試料室の環境条件を一定に保つことで反応生成物の生成速度を一定に保ち、堆積物の最も薄いところが所定の厚さになるまで注入を行えば、注入の濃度は、面方向にも深さ方向にもほぼ均一になる。 （もっと読む）

本発明は、ワークピースの大きさ、形状及び／又は他の大きさの特徴に類似する１以上のスキャンパターンを、ワークピース上に形成するやり方であって、連続注入処理でワークピース内にイオン注入することを目的とする。さらに、スキャンパターンは互いに交互配置され、ワークピース全体がイオンで一様に注入されるまで、形成され続けることが可能である。
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【課題】 本発明はシリコン半導体基板の水素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できず、モニターした以上の元素が半導体基板中に注入されてしまう。
【解決手段】 ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。次に水素イオンが注入された後のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求め、前記で求めた水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形との差を求めることで半導体基板に注入された水素イオン量を正確に測定できる。 （もっと読む）