【課題】リボンビームの角度均一性およびドーズ量均一性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】リボンビームの均一性向上装置は第一の補正器―バーアセンブリ３０２と、その下流に距離Ｄだけ離れた位置に配置された第二の補正器―バーアセンブリ３０４とから構成される。各補正器は磁心部とその周りに配された複数のコイルを含み、コイルは個々に励起される。リボンビーム３０の各ビームレット３１〜３７は第一の補正器で個々に偏向される。例えば、ビームレット３２は小さな角度θで偏向される。各ビームレットは第二の補正器の位置で空間的に再配置され、ドーズ量均一性を向上できる。さらに、各ビームレットは第二の補正器で偏向されて平行にされる。すなわち角度均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１７へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室２０または真空処理室３０内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計２１で計測される１個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと１個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの製造に使用されるイオン注入装置の真空室やビームラインの構成部品からの残留物を洗浄する。
【解決手段】残留物を有効に除去するため、構成部品は、残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間の間かつ十分な条件下で、気相反応性のハロゲン化物組成物と接触させられる。気相反応性のハロゲン化物組成物は、残留物と選択的に反応し、一方で、真空室のイオン源領域の構成部品と反応しないように選択される。 （もっと読む）

【課題】第一と第二の面を備えた３次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する３次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う３次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程Ｓ４と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程Ｓ５と、判別工程Ｓ５で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程Ｓ６を行う。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４の経路に向けて測定ビーム１２を放射するための測定ビーム源２０と、イオンビーム１４によって反射された測定ビーム１２、またはイオンビーム１４を透過した測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４に関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハを製造するにあたり、ウェーハ品質の悪化を防止するため、イオン注入機の基板保持具の劣化状況を容易に判定することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入機の基板保持具の劣化を判定する方法であって、作製された貼り合わせウェーハ又は一部が剥離されたボンドウェーハの品質を測定し、該測定された品質から、前記ボンドウェーハを保持したイオン注入機の基板保持具の劣化を判定するイオン注入機の基板保持具の劣化判定方法。 （もっと読む）

【課題】真空引きに要する時間を短縮し得るイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置２は、モータ９２によってチャンバ１０をＹ軸方向に往復移動させるとともに、モータ２９によってウエハ２０を回転させることによって、ウエハ２０に対するイオン放出チューブ１００の位置を調整する。チャンバ１０の表蓋１２にはチャンバ貫通穴１４が形成されており、イオン放出チューブ１００はチャンバ貫通穴１４の内壁（チャンバ１０の外壁）に干渉しない。本実施例のイオン注入装置２では、従来のイオン注入装置のようにチャンバがウエハの移動に応じて変形する必要がなく、チャンバを大きく形成する必要もない。そのため、チャンバ１０を従来のイオン注入装置に比べて小さくすることができる。その結果、チャンバ１０内の真空引きに要する時間を、従来のイオン注入装置に比べて短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】
安価かつ簡素な装置構成にて、イオン源より発生するパーティクルの基板への混入が防止できるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】
本発明のイオン注入装置ＩＭは、イオンビーム引出し口１４を介して重力方向Ｇと交差する方向にイオンビーム２を引き出すイオン源１と、基板４が搭載される搬送トレイ７と、少なくとも１つの開口部６を有し、搬送トレイ７に取り付けられたマスク５と、搬送トレイ７をイオンビーム２と交差する方向に移動させることで、マスク５に形成された開口部６を通して基板の所定領域にイオンビーム２を照射させる駆動機構とを備えている。そして、重力方向Ｇに沿ってイオンビーム引出し口１４を見たときに、イオンビーム引出し口１４の下面を覆うとともに、基板４へのイオンビーム２の照射を妨げない防塵板１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】
基板の面内に形成される不均一なドーズ量分布の形状によらず、不所望なドーズ量分布である遷移領域を小さくするとともに、イオン注入処理に要する時間を短縮させることのできるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】
このイオン注入方法は、イオンビーム３と基板１１との相対的な位置関係を変更させることによって、基板１１へのイオン注入を実施するイオン注入方法である。そして、基板１１上に均一なドーズ量分布を形成する第一のイオン注入処理と基板１１上に不均一なドーズ量分布を形成する第二のイオン注入処理とを予め決められた順番に従って行うとともに、第二のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法が、第一のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法よりも小さい。
（もっと読む）

【課題】半導体素子の作成時における粒子の飛散および不純物の混入を安定して抑制することができ、高い曲げ強度を有するイオン注入装置用カーボン部材を、簡便かつ低コストに製造することができる方法を提供する。
【解決手段】モザイク状コークスを６５〜１００質量％含む炭素材料を黒鉛化してなる、灰分含有量が１０００質量ｐｐｍ以下で平均粒子径が５〜１００μｍである黒鉛粉末１００質量部に対し、灰分が０．５質量％以下であるフェノール樹脂の分散液を、固形分換算で２０〜１００質量部混合し、乾燥、粉砕して成形粉を作製した後、該成形粉を嵩密度が１．２〜１．７５ｇ／ｃｍ^３である成形体が得られように圧力を調節しつつ熱圧成形し、次いで、得られた成形体を不活性雰囲気中で焼成して黒鉛化処理し、ハロゲン含有ガス中で高純度化処理して灰分を２０質量ｐｐｍ以下にすることを特徴とするイオン注入装置用部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ファラデーカップに入ったイオンにより形成された正の電荷のカラムと電子とを分離しかつ電子を維持して、出力信号のエラーを防止するプラズマドーピング装置を提供する。
【解決手段】プラズマドーピング装置はプラズマドーピングチェンバーとワークピースを支持するためのプラズマドーピングチェンバー内に配置されるプラテンとチェンバーに結合されるイオン化可能なガス源とプラテンから間隔があけられたアノードとプラテンとアノードとの間に電圧パルスを適用するパルス源とを含む。電圧パルスはワークピースの近傍でプラズマシースを有するプラズマを生成する。装置はプラズマシースを横切る正イオンのサンプルを収集するための少なくとも一つのファラデーカップ３００を含む。ファラデーカップ３００は電子流出を抑制するために内部チェンバー３０８内に横方向の電場を生成するように形状付けられる。 （もっと読む）

