高速−低速走査を用いるマスクイオン注入
改良した太陽電池製造方法は、イオン注入装置のイオンビームに対して固定したマスクを利用する。イオンビームをマスクの複数の穴を介して基板へ向ける。基板を第１走査速度で移動する際にイオン線量率で、また基板を第２走査速度で移動する際に第２イオン線量率で基板にあてられるように、基板を異なる速度で移動させる。走査速度を変更することによって、種々の線量率を対応する基板位置で基板に注入することができる。これは、イオン注入を用いて太陽電池の製造に有利な精密ドーピングプロフィールを提供することを可能にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施態様は、デバイス製造の分野に関する。特に、本発明は、シャドウマスクを利用するイオン注入用の走査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は、基板へ導電率を変える不純物を導入するための標準的な技術である。基板および付随する薄膜構造体における精密なドーピングプロフィールは、適切なデバイス性能にとって重要である。一般に、所望の不純物材料をイオン源内でイオン化し、そのイオンを加速して所定のエネルギーのイオンビームを形成し、そのイオンビームを基板の表面に向ける。該ビーム中のエネルギーイオンが、基板材料のバルクに侵入し、基板材料の結晶格子に組み込まれて所望の導電率の領域を形成する。
【０００３】
かかるイオン注入装置を用いて太陽電池を形成することができる。一般に、太陽電池は基板材料としてシリコンをしばしば用いる他の半導体デバイスに用いられるのと同じプロセスを用いて製造される。半導体太陽電池は、半導体材料における光子の吸収により発生した電荷担体を分離する内蔵電界を有する。この電界は、通常半導体材料の特異的なドーピングによって創出されるｐ-ｎ接合（ダイオード）の形成により作成される。反対極性の不純物で半導体基板の一部（例えば、表面領域）をドープすることは、光を電気に変換する光起電デバイスとして使用し得るｐ-ｎ接合を形成する。これらの太陽電池は、循環する天然資源を用いた無公害で平等なアクセスのエネルギーを提供する。環境問題および上昇するエネルギーコストのため、太陽電池は、世界的にさらに重要となっている。これらの高性能太陽電池の製造コストを低減することや生産能力を増大すること、あるいは高性能太陽電池に対する他の効率向上は、世界中での太陽電池の推進にプラスの影響を与えるだろう。このことは、このクリーンエネルギー技術の幅広い有用性を可能にするであろう。
【０００４】
太陽電池は、効率を向上させるためのドーピングを必要とする場合がある。これは、選択エミッタ太陽電池の断面図である図１で明らかとなる。エミッタ２００をドーピングし、接点２０２の下の領域２０１に付加的なドーパントを提供することは、太陽電池の効率を高め得る。領域２０１をより高濃度にドーピングすると導電性を向上し、接点２０２間のドーピングを少なくして電荷収集を向上させる。これら接点２０２をおよそ２〜３ｍｍ離してのみ配置することができる。領域２０１は、およそ５０〜３００μｍの幅でのみ存在し得る。
【０００５】
図２は、櫛形バック接点（ＩＢＣ）太陽電池の断面図である。ＩＢＣ太陽電池では、前記接合部が太陽電池の背面上に存在する。この特定の実施態様において、ドーピングパターンは、ｐ-型およびｎ-型の交互ドーパント領域である。ｐ＋エミッタ２０３およびｎ＋裏面電界２０４をドーピングし得る。このドーピングは、ＩＢＣ太陽電池内の接合が高められた効率で機能するか、または高められた効率を有するのを可能にし得る。
【０００６】
従来、太陽電池は、ドーパント含有ガラスまたは加熱されてドーパントを太陽電池内へ拡散させるペーストを用いてドーピングされてきた。これは、太陽電池の種々の領域に精密なドーピングを行うことができず、空隙、気泡または汚染物質が存在する場合には、不均一なドーピングが起こり得る。イオン注入は太陽電池の精密なドーピングを可能にするため、太陽電池はイオン注入から利益を享受できた。しかしながら、太陽電池のイオン注入は、ドーパントの特定パターンを必要とするか、または太陽電池基板の特定領域のみにイオンを注入することを必要とする場合がある。これまで、基板の特定領域のみへの注入は、フォトレジストおよびイオン注入を用いて達成されてきた。しかしながら、フォトレジストの使用は、余分に処理工程を伴うために、太陽電池の生産に余分なコストを追加する。太陽電池表面に対する他の硬質マスクは高価であり、同様に余分な処理工程を必要とする。太陽電池の小さな領域に注入することおよび注入領域間のシート抵抗をさらに低くすることは直列抵抗を改善するために利点がある。この両方は、イオン注入の使用により達成し得る。従って、本技術分野において、シャドウマスクによる改良した注入方法、より詳細には、太陽電池製造でシャドウマスクを使用するイオン注入のための走査方法が必要である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の例示的実施態様は、イオン注入器内でイオンを基板へ注入するための装置および方法を対象とする。例示的な方法において、イオンビームをシャドウマスクの穴を介して対象の基板を支持するように構成された基板支持体に向ける。マスクの穴と一直線になった基板の第１部分にイオンビームをあてる。基板の第１部分にイオンビームをあてたときに、基板支持体をイオンビームに対し第１走査速度で移動させる。マスクの穴と一直線になった基板の第２部分にイオンビームをあてる。基板の第２部分にイオンビームをあてたときに、基板支持体をイオンビームに対して第２走査速度で移動させ、ここで第１走査速度と第２走査速度は異なる。
【０００８】
例示的実施態様において、イオン注入器は、イオン源、ビームラインアセンブリー、シャドウマスクおよび走査アセンブリーを具える。ビームラインアセンブリーは、イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成し、そのイオンビームを基板支持体上に配置した基板へ向けるように構成する。マスクは、基板の前面に配置し、イオンビームのそれぞれの部分がマスクを介して基板へ向かうことを可能にする複数の穴を有する。走査アセンブリーは、基板の第１部分が複数の穴と一直線になったときに第１走査速度で、また基板の第２部分が複数の穴と一直線になったときに第２走査速度で基板をイオンビームに対して移動させるように構成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、選択エミッタ太陽電池の断面図である。
