【課題】入射するイオンビーム電流の大きさを提供するイオン打ち込み装置用ビームストップであって、イオンビームの最適化に使用されることが可能なビームストップを提供する。
【解決手段】イオンビーム３４を受ける、セグメント化された表面が提供された電荷収集装置を備える、イオン打ち込み装置１０用ビームストップ１００であって、表面は、少なくとも２つのセグメントに分割され、一方のセグメントが他方のセグメントの周囲に広がり、２つのセグメントの各セグメントは、イオンビームが各セグメントに入射したときに、各セグメントによって収集された電荷を表す１つ以上の信号を提供するように動作する、ビームストップが提供される。そのようなビームストップは、イオンビームをスキャンしなくてもイオンビーム分布の情報を提供する点で有利である。 （もっと読む）

第１方向において軸に沿ってにイオンを走査することによって、イオンを被加工製品に注入するように構成されたイオン発生器と、第１方向と略直交の第２方向において被加工製品を移動させるように構成された可動式ステージと、被加工製品の略外縁においてイオン注入量を測定するように構成されたイオン検出装置と、オンウエハの高速走査速度またはオフウエハの高速走査速度で移動させる制御部からの指令を受け取る第１方向ドライバと、低速走査速度で被加工製品の可動式ステージを移動させる制御部からの指令を受け取る第２方向ドライバとを含む、生産性を最適化するイオン注入システム。
（もっと読む）

【課題】 注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム４を発生させるイオン源２内に原料ガス３４を導入するものであってＹ方向に配列された複数のガス導入部３８と、それから導入する原料ガス３４の流量を調節する複数の流量調節器３６とを備えている。更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 分析電磁石および分析スリットを備えるイオン注入装置において、空間電荷の影響によってイオンビームの焦点が分析スリットの位置からずれるのを防止する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム２０の運動量分析を行う分析電磁石３０および分析スリット４０を備えている。イオン源１０と分析電磁石３０との間および分析電磁石３０と分析スリット４０との間に、電界レンズ７０および８０をそれぞれ設けている。両電界レンズ７０、８０は、互いに協働して、イオンビーム２０の焦点２２の位置を分析スリット４０の位置に合わせる補正を行う。 （もっと読む）

イオン注入装置は、イオンビームを生成してワークピースに導くイオンビーム発生器を備える。イオンビームとワークピースとの間の相対運動により、ワークピースの前面に走査パターンが生成される。走査パターンは、ワークピースの前面の少なくとも一部に振動パターンを有する。 （もっと読む）

イオンビーム電流の均一性を監視するモニタ、イオン注入装置及び関連の方法を開示する。一実施形態では、イオンビーム電流均一性モニタ（１５）は、複数のロケーションにおけるイオンビーム（１２）の電流を測定する複数の測定デバイス（１７）を有するイオンビーム電流測定器と、イオンビーム電流測定器によるイオンビームの電流の測定値に基づいてイオンビーム電流の均一性を維持する制御器（１８）とを備える。 （もっと読む）

方法はイオン注入の間のイオンビームの変動を調整および／または補償するためにターミナルリターン電流を得る。１つまたは複数の別個の上流電流測定値が、イオン注入システムの領域から得られる。ターミナルリターン電流、または上流電流の合成物は、１つまたは複数の電流測定値から得られる。そして、ターミナルリターン電流は、ターゲットウェハでのビーム電流の均一性を促進するためにイオンビームの注入量またはスキャンを調節することに利用される。
（もっと読む）

【課題】 静電偏向による走査中におけるビーム径を走査位置によらずほぼ一定に保つことができるようにする。
【解決手段】 イオン注入装置等のビーム処理装置に適用されるビーム偏向走査装置において、ビーム軌道を間にして対向し合うように一対の走査電極２１Ａ、２１Ｂを配置する。この一対の走査電極の区間に、この一対の走査電極の対向方向と直交する方向であってかつビーム進行方向に沿う一対の電場補正電極２７、２８をビーム軌道を間にして対向し合うように配置する。この一対の電場補正電極に常に補正電圧を印加することにより、往復走査されるビームに対しその往復走査の正逆電位の切り替え時に補正電場が大きく作用するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】ウエハー内の領域別に相異なる注入エネルギーでイオン注入を行う、不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを発生するイオンビームソース１１０と、第１時間の間は相対的に小さい第１注入エネルギーのイオンビームを作り、第２時間の間は相対的に大きい第２注入エネルギーのイオンビームを作る注入エネルギー調節器１２０と、前記注入エネルギーが調節されたイオンビームを加速するビームライン１３０と、前記ウエハー１５０を前記イオンビームに対して垂直方向に移動し、前記ウエハー１５０の第１領域には前記第１注入エネルギーのイオンビームを注入し、前記ウエハーの第２領域には前記第２注入エネルギーのイオンビームを注入するためのエンドステーション１４０と、を備えてイオン注入装置を構成する。 （もっと読む）

