【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、基板１０をイオンビーム４の主面４ｓと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第１のビーム照射領域を形成する第１のビーム照射工程と、基板１０をその面内で１８０度回転させる基板回転工程と、基板１０をイオンビーム４の主面４ｓと交差する方向に移動させながら基板にイオンビームを照射して基板上に第２のビーム照射領域を形成する第２のビーム照射工程とを実施して、基板１０上において第１および第２のビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム４を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構３０を用いて平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射方法は、電磁石装置５０を用いて、イオンビーム４を第１の位置４ａに切り換えておいて、基板１０をイオンビーム４の主面５と交差する方向に移動させながらイオンビームを照射して基板上に第１のビーム照射領域を形成する第１のビーム照射工程と、イオンビーム４を第２の位置４ｂに切り換えておいて、同様にして基板１０上に第２のビーム照射領域を形成する第２のビーム照射工程とを実施して、基板１０上において両ビーム照射領域の一部分を互いに重ね合わせて、基板の全面にイオンビーム４を照射する。かつ重ね合わせ部分のイオンビーム照射量分布をビーム電流密度分布調整機構３０を用いて平坦化する。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】 多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室１０と、その一端側に接続された入口側真空予備室６と、他端側に接続された出口側真空予備室と、１枚以上の基板２を、大気中から入口側真空予備室６、複数の処理室１０および出口側真空予備室を経て大気中へと搬送する基板搬送装置とを備えている。更に、各処理室１０にリボン状のイオンビーム５４をそれぞれ供給して、基板２の搬送と協働して、各基板２の全面にイオンビーム５４をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置５０を備えていて、各基板２の全面に対して複数のイオンビーム供給装置５０による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、ワークピースに注入されるイオンを含むプラズマをプラズマチャンバ内に発生させるように構成されたプラズマ源を備える。本装置は、開孔構成を有する集束プレートも含み、該開孔構成は、該集束プレート近傍のプラズマのプラズマシースの形状を変更するように構成されている。本装置はさらに、ワークピースにおける集束イオンの静止時注入領域が開孔よりも実質的に狭くなるように集束プレートから離間されたワークピースを収容するプロセスチャンバも備える。本装置は、イオン注入中にワークピースを走査することによりワークピース内に複数のパターン化エリアを形成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。
【解決手段】 複数のウェーハを装填したウェーハディスクを回転させながら、該複数のウェーハにイオンビームを照射するイオン注入工程において、イオンビームのビーム電流が測定され、ビーム電流に周期変動が存在するかが判定される。周期変動が存在すると判定されたとき、ウェーハディスクの回転速度が、ビーム電流の周期変動と同期しない回転数に更新される。 （もっと読む）

【課題】本発明はウエハーとイオンビームの間の相対運動と幾何学関係を変化させることにより、均一ウエハーに対する注入方法と装置を提供する。
【解決手段】はじめに、ウエハー上に第一軸の長さと第二軸の幅を持つ帯状のイオンビームを形成し、このイオンビームの長さはウエハーの直径より長く、イオンビームの幅はウエハーの直径より狭い。そして、イオンビームが通過するスキャン経路に沿って、ある移動速度でウエハーの中心を移動させ、同時に、ある回転速度でウエハーを回転させる。移動及び回転が同時になされている間、ウエハーがイオンビームを通過する時、このウエハーは第一軸に沿って、イオンビームによって完全に覆われ、一番速い回転速度は移動速度の数倍である。移動速度と回転速度は常数、あるいは、イオンビームのウエハーの位置の関数に相対する。 （もっと読む）

改良した太陽電池製造方法は、イオン注入装置のイオンビームに対して固定したマスクを利用する。イオンビームをマスクの複数の穴を介して基板へ向ける。基板を第１走査速度で移動する際にイオン線量率で、また基板を第２走査速度で移動する際に第２イオン線量率で基板にあてられるように、基板を異なる速度で移動させる。走査速度を変更することによって、種々の線量率を対応する基板位置で基板に注入することができる。これは、イオン注入を用いて太陽電池の製造に有利な精密ドーピングプロフィールを提供することを可能にする。
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【課題】イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。
【解決手段】このイオン注入装置は、所望のエネルギーを有するリボン状のイオンビームを半導体基板に照射する為にリボン状のイオンビームを加速あるいは減速させる加減速器と、リボン状のイオンビームの長辺方向における電流密度分布を均一に制御する為の第１の均一化レンズおよび第２の均一化レンズと、半導体基板が配置される処理室と、処理室内に配置されリボン状のイオンビームの長辺方向における電流密度分布の測定を行うビーム電流計測器とを備えている。そして、処理室側からリボン状のイオンビームの経路を見た時、第２の均一化レンズ、加減速器、第１の均一化レンズの順に、イオンビームの経路に沿って配置している。 （もっと読む）