【図２】図２は、櫛形バック接点太陽電池の断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施態様による代表的なイオン注入器のブロック図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、シャドウマスクを介するイオン注入の断面図である。
【図４】図４は、シャドウマスクの正面斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施態様による基板の速度プロフィールの例である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｅ】図６Ｅは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図７】図７は、本発明の実施態様による図６Ａ〜図６Ｅに示した注入方法に由来する基板の正面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の好ましい実施態様を示す図面を参照しながら、本発明を以下にさらに充分に説明する。しかしながら、本発明は、数多くの異なる形態に具体化することができ、本明細書中に示す実施態様に限定されるものとみなすべきではない。むしろ、これらの実施態様は、本願の開示が詳細かつ完全なものであり、本発明の範囲を当業者に充分に伝えるように提供される。図面において、全体を通して類似の数字は類似の構成要素を表わす。
【００１１】
図３Ａは、イオン源チャンバ１２０を具えるイオン注入器１１５のブロック図である。電源１２１は、特定種のイオンを発生させるように構成したイオン源チャンバ１２０に必要なエネルギーを供給する。発生したイオンをイオン源から一連の電極１１４を介して抽出し、ビーム１０１にして質量分析磁石１１６に通す。質量分析器は、所望の質量対電荷比を有するイオンのみを分析器を介して質量分解スリット１１７による最大伝達用に進むことができるような特定の磁場を有するように構成される。所望の種のイオンが質量スリット１１７から減速ステージ１１８を介して補正磁石１１９に通る。補正磁石１１９を付勢して、適用した磁場の強度および方向に従ってイオンビームを偏向し、支持体（例えば、プラテン）１０２上に位置した加工片すなわち基板（図３Ｂの１００）にリボンビームを向ける。いくつかの実施態様においては、第２減速ステージ１２２を補正磁石１１９と支持体１０２との間に配置することができる。イオンは、基板内の電子および核と衝突した際にエネルギーを失い、加速エネルギーに基づいて基板内の所望の深さで静止する。マスク１０４（図３ｂに示す）は、プラテン１０２を格納するプロセスチャンバ内で基板（図３ｂに１００で示す）に近接して配置される。マスク１０４を、本明細書中でシャドウまたは近接マスクとも呼ぶ。マスクは、複数の穴（図３Ｂの１０５）を有し、その穴と一直線になったイオンビームの部分を基板に向けて進めることを可能にし、穴１０５と一直線になっていないイオンビームの部分を遮断する。
【００１２】
イオンビーム１０１は、基板に向かって（Ｚ方向に）進むと、その幅（Ｘ方向）よりも小さい高さ（Ｙ方向）を有する。イオンビームの高さは幅よりも小さいため、基板の一部分のみにイオンビームがあたる。従って、基板全体を走査するためには、イオンビーム１０１（結果的にマスク１０４）が基板に対して移動しなければならず、または基板をイオンビーム１０１に対して移動させなければならない。しかしながら、基板の表面を走査するためにイオンビームおよびマスクが移動する場合、複雑な冷却接続および接地接続がこの走査動作をすでに空間が貴重であるプロセスチャンバ内で収容しなければならない。従って、基板をイオンビーム１０１に対して移動させることは、より単純である。走査アセンブリー１０２ａをプラテン１０２と連結し、基板をイオンビームに対して移動させるように構成する。特に、走査アセンブリーは、基板の第１部分が複数の穴と一直線になったときに第１走査速度で、基板の第２部分が前記複数の穴と一直線になったときに第２走査速度で基板を移動させる。
【００１３】
走査アセンブリーを用いて、イオンビームが基板に所望のイオンドーズ量を注入すると、基板をＹ方向に可変速度で動かす。あるいは、走査アセンブリーは、イオンビームが基板に所望のイオンドーズ量を注入すると、基板をＸ方向に可変速度で動かすことができる。このように、走査速度は、基板の特定の部分で滞在時間をより長くして太陽電池の接触領域を高濃度にドープするように減速し、また滞在時間をより短くして太陽電池の露出したエミッタ領域を低濃度にドープするようにより速く移動することもできる。
【００１４】
図３Ｂは、マスクを介した注入の断面図である。基板１００において特定のパターンのイオン注入が所望される場合、マスク１０４をイオンビーム１０１の経路で基板１００の前面に置くことができる。このマスク１０４は、シャドウまたは近接マスクとすることができる。基板１００は、例えば、プラテン１０２上に置いた太陽電池とすることができる。太陽電池に用いる典型的な基板は非常に薄く、およそ３００ミクロン以下の厚さであることが多い。基板１００を、静電気的な力または物理的な力を用いてプラテン１０２上で所定の位置に保持する。必要ではないが、基板のＸ方向の幅はイオンビーム１０１の幅よりも狭いことが好ましい。しかしながら、基板の直交方向についてそのような制限は好まれない。
【００１５】
マスク１０４は、所望するイオン注入のパターンに一致する１個以上の穴１０５を有する。シャドウマスク１０４の使用は、他のイオン注入技術で必要なスクリーン印刷またはリソグラフィーのようなプロセス工程を排除する。上述したように、図１の領域２０１で見られるような太陽電池の接点部分の下に高濃度のドーパントレベルを有するという利点がある。選択エミッタ太陽電池について論じたが、本方法の実施態様は他の太陽電池デザインに適用することもできる。点接触は、金属-シリコン接触面積を最小にするであろう。これらの点接触について、ドーパントを接点２０２の下に局在させて電場を付与し、少数キャリアから接点を遮蔽するべきである。高濃度にドープした領域は有害であるため、接点２０２間に存在し得る不動態化表面の下にドーパントを局在させなければならない。
【００１６】
点接触は、その上に点を有するマスクを介して注入することによってドープしてもよい。しかしながら、かかるドーピング構造を有する太陽電池の直列抵抗は、依然として接点２０２間のドーパントの量によって制限される場合がある。マスク１０４を介した注入において、基板１００を走査するときに、マスク１０４は基板１００と共に進まなければならない。上述したように、この移動は、マスク１０４の冷却および接地の困難性を増す。加えて、小さな穴１０５を有するマスク１０４は、多量のイオンビーム１０３を遮断し、生産性およびデバイス処理量を低下させる。
【００１７】