振子型のイオン注入装置における不均一イオン注入は、対応する不均一関数に従って、ウエハの移動を調節することによって軽減される。すなわち、不均一イオン注入関数は、イオン注入を測定すること、及び／又はモデル化することによって得られる。その後、第２の弓状ではない走査軌道に沿ったウエハの移動は、均一なイオン注入を促進するために不均一イオン関数に従って調節される。
（もっと読む）

【課題】入射したイオンビームの全電流量、イオン種比率、中性粒子量の正確な測定ができ、イオン種比率の測定をイオン注入中にでき、励磁、電界形成および２次電子抑制のための電源を不要にして小電力で作動でき、装置全体を小型化できるイオン注入装置用の質量分析器を提供する。
【解決手段】イオン源２と対向しかつ基板６の周囲を通過したイオンビーム５の一部が入射する位置に設置されており、入射したイオンビームに直交する方向に磁場を形成する永久磁石１３と、磁場で曲げられたイオンビームが全て入射し総イオン量と各イオン種量を測定可能なイオン量測定器と、磁場で曲がらない中性粒子が全て入射するように配置された中性粒子測定器１７とを備える。イオン量測定器は、ファラデーカップ１５と可動式遮蔽板１６からなる。 （もっと読む）

【課題】イオンの質量分離に際し、高い質量分離分解能を維持しつつ電流ロスを低減できるイオン注入装置を提供する。イオンビームの電流密度分布のムラを低減し均一化を図ることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】質量分離電磁石１７からのイオンビーム１を受けて所望のイオンを選別して通過させる分離スリット２０を備えたイオン注入装置１０において、分離スリット２０は、イオンビーム１を通過させる隙間形状が可変に構成されている。また、引出し電極系１５と質量分離電磁石１７との間に配置され、イオンビーム１が通過する隙間を形成するものであって、イオン源１２から引き出されたイオンビーム１の一部を遮蔽するように隙間形状が可変に構成された可変スリット３０を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板位置での２次元のイオンビーム電流分布の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。制御装置１２は、モニタ１０からの測定データに基づいて電源１４を制御することによって、モニタ１０で測定したビーム電流が多いモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を相対的に大きくし、測定したビーム電流が少ないモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を小さくして、モニタ１０で測定される２次元のビーム電流分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】リボンビームを用いたイオン注入において、ドーズ量の面内均一性を高める。
【解決手段】リボンビーム１０に対してウェーハＷをＸ、Ｙの２方向へスキャンさせ、各方向へのスキャンに際しては、リボンビーム１０の強度分布を補正するようにスキャン速度を制御する。リボンビーム１０の強度分布を補正するようなスキャン速度は、ビーム強度とドーズ量が比例関係にあることを考慮して、ビーム強度の大きさに比例して変化させる。ここで、リボンビームの強度分布はビーム幅方向におけるビーム分布であり、スキャン方向は、ビーム幅方向と交差する方向である。従って、一の方向へのスキャンに際して、他の方向へのビームスキャンの結果生じるドーズ量分布を考慮に入れてスキャン速度を制御することにより、リボンビーム１０の強度分布を補正できる。これにより、最終的に、ドーズ量を面内においてほぼ一様化でき、面内均一性の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板にいろいろな条件のイオンを注入できるように特定領域に選択的にイオン注入が可能なイオン注入システム及びこれを用いたイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを提供するソース部と、ソース部から抽出されたイオンビームを加速し、加速されたイオンビームを半導体基板の第１方向にスキャンするように制御するビームライン部と、半導体基板がスキャンするイオンビームと対面するように半導体基板を固定させ、第１方向とは異なる第２方向に動くプラテン（ｐｌａｔｅｎ）を有するターゲットチャンバと、スキャンされるイオンビームの第１方向の幅を調節して半導体基板にイオン注入するように、第１方向に沿って開口部分のサイズ調節が可能な開口を有する第１可変スクリーンアパーチュアと、スキャンされるイオンビームの量を測定するためのドーズカップとを有するファラデー部とを備える。 （もっと読む）