イオン注入システム（１００）は、ワークピースを保持または支持するように構成されたエンドステーションに向かってイオンビーム（１７０）を導くように構成されたビームラインと、走査システムとを備えている。この走査システムは、該エンドステーションを、第１の方向にそった第１の走査軸（”速い走査”、１４２）と、この第１の方向とは異なる第２の方向にそった第２の走査軸（”遅い走査”、１４４）とを含む二次元的に走査して、イオンビームを通過させるように構成されている。上記システムは、上記イオンビームを、第１の方向とは異なる第３の方向を有する第３の走査軸にそってエンドステーションに対して走査するように構成された、上記走査システムと関連して作動可能な補助走査部をさらに備えている。
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イオン注入システム（１００）、および、これに関連する方法は、鉛筆状イオンビームを走査してリボン状イオンビーム（１１０）を形成するように構成された走査装置と、第１の方向を有する該リボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第２の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材（１１２）とを備えている。本システムは、第２の方向に進む該リボン状イオンビームを受け、また、加工対象物（１０４）を該リボン状イオンビームを注入するために固定するように構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーション（１０２）をさらに備えている。さらに、本システムは、該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システム（１２２、１２４、１０６）を備えている。
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本明細書は、基板を処理するための改良技術を開示する。１つの特定の実施形態において、本技術は、基板の処理方法として実現することができる。この方法は、複数のイオンを含むイオンビームを、イオンビーム経路に沿ってイオン源から基板に向けて指向させるステップと、マスクの少なくとも一部分を、イオンビーム経路内でイオン源と基板との間に設けるステップと、基板及びマスクのうち一方を、基板及びマスクのうち他方に対して平行移動させるステップと、を含むことができる。
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【課題】電流密度分布の均一性が高いイオンビームを照射するイオン注入装置、及び、イオンビームの調整方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板にイオンビームを照射してイオン注入するイオン注入装置であって、断面形状が帯状であるイオンビームの幅方向の電流密度分布を計測する計測部と、幅方向にイオンビームを屈曲するレンズ手段を複数備え、幅方向に沿ったイオンビームの電流密度分布を調整するイオンビーム調整部と、計測部が計測した電流密度分布に応じて、イオンビームを屈曲する大きさを示す制御信号を前記レンズ手段の各々に出力する制御部と、を有し、制御部は、イオンビームのエネルギー、イオンビームを構成するイオンの質量、イオンビームの電流のうち少なくとも一つに応じて制御信号の大きさの上限値を設定する上限値設定部を有し、上限値以下の大きさの制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入プロセスの制御方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。 （もっと読む）

【課題】ビーム幅よりも幅の大きい基板を、ビーム連ね部に悪影響が生じないように処理する。
【解決手段】面内に行形成分割帯２２および列形成分割帯を挟んでｍ行ｎ列（ｍは３以上、ｎは２以上の整数）に配列された複数のセル２０が形成されている基板１０に対して、Ｙ方向のビ−ム幅がｍ行の半数以上の行のセル２０を含むイオンビーム４を用いて、基板１０をＸ方向に移動させながらイオンビーム４を照射してビーム照射領域を形成するビーム照射工程を２回実施して、かつビーム照射工程の合間に基板１０をその面内で１８０度回転させかつＹ方向に移動させてイオンビーム４を照射するセル２０の行を変更する基板位置変更工程を実施して、両ビーム照射領域を連ねて全てのセル２０にイオンビーム４を照射する。しかも二つのビーム照射領域の連ね部を行形成分割帯２２に位置させ、かつイオンビーム４のＹ方向の端部をマスクでＸ方向に平行に整形する。 （もっと読む）

イオンビームの角度構成および放射測定システムを提供する。上記システムは、細長いスリットを有する金属板であって、上記細長いスリットは、金属板の回転中心設置されており、ビームの第一の一部が上記細長いスリット内部を通過するような構成である金属板と、上記金属板の下流側に設置されており、ビームの第一の一部からのビームの第二の一部を通過させるように構成されているスリットを内部に備えており、ビームの第一の一部に関連した第一のビーム電流を測定するように構成されているビーム電流検出器と、上記ビーム電流検出器の下流側に設置されており、ビームの第二の一部に関連した第二のビーム電流を検出するように構成されたビーム角度検出器とを備えており、上記金属板、上記ビーム電流検出器、および上記ビーム角度検出器は、上記金属板の上記回転中心について集合的に回転するように構成されている。
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イオン注入システムと走査システムが提供され、それにおいて、焦点調整用構成要素が、イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果を減少させるために、上記イオンビームの焦点特性を調整するために提供される。上記焦点特性は、ワークピースを横切って走査された上記イオンビームのプロファイルが一定になるために、又は、ワークピースを横切るイオン注入が一定になるために調整され得る。方法は、ワークピースに走査されたイオンビームを提供するために開示されており、走査されたイオンビームを生成するために上記イオンビームを走査する工程と、上記イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果に関連してイオンビームの焦点特性を調整する工程と、上記イオンビームを上記ワークピースへ向き付ける工程とを含んでいることを特徴とする。
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【課題】 基板のステップ回転を用いることなく、基板の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成することができるイオン注入方法等を提供する。
【解決手段】 このイオン注入方法は、基板２の面内におけるイオンビーム４の走査速度を可変にして、基板２の面内におけるイオンビーム４の１片道走査または１往復走査ごとのＸ方向における走査速度分布を、基板２のＹ方向の位置に応じて変化させることによって、基板２の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 安価で、注入量分布のパターンに多様性を持たせることができ、各注入領域間の注入分布が連続的でスムーズになるような不均一注入を行うことができる新規なイオン注入方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。 （もっと読む）

【課題】注入装置の性能を監視するためにダミーウェハのシート抵抗を４点プローブ法により測定し、再生利用のウェハの使用による注入装置の性能を決定する方法を提供する。
【解決手段】基板（ダミーウェハ）１２にドーパント障壁層１４、その上にターゲット層（ポリシリコン層）１６を形成し、注入装置２０によって注入を行い、４点プローブ２２によりポリシリコン層のシート抵抗を測定する。したがって、裸の基板にはプローブによる傷がつかないので研磨する必要はなく、厚さが減少しない。基板はドーパント障壁層とポリシリコン層を剥がして再利用することにより、無制限に繰り返し使用できる。 （もっと読む）