複数の穴１０５を有する固定したマスク１０４は、イオンビーム１０１の高さ（Ｙ方向）をカバーするように構成する。これは、例えばリボンイオンビーム１０１の高さまたは走査イオンビーム１０１の最高最低垂直範囲とすることができる。このような設計は、イオンビーム１０１を走査する次元（例えば、Ｙ方向）またはリボンイオンビーム１０１の長さ次元（例えば、Ｘ方向）などの一次元で位置の定義を提供する。基板１００を走査する方向のような第２の次元での位置の定義は、基板１００の走査速度を変えることによって提供される。
【００１８】
図４は、７個の穴４０５を有するシャドウマスク４０４の正面斜視図であり、イオンビーム１０１に対して固定される（すなわち、並行移動または走査しない）。７個の穴４０５を図示したが、マスク４０４は単に７個の穴４０５に限定されず、その他の数も可能である。イオンビーム１０１などのイオンビームが注入プロセスの間中マスク４０４へ入射し、このイオンビームに対しマスク４０４は動かないかまたは固定されている。基板１００をマスク４０４の背後で走査する。穴４０４間で、またマスク４０５ｂおよび４０５ｃの末端で規定されたマスク４０５ａの部分は、イオンビームが基板１００上へ注入されるのを妨げる。
【００１９】
図５は、例示的な基板についての対応する走査速度プロフィールの例である。この速度プロフィールでは、速度プロフィールの大部分の間は基板１００を第１速度で移動させるが、イオンビーム１０１が基板１００上の５つの等間隔の場所の各々にある際に基板１００を第２速度に減速する。具体的に、基板１００はｔＮとｔＮ−１の間で規定される例示的な時間間隔に対し参照記号５０１によって表された第１速度Ｓ１で移動する。基板１００の移動速度は、ｔＮ−１とｔＮ−２の間で規定される例示的な時間間隔に対し参照記号５００によって表された速度Ｓ２へ変わる。走査速度Ｓ１は走査速度Ｓ２よりも遅いことから、基板１００の表面上の速度Ｓ２でのイオンビーム１０１からのイオンの線量率は、基板がイオンビームにより速く移動しているために低くなる。従って、これら５つの位置間で基板１００に注入されるドーズ（５０１によって表される）は、速い走査速度Ｓ１のために、基板上の５つの位置でのドーズ（５００によって表される）よりも低くなる。これを用いて、基板の高線量率の位置を例示的な太陽電池上の点金属接触に合わせることができる。
【００２０】
図６Ａ〜図６Ｅは、図５の速度プロフィールに対応する注入方法の結果を示す。図６Ａにおいて、イオンビーム１０１がマスク４０４の穴４０５を介して第１位置で基板１００に注入される。低ドーズ領域６０１は、走査速度が速い（Ｓ１）図５の速度プロフィールの部分に対応する。図６Ｂにおいて、イオンビーム１０１がマスク４０４の穴４０５を介して第２位置で注入され、ここで高ドーズの注入領域６００がより遅い走査速度（Ｓ２）を有する速度プロフィールの部分に対応する。このように、図６Ｂは、高ドーズ注入領域６００、第１位置の低ドーズ注入領域６０１、および穴４０５間のマスク４０５ａの領域に対応する未ドープ領域６０２を示す。
【００２１】
基板１００をマスク４０４の背後で連続的に走査することができる。しかしながら、図５に見られるように、基板１００は、イオンビーム１０１を高ドーズ注入領域６００に注入しているときには、基板１００の低ドーズ領域６０１と比べて遅い第２速度で走査する。従って、基板１００は、図６Ａ〜図６Ｂに示した第１位置および第２位置での注入のものより速く第１位置と第２位置との間（図示せず）を第１速度で移動する。マスクをイオンビーム１０１に対して固定しているため、基板の走査中にマスクを基板と共に移動させる必要がなく、特に低ドーズレベルで増加した製造処理量を提供する。
【００２２】
図６Ｃ〜図６Ｅは、基板１００が例示的なＹ方向に移動する際の基板の位置に部分にそれぞれ対応する第３位置、第４位置および第５位置におけるマスク４０４の穴４０５を介して注入されたイオンビーム１０１の結果を表す。図７は、図６Ａ〜図６Ｅに示した注入方法に由来する基板の正面斜視図である。図７に示すように、一連の高ドーズ注入領域６００が、低ドーズ注入領域６０１を間に挟んで基板１００に形成される。未ドープ領域６０２は、穴４０５間とマスク４０４の周縁でのマスク領域４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃの背後で一直線となった基板の部分に対応する。高ドーズ注入領域６００は、金属化工程の間に付加される太陽電池のさらなる点接触に対応することができる。マスク４０４は図６Ａ〜図６Ｅにおいて動かないかまたは固定されているから、マスク４０４が基板１００のように移動しないために、複雑でない冷却接続および接地接続がもたらされる。これはまた、マスク４０４の有効性ならびに冷却接続および接地接続の信頼性を向上させることもできる。
【００２３】
図７の基板１００は、基板１００と共に走査するマスク１０４のようなシャドウマスクによって製造することができた。しかしながら、基板１００全体が、図６Ａ〜図６Ｅに示す注入工程のそれぞれと同じ時間でイオンビーム１０１内にとどまらなければならない。これは、注入を行うのに必要なイオンビーム１０１のドーズが、Ｓｈ/((Ｂｈ)(ｎ))（ここで、Ｓｈは基板１００の高さ、Ｂｈはイオンビーム１０１の高さ、ｎは高ドーズ注入領域６００の列の数である）の因子によって増加させられるであろうことを意味する。イオンビームの高さが４ｍｍ、基板１００の高さが１５６ｍｍ、高ドーズ注入領域６００が４列である場合、図６Ａ〜６Ｅに図示する方法を用いると、総ドーズ量は、走査マスク１０４での注入方法よりも１０倍少なくできる。この低減したドーズ量は、処理量の増加および生産コストの低減をもたらす。低減したドーズ量は、マスク４０４への熱負荷をより少なくすることにもつながり得る。
【００２４】
高ドーズ注入領域６００間の低ドーズ注入領域６０１は、あらゆる生成した太陽電池の直列抵抗を下げることができる。多数キャリアを発生部位から接点まで移送する必要があり、多数キャリアが移送中に出会う抵抗は太陽電池の出力を減ずる。接触点間で生じる多数キャリアについて、接点間の僅かに高いドーズが抵抗を下げるであろう。これは、太陽電池においてより良好な内部直列抵抗をもたらすことができる。
【００２５】