リボンビームの均一性向上技術が開示される。一実施形態においては、装置は、第一群の磁心部と、前記第一群の磁心部の周りに配された第一の複数のコイルとを含む第一の補正器―バーアセンブリと、第二群の磁心部と、前記第二群の磁心部の周りに配された第二の複数のコイルとを含み、前記第一の補正器―バーアセンブリから所定の距離に位置する、第二の補正器―バーアセンブリと、を含み、前記第一の複数のコイルの各々を個々に励起して前記リボンビームの少なくとも一つのビームレットを偏向することで、前記複数のビームレットを望ましい空間的拡散で前記第二の補正器―バーアセンブリに到達させ、前記第二の複数のコイルの各々を個々に励起して前記リボンビームの一以上のビームレットを更に偏向することで、前記複数のビームレットを望ましい角度で前記第二の補正器―バーアセンブリから放出させうる。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができる方法を提供する。
【解決手段】 このイオン注入方法は、イオンビーム４が基板２に入射する領域内で、イオンビーム４の走査速度をステップ状に変化させて基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、各注入工程の合間であってイオンビームが基板に当たっていない間に、基板２をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施し、かつ注入工程として、イオンビーム４の走査速度を、基板２の一端から他端にかけて、第１の走査速度、それとは異なる第２の走査速度および第１の走査速度にステップ状に変化させる注入工程をｎ回（ｎは２以上の整数）実施すると共に、回転工程として、基板を３６０／ｎ度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、基板２の面内において、中央領域とそれを囲む外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストからのアウトガスによるドーズシフトを十分に低減し、高精度のイオン注入を実現すること。
【解決手段】レジストを有せずにウェハ表面を露出させた第１のテストウェハに対して、注入するイオン種ならびに注入エネルギーを所定の一定条件として所定のドーズ量でイオン注入を行った後、イオン注入領域の電気物理特性を測定してドーズ量と電気物理特性との関係を求める第1のステップと、ウェハ表面にレジストが形成されると共にレジストの一部にウェハ表面を露出させる開口を有する第２のテストウェハに対して、第１のステップと同じイオン種と注入エネルギーの条件でイオン注入してイオン注入領域の電気物理特性を測定する第２のステップと、第２のステップで測定された電気物理特性と第１のステップで求めた同じドーズ量における電気物理特性とを比較してドーズ量のずれを評価する第３のステップと、を有した。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのｙ方向（長手方向）のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、ターゲット８近傍におけるイオンビーム４のｙ方向のビーム電流密度分布を測定するビームプロファイルモニタ１４と、ターゲット位置よりも上流側におけるイオンビーム経路を挟んで相対向するようにｙ方向に並べて配置されていて互いに独立してｘ方向に可動の複数の可動遮蔽板１６をそれぞれ有する可動遮蔽板群１８ａ、１８ｂと、それらを構成する各可動遮蔽板１６を互いに独立してｘ方向に往復駆動する遮蔽板駆動装置２２ａ、２２ｂと、モニタ１４による測定情報に基づいて遮蔽板駆動装置２２ａ、２２ｂを制御して、測定したｙ方向のビーム電流密度が相対的に大きい位置に対応する前記相対向する可動遮蔽板１６によるイオンビーム４の遮蔽量を相対的に多くして、ｙ方向のビーム電流密度分布の均一性を向上させる遮蔽板制御装置２４とを備えている。 （もっと読む）

寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ技術が開示される。１つの特定の例示的実施形態では、技術は、寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ装置として実現し得る。装置は、スポットビームを前後に走査することにより、予め決められた幅を有するイオンビームを形成するコントローラを含み得る。装置は、静止時にスポットビームの通過を許容する開口機構も含み得る。装置は、さらに、コントローラと開口機構とに結合され、開口機構を走査されたスポットビームと同期して移動させる同期機構も含み得る。これによって、走査されたスポットビームは通過できるが、前記スポットビームに付随する１つ以上の寄生ビームレットは遮断されるようになる。 （もっと読む）