本開示の範囲は、本明細書中に記載した特定の実施態様によって限定されない。実際、上述の記載および添付図面から、本明細書に記載したものに加えて、本開示の他の様々な実施態様および変更が当業者には明らかであろう。よって、かかる他の実施態様および変更が本開示の範囲内に含まれることを意図する。さらに、本開示は特定の目的について特定の環境下で特定の実施に関連して本明細書中に説明されているが、当業者であれば、その実用性がそれらに限定されず、本開示がいくつもの目的についていくつもの環境下で有益に実施され得ることを理解するであろう。従って、特許請求の範囲は、本明細書に記載する本開示の完全な幅広さおよび精神の観点から解釈されるべきである。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施態様は、デバイス製造の分野に関する。特に、本発明は、シャドウマスクを利用するイオン注入用の走査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は、基板へ導電率を変える不純物を導入するための標準的な技術である。基板および付随する薄膜構造体における精密なドーピングプロフィールは、適切なデバイス性能にとって重要である。一般に、所望の不純物材料をイオン源内でイオン化し、そのイオンを加速して所定のエネルギーのイオンビームを形成し、そのイオンビームを基板の表面に向ける。該ビーム中のエネルギーイオンが、基板材料のバルクに侵入し、基板材料の結晶格子に組み込まれて所望の導電率の領域を形成する。
【０００３】
かかるイオン注入装置を用いて太陽電池を形成することができる。一般に、太陽電池は基板材料としてシリコンをしばしば用いる他の半導体デバイスに用いられるのと同じプロセスを用いて製造される。半導体太陽電池は、半導体材料における光子の吸収により発生した電荷担体を分離する内蔵電界を有する。この電界は、通常半導体材料の特異的なドーピングによって創出されるｐ-ｎ接合（ダイオード）の形成により作成される。反対極性の不純物で半導体基板の一部（例えば、表面領域）をドープすることは、光を電気に変換する光起電デバイスとして使用し得るｐ-ｎ接合を形成する。これらの太陽電池は、循環する天然資源を用いた無公害で平等なアクセスのエネルギーを提供する。環境問題および上昇するエネルギーコストのため、太陽電池は、世界的にさらに重要となっている。これらの高性能太陽電池の製造コストを低減することや生産能力を増大すること、あるいは高性能太陽電池に対する他の効率向上は、世界中での太陽電池の推進にプラスの影響を与えるだろう。このことは、このクリーンエネルギー技術の幅広い有用性を可能にするであろう。
【０００４】
太陽電池は、効率を向上させるためのドーピングを必要とする場合がある。これは、選択エミッタ太陽電池の断面図である図１で明らかとなる。エミッタ２００をドーピングし、接点２０２の下の領域２０１に付加的なドーパントを提供することは、太陽電池の効率を高め得る。領域２０１をより高濃度にドーピングすると導電性を向上し、接点２０２間のドーピングを少なくして電荷収集を向上させる。これら接点２０２をおよそ２〜３ｍｍ離してのみ配置することができる。領域２０１は、およそ５０〜３００μｍの幅でのみ存在し得る。
【０００５】
図２は、櫛形バック接点（ＩＢＣ）太陽電池の断面図である。ＩＢＣ太陽電池では、前記接合部が太陽電池の背面上に存在する。この特定の実施態様において、ドーピングパターンは、ｐ-型およびｎ-型の交互ドーパント領域である。ｐ＋エミッタ２０３およびｎ＋裏面電界２０４をドーピングし得る。このドーピングは、ＩＢＣ太陽電池内の接合が高められた効率で機能するか、または高められた効率を有するのを可能にし得る。
【０００６】
従来、太陽電池は、ドーパント含有ガラスまたは加熱されてドーパントを太陽電池内へ拡散させるペーストを用いてドーピングされてきた。これは、太陽電池の種々の領域に精密なドーピングを行うことができず、空隙、気泡または汚染物質が存在する場合には、不均一なドーピングが起こり得る。イオン注入は太陽電池の精密なドーピングを可能にするため、太陽電池はイオン注入から利益を享受できた。しかしながら、太陽電池のイオン注入は、ドーパントの特定パターンを必要とするか、または太陽電池基板の特定領域のみにイオンを注入することを必要とする場合がある。これまで、基板の特定領域のみへの注入は、フォトレジストおよびイオン注入を用いて達成されてきた。しかしながら、フォトレジストの使用は、余分に処理工程を伴うために、太陽電池の生産に余分なコストを追加する。太陽電池表面に対する他の硬質マスクは高価であり、同様に余分な処理工程を必要とする。太陽電池の小さな領域に注入することおよび注入領域間のシート抵抗をさらに低くすることは直列抵抗を改善するために利点がある。この両方は、イオン注入の使用により達成し得る。従って、本技術分野において、シャドウマスクによる改良した注入方法、より詳細には、太陽電池製造でシャドウマスクを使用するイオン注入のための走査方法が必要である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の例示的実施態様は、イオン注入器内でイオンを基板へ注入するための装置および方法を対象とする。例示的な方法において、イオンビームをシャドウマスクの穴を介して対象の基板を支持するように構成された基板支持体に向ける。マスクの穴と一直線になった基板の第１部分にイオンビームをあてる。基板の第１部分にイオンビームをあてたときに、基板支持体をイオンビームに対し第１走査速度で移動させる。マスクの穴と一直線になった基板の第２部分にイオンビームをあてる。基板の第２部分にイオンビームをあてたときに、基板支持体をイオンビームに対して第２走査速度で移動させ、ここで第１走査速度と第２走査速度は異なる。
【０００８】
例示的実施態様において、イオン注入器は、イオン源、ビームラインアセンブリー、シャドウマスクおよび走査アセンブリーを具える。ビームラインアセンブリーは、イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成し、そのイオンビームを基板支持体上に配置した基板へ向けるように構成する。マスクは、基板の前面に配置し、イオンビームのそれぞれの部分がマスクを介して基板へ向かうことを可能にする複数の穴を有する。走査アセンブリーは、基板の第１部分が複数の穴と一直線になったときに第１走査速度で、また基板の第２部分が複数の穴と一直線になったときに第２走査速度で基板をイオンビームに対して移動させるように構成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、選択エミッタ太陽電池の断面図である。
【図２】図２は、櫛形バック接点太陽電池の断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施態様による代表的なイオン注入器のブロック図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、シャドウマスクを介するイオン注入の断面図である。
【図４】図４は、シャドウマスクの正面斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施態様による基板の速度プロフィールの例である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図６Ｅ】図６Ｅは、本発明の実施態様による図５の速度プロフィールに対応する注入方法を表す。
【図７】図７は、本発明の実施態様による図６Ａ〜図６Ｅに示した注入方法に由来する基板の正面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の好ましい実施態様を示す図面を参照しながら、本発明を以下にさらに充分に説明する。しかしながら、本発明は、数多くの異なる形態に具体化することができ、本明細書中に示す実施態様に限定されるものとみなすべきではない。むしろ、これらの実施態様は、本願の開示が詳細かつ完全なものであり、本発明の範囲を当業者に充分に伝えるように提供される。図面において、全体を通して類似の数字は類似の構成要素を表わす。
【００１１】
図３Ａは、イオン源チャンバ１２０を具えるイオン注入器１１５のブロック図である。電源１２１は、特定種のイオンを発生させるように構成したイオン源チャンバ１２０に必要なエネルギーを供給する。発生したイオンをイオン源から一連の電極１１４を介して抽出し、ビーム１０１にして質量分析磁石１１６に通す。質量分析器は、所望の質量対電荷比を有するイオンのみを分析器を介して質量分解スリット１１７による最大伝達用に進むことができるような特定の磁場を有するように構成される。所望の種のイオンが質量スリット１１７から減速ステージ１１８を介して補正磁石１１９に通る。補正磁石１１９を付勢して、適用した磁場の強度および方向に従ってイオンビームを偏向し、支持体（例えば、プラテン）１０２上に位置した加工片すなわち基板（図３Ｂの１００）にリボンビームを向ける。いくつかの実施態様においては、第２減速ステージ１２２を補正磁石１１９と支持体１０２との間に配置することができる。イオンは、基板内の電子および核と衝突した際にエネルギーを失い、加速エネルギーに基づいて基板内の所望の深さで静止する。マスク１０４（図３ｂに示す）は、プラテン１０２を格納するプロセスチャンバ内で基板（図３ｂに１００で示す）に近接して配置される。マスク１０４を、本明細書中でシャドウまたは近接マスクとも呼ぶ。マスクは、複数の穴（図３Ｂの１０５）を有し、その穴と一直線になったイオンビームの部分を基板に向けて進めることを可能にし、穴１０５と一直線になっていないイオンビームの部分を遮断する。
【００１２】
イオンビーム１０１は、基板に向かって（Ｚ方向に）進むと、その幅（Ｘ方向）よりも小さい高さ（Ｙ方向）を有する。イオンビームの高さは幅よりも小さいため、基板の一部分のみにイオンビームがあたる。従って、基板全体を走査するためには、イオンビーム１０１（結果的にマスク１０４）が基板に対して移動しなければならず、または基板をイオンビーム１０１に対して移動させなければならない。しかしながら、基板の表面を走査するためにイオンビームおよびマスクが移動する場合、複雑な冷却接続および接地接続がこの走査動作をすでに空間が貴重であるプロセスチャンバ内で収容しなければならない。従って、基板をイオンビーム１０１に対して移動させることは、より単純である。走査アセンブリー１０２ａをプラテン１０２と連結し、基板をイオンビームに対して移動させるように構成する。特に、走査アセンブリーは、基板の第１部分が複数の穴と一直線になったときに第１走査速度で、基板の第２部分が前記複数の穴と一直線になったときに第２走査速度で基板を移動させる。
【００１３】
走査アセンブリーを用いて、イオンビームが基板に所望のイオンドーズ量を注入すると、基板をＹ方向に可変速度で動かす。あるいは、走査アセンブリーは、イオンビームが基板に所望のイオンドーズ量を注入すると、基板をＸ方向に可変速度で動かすことができる。このように、走査速度は、基板の特定の部分で滞在時間をより長くして太陽電池の接触領域を高濃度にドープするように減速し、また滞在時間をより短くして太陽電池の露出したエミッタ領域を低濃度にドープするようにより速く移動することもできる。
【００１４】
図３Ｂは、マスクを介した注入の断面図である。基板１００において特定のパターンのイオン注入が所望される場合、マスク１０４をイオンビーム１０１の経路で基板１００の前面に置くことができる。このマスク１０４は、シャドウまたは近接マスクとすることができる。基板１００は、例えば、プラテン１０２上に置いた太陽電池とすることができる。太陽電池に用いる典型的な基板は非常に薄く、およそ３００ミクロン以下の厚さであることが多い。基板１００を、静電気的な力または物理的な力を用いてプラテン１０２上で所定の位置に保持する。必要ではないが、基板のＸ方向の幅はイオンビーム１０１の幅よりも狭いことが好ましい。しかしながら、基板の直交方向についてそのような制限は好まれない。
【００１５】
マスク１０４は、所望するイオン注入のパターンに一致する１個以上の穴１０５を有する。シャドウマスク１０４の使用は、他のイオン注入技術で必要なスクリーン印刷またはリソグラフィーのようなプロセス工程を排除する。上述したように、図１の領域２０１で見られるような太陽電池の接点部分の下に高濃度のドーパントレベルを有するという利点がある。選択エミッタ太陽電池について論じたが、本方法の実施態様は他の太陽電池デザインに適用することもできる。点接触は、金属-シリコン接触面積を最小にするであろう。これらの点接触について、ドーパントを接点２０２の下に局在させて電場を付与し、少数キャリアから接点を遮蔽するべきである。高濃度にドープした領域は有害であるため、接点２０２間に存在し得る不動態化表面の下にドーパントを局在させなければならない。
【００１６】
点接触は、その上に点を有するマスクを介して注入することによってドープしてもよい。しかしながら、かかるドーピング構造を有する太陽電池の直列抵抗は、依然として接点２０２間のドーパントの量によって制限される場合がある。マスク１０４を介した注入において、基板１００を走査するときに、マスク１０４は基板１００と共に進まなければならない。上述したように、この移動は、マスク１０４の冷却および接地の困難性を増す。加えて、小さな穴１０５を有するマスク１０４は、多量のイオンビーム１０３を遮断し、生産性およびデバイス処理量を低下させる。
【００１７】
複数の穴１０５を有する固定したマスク１０４は、イオンビーム１０１の高さ（Ｙ方向）をカバーするように構成する。これは、例えばリボンイオンビーム１０１の高さまたは走査イオンビーム１０１の最高最低垂直範囲とすることができる。このような設計は、イオンビーム１０１を走査する次元（例えば、Ｙ方向）またはリボンイオンビーム１０１の長さ次元（例えば、Ｘ方向）などの一次元で位置の定義を提供する。基板１００を走査する方向のような第２の次元での位置の定義は、基板１００の走査速度を変えることによって提供される。
【００１８】
図４は、７個の穴４０５を有するシャドウマスク４０４の正面斜視図であり、イオンビーム１０１に対して固定される（すなわち、並行移動または走査しない）。７個の穴４０５を図示したが、マスク４０４は単に７個の穴４０５に限定されず、その他の数も可能である。イオンビーム１０１などのイオンビームが注入プロセスの間中マスク４０４へ入射し、このイオンビームに対しマスク４０４は動かないかまたは固定されている。基板１００をマスク４０４の背後で走査する。穴４０４間で、またマスク４０５ｂおよび４０５ｃの末端で規定されたマスク４０５ａの部分は、イオンビームが基板１００上へ注入されるのを妨げる。
【００１９】
図５は、例示的な基板についての対応する走査速度プロフィールの例である。この速度プロフィールでは、速度プロフィールの大部分の間は基板１００を第１速度で移動させるが、イオンビーム１０１が基板１００上の５つの等間隔の場所の各々にある際に基板１００を第２速度に減速する。具体的に、基板１００はｔＮとｔＮ−１の間で規定される例示的な時間間隔に対し参照記号５０１によって表された第１速度Ｓ１で移動する。基板１００の移動速度は、ｔＮ−１とｔＮ−２の間で規定される例示的な時間間隔に対し参照記号５００によって表された速度Ｓ２へ変わる。走査速度Ｓ１は走査速度Ｓ２よりも遅いことから、基板１００の表面上の速度Ｓ２でのイオンビーム１０１からのイオンの線量率は、基板がイオンビームにより速く移動しているために低くなる。従って、これら５つの位置間で基板１００に注入されるドーズ（５０１によって表される）は、速い走査速度Ｓ１のために、基板上の５つの位置でのドーズ（５００によって表される）よりも低くなる。これを用いて、基板の高線量率の位置を例示的な太陽電池上の点金属接触に合わせることができる。
【００２０】
図６Ａ〜図６Ｅは、図５の速度プロフィールに対応する注入方法の結果を示す。図６Ａにおいて、イオンビーム１０１がマスク４０４の穴４０５を介して第１位置で基板１００に注入される。低ドーズ領域６０１は、走査速度が速い（Ｓ１）図５の速度プロフィールの部分に対応する。図６Ｂにおいて、イオンビーム１０１がマスク４０４の穴４０５を介して第２位置で注入され、ここで高ドーズの注入領域６００がより遅い走査速度（Ｓ２）を有する速度プロフィールの部分に対応する。このように、図６Ｂは、高ドーズ注入領域６００、第１位置の低ドーズ注入領域６０１、および穴４０５間のマスク４０５ａの領域に対応する未ドープ領域６０２を示す。
【００２１】
基板１００をマスク４０４の背後で連続的に走査することができる。しかしながら、図５に見られるように、基板１００は、イオンビーム１０１を高ドーズ注入領域６００に注入しているときには、基板１００の低ドーズ領域６０１と比べて遅い第２速度で走査する。従って、基板１００は、図６Ａ〜図６Ｂに示した第１位置および第２位置での注入のものより速く第１位置と第２位置との間（図示せず）を第１速度で移動する。マスクをイオンビーム１０１に対して固定しているため、基板の走査中にマスクを基板と共に移動させる必要がなく、特に低ドーズレベルで増加した製造処理量を提供する。
【００２２】
図６Ｃ〜図６Ｅは、基板１００が例示的なＹ方向に移動する際の基板の位置に部分にそれぞれ対応する第３位置、第４位置および第５位置におけるマスク４０４の穴４０５を介して注入されたイオンビーム１０１の結果を表す。図７は、図６Ａ〜図６Ｅに示した注入方法に由来する基板の正面斜視図である。図７に示すように、一連の高ドーズ注入領域６００が、低ドーズ注入領域６０１を間に挟んで基板１００に形成される。未ドープ領域６０２は、穴４０５間とマスク４０４の周縁でのマスク領域４０５ａ、４０５ｂおよび４０５ｃの背後で一直線となった基板の部分に対応する。高ドーズ注入領域６００は、金属化工程の間に付加される太陽電池のさらなる点接触に対応することができる。マスク４０４は図６Ａ〜図６Ｅにおいて動かないかまたは固定されているから、マスク４０４が基板１００のように移動しないために、複雑でない冷却接続および接地接続がもたらされる。これはまた、マスク４０４の有効性ならびに冷却接続および接地接続の信頼性を向上させることもできる。
【００２３】
図７の基板１００は、基板１００と共に走査するマスク１０４のようなシャドウマスクによって製造することができた。しかしながら、基板１００全体が、図６Ａ〜図６Ｅに示す注入工程のそれぞれと同じ時間でイオンビーム１０１内にとどまらなければならない。これは、注入を行うのに必要なイオンビーム１０１のドーズが、Ｓｈ/((Ｂｈ)(ｎ))（ここで、Ｓｈは基板１００の高さ、Ｂｈはイオンビーム１０１の高さ、ｎは高ドーズ注入領域６００の列の数である）の因子によって増加させられるであろうことを意味する。イオンビームの高さが４ｍｍ、基板１００の高さが１５６ｍｍ、高ドーズ注入領域６００が４列である場合、図６Ａ〜６Ｅに図示する方法を用いると、総ドーズ量は、走査マスク１０４での注入方法よりも１０倍少なくできる。この低減したドーズ量は、処理量の増加および生産コストの低減をもたらす。低減したドーズ量は、マスク４０４への熱負荷をより少なくすることにもつながり得る。
【００２４】
高ドーズ注入領域６００間の低ドーズ注入領域６０１は、あらゆる生成した太陽電池の直列抵抗を下げることができる。多数キャリアを発生部位から接点まで移送する必要があり、多数キャリアが移送中に出会う抵抗は太陽電池の出力を減ずる。接触点間で生じる多数キャリアについて、接点間の僅かに高いドーズが抵抗を下げるであろう。これは、太陽電池においてより良好な内部直列抵抗をもたらすことができる。
【００２５】
本開示の範囲は、本明細書中に記載した特定の実施態様によって限定されない。実際、上述の記載および添付図面から、本明細書に記載したものに加えて、本開示の他の様々な実施態様および変更が当業者には明らかであろう。よって、かかる他の実施態様および変更が本開示の範囲内に含まれることを意図する。さらに、本開示は特定の目的について特定の環境下で特定の実施に関連して本明細書中に説明されているが、当業者であれば、その実用性がそれらに限定されず、本開示がいくつもの目的についていくつもの環境下で有益に実施され得ることを理解するであろう。従って、特許請求の範囲は、本明細書に記載する本開示の完全な幅広さおよび精神の観点から解釈されるべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームをシャドウマスクの穴を介して対象の基板を支持するように構成した基板支持体へ向ける工程と；
前記マスクの穴と一直線になった基板の第１部分にイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第１部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第１走査速度で移動させる工程と；
前記マスクの穴と一直線になった基板の第２部分にイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第２部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第２走査速度で移動させる工程とを備え、
前記第１走査速度が前記第２走査速度よりも遅いことを特徴とするイオンを太陽電池基板へ注入する方法。
【請求項２】
前記基板が太陽電池を形成するのに用いる材料であり、前記第１走査速度が太陽電池の点接触に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シャドウマスクをイオンビームに対し固定して位置づける工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シャドウマスクをイオンビームの第１次元に対し固定する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記イオンビームを基板上で第１次元に対応して走査する工程をさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１次元がイオンビームの高さに対応する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１次元がイオンビームの幅に対応する請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記シャドウマスクをイオンビームの経路に対し直交してならべる工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記イオンビームの高さ寸法よりも大きい高さ寸法を有する穴のマスクを付与する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
イオンビームをシャドウマスクの複数の穴を介して対象の基板を支持するように構成した基板支持体に向ける工程と；
前記基板の第１部分に前記マスクの複数の穴に対応するイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第１部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第１速度で移動させる工程と；
前記基板の第２部分に前記マスクの複数の穴に対応するイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第２部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第２速度で移動させる工程とを備え、
前記第１走査速度が前記第２走査速度より速いことを特徴とする基板へイオンを注入する方法。
【請求項１１】
前記基板の第１部分および第２部分にイオンビームをあてるときに、前記シャドウマスクの複数の穴間の領域と一直線になった基板の第３部分にイオンビームが到達するのを妨げる工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シャドウマスクをイオンビームの経路に対し直交してならべる工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記シャドウマスクをイオンビームに対し固定して位置づける工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２走査速度が太陽電池の点接触に対応する請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
イオン源と；
前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成し、前記イオンビームを基板支持体上に配置した基板に向けるように構成したビームラインアセンブリーと；
前記基板の前面に配置し、複数の穴を有し、前記イオンビームのそれぞれの部分が基板に向かうのを可能にしたマスクと；
前記基板の第１部分が複数の穴と一直線になったときに第１走査速度で、また前記基板の第２部分が複数の穴と一直線になったときに第２走査速度で前記基板支持体を前記イオンビームに対して移動させるように構成した走査アセンブリーとを備え、
ここで前記第１走査速度が前記第２走査速度より速く、前記第２走査速度が太陽電池の点接触に対応することを特徴とする太陽電池を形成するのに用いた材料である基板へ注入するためのイオン注入装置。
【請求項１６】
前記シャドウマスクが、前記基板の前面でイオンビームに対し固定して配置される請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項１７】
前記イオンビームが高さ次元を有し、前記穴が穴の高さに相当する長さを有する請求項１４に記載のイオン注入装置
【請求項１８】
前記シャドウマスクの温度を維持するために前記シャドウマスクに接続した冷却サブアセンブリーをさらに具える請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記第１走査速度が前記第２走査速度より遅く、前記基板の第１部分が前記基板の第２部分と比較して前記イオンビーム由来の高線量率のイオンを有する請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
前記基板が太陽電池を形成するのに用いる材料であり、前記基板の前記第１部分が太陽電池の点接触に対応する請求項１８に記載のイオン注入装置。
【請求項１】
イオンビームをシャドウマスクの穴を介して対象の基板を支持するように構成した基板支持体へ向ける工程と；
前記マスクの穴と一直線になった基板の第１部分にイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第１部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第１走査速度で移動させる工程と；
前記マスクの穴と一直線になった基板の第２部分にイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第２部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第２走査速度で移動させる工程とを備え、
前記第１走査速度が前記第２走査速度よりも遅いことを特徴とするイオンを太陽電池基板へ注入する方法。
【請求項２】
前記基板が太陽電池を形成するのに用いる材料であり、前記第１走査速度が太陽電池の点接触に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シャドウマスクをイオンビームに対し固定して位置づける工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シャドウマスクをイオンビームの第１次元に対し固定する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記イオンビームを基板上で第１次元に対応して走査する工程をさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１次元がイオンビームの高さに対応する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１次元がイオンビームの幅に対応する請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記シャドウマスクをイオンビームの経路に対し直交してならべる工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記イオンビームの高さ寸法よりも大きい高さ寸法を有する穴のマスクを付与する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
イオンビームをシャドウマスクの複数の穴を介して対象の基板を支持するように構成した基板支持体に向ける工程と；
前記基板の第１部分に前記マスクの複数の穴に対応するイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第１部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第１速度で移動させる工程と；
前記基板の第２部分に前記マスクの複数の穴に対応するイオンビームをあてる工程と；
前記基板の第２部分にイオンビームをあてるときに、前記基板支持体を前記イオンビームに対し第２速度で移動させる工程とを備え、
前記第１走査速度が前記第２走査速度より速いことを特徴とする基板へイオンを注入する方法。
【請求項１１】
前記基板の第１部分および第２部分にイオンビームをあてるときに、前記シャドウマスクの複数の穴間の領域と一直線になった基板の第３部分にイオンビームが到達するのを妨げる工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シャドウマスクをイオンビームの経路に対し直交してならべる工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記シャドウマスクをイオンビームに対し固定して位置づける工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２走査速度が太陽電池の点接触に対応する請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
イオン源と；
前記イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成し、前記イオンビームを基板支持体上に配置した基板に向けるように構成したビームラインアセンブリーと；
前記基板の前面に配置し、複数の穴を有し、前記イオンビームのそれぞれの部分が基板に向かうのを可能にしたマスクと；
前記基板の第１部分が複数の穴と一直線になったときに第１走査速度で、また前記基板の第２部分が複数の穴と一直線になったときに第２走査速度で前記基板支持体を前記イオンビームに対して移動させるように構成した走査アセンブリーとを備え、
ここで前記第１走査速度が前記第２走査速度より速く、前記第２走査速度が太陽電池の点接触に対応することを特徴とする太陽電池を形成するのに用いた材料である基板へ注入するためのイオン注入装置。
【請求項１６】
前記シャドウマスクが、前記基板の前面でイオンビームに対し固定して配置される請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項１７】
前記イオンビームが高さ次元を有し、前記穴が穴の高さに相当する長さを有する請求項１４に記載のイオン注入装置
【請求項１８】
前記シャドウマスクの温度を維持するために前記シャドウマスクに接続した冷却サブアセンブリーをさらに具える請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記第１走査速度が前記第２走査速度より遅く、前記基板の第１部分が前記基板の第２部分と比較して前記イオンビーム由来の高線量率のイオンを有する請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
前記基板が太陽電池を形成するのに用いる材料であり、前記基板の前記第１部分が太陽電池の点接触に対応する請求項１８に記載のイオン注入装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７】
【公表番号】特表２０１３−５０２０７７（Ｐ２０１３−５０２０７７Ａ）
【公表日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５２４８４４（Ｐ２０１２−５２４８４４）
【出願日】平成２２年８月１１日（２０１０．８．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０４５１８６
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０１９８２８
【国際公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【出願人】（５００２３９１８８）ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド (69)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１１日（２０１０．８．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０４５１８６
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０１９８２８
【国際公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【出願人】（５００２３９１８８）ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド (69)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]