【課題】高周波放電型のプラズマ発生装置において、ＰＦＧ電流の減少が少なく、長寿命化を図る。
【解決手段】
プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通して当該プラズマより電子を外部に放出する装置であって、高周波を放射するアンテナと、アンテナ全体を覆う絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、プラズマ生成容器内は絶縁物で覆われており、電子放出孔のあるプラズマ電極材質は導電性材料であるプラズマ発生装置において、絶縁物で保持された導電性材料のイオンコレクターとその前面に導電性材料のシールド電極を備え、シールド電極とプラズマ電極は同電位に接続されており、ターゲットチャンバーを正側としプラズマ電極を負側に接続した引出電源を持っており、プラズマ電極を正側としイオンコレクターを負側に接続したイオンコレクター電源を持っていることを特徴とするプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによるスパッタリングの影響を受けにくく、コンパクトな装置構成を可能とするイオンビーム整形手段および当該整形手段を有するイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム整形手段は、その主面に対して垂直な方向に沿って開口部が形成されたマスクと、マスクを保持するマスクホルダー５とから構成される。そして、マスクホルダー５には、マスクを挿入する為のマスク挿入口７と、マスクホルダー５の主面に対してマスクの主面が斜めになる状態でマスクが収納されるマスク収納部８と、マスクに形成された開口部の少なくとも一部をマスクホルダー５の外側に露出させる為にマスクの主面に設けられたマスク露出用の貫通窓６とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】互いに位置決めされた複数枚のマスクの搬送を可能にするマスクホルダーを提供する。
【解決手段】マスクホルダー６は、複数枚のマスクの重ね合わせにより形成される開口部５を介して、基板へのイオン注入を実施するイオン注入装置に用いられるマスクホルダー６である。そして、マスクホルダー６は、複数枚のマスクをその内部に挿入する為のマスク挿入口８と、マスク挿入口８に連設されたマスク収納部９と、開口部の少なくとも一部をマスクホルダーの外側に露出させるマスク露出用の貫通窓７とを有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時にクロスコンタミネーションを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】複数種類のイオンを照射可能なイオン照射手段と、半導体ウエハが設置される複数のステージと、各ステージをイオン照射手段に対して相対移動させる移動手段と、ステージ上に半導体ウエハを設置する搬送手段と、制御手段と、イオンの種類を制御手段に入力する入力手段を備えるイオン注入装置。制御手段は、入力手段からイオンの種類の入力を受ける入力ステップと、移動手段によって、入力されたイオンの種類に対応するステージをイオン照射手段の照射位置に移動させる移動ステップと、搬送手段によって、入力されたイオンの種類に対応するステージ上に、半導体ウエハを設置する設置ステップと、設置ステップ後に、イオン照射手段によって、入力された種類のイオンを照射する照射ステップを実行する。 （もっと読む）

【課題】内壁の水素脆化により発生するパーティクルを取り除くためのイオン源とドーピング室の大気開放処理、および洗浄処理の頻度を大幅に下げるイオンドーピング装置を提供すること。また、当該イオンドーピング装置内の低塵化方法を提供すること。
【解決手段】イオン源とドーピング室に水素元素、酸素元素を供給し、６００℃以上１０００℃以下とすることで、その内壁に三酸化二クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の皮膜を形成する。これにより、水素脆化の進む前に当該内壁の補修、補強ができるため、大気開放する頻度の著しく低いドーピング装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】平行化レンズを用いずに、ガラス基板に対してのイオン注入を実現するＣООに優れたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム３をガラス基板７に照射する質量分析型のイオン注入装置１であって、さらに、イオン源２から質量分析マグネット４までのイオンビーム３の輸送経路にイオンビーム発散手段を備えている。イオンビーム発散手段は、イオンビーム３の長辺方向（Ｙ方向）とイオンビームの進行方向（Ｚ方向）からなる平面において、ガラス基板７上に引かれた垂線とガラス基板７に入射するイオンビーム３との成す角度であるイオンビーム３の照射角度が０度よりも大きくデザインルールに基づいて設定される許容発散角度以下となるように、イオンビーム３をその長辺方向に発散させる。 （もっと読む）

【課題】配線で可動範囲が制限されたりすることなく試料又はマスクの位置をより柔軟に調整することができる荷電粒子線装置、試料移動装置、マスク位置調整機構、試料位置調整方法及びマスク位置調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料ステージ００８に対する試料の位置を調整する試料移動装置０４０であって、ＳＥＭ制御ユニット０１５からの指令に応じて出力指示信号を生成する赤外線ランプ制御ユニット０１４と、赤外線ランプ制御ユニット０１４からの出力指示信号に応じて赤外線信号を照射する赤外線ランプ０１０と、試料ステージ００８上に固定された試料台ホルダー００７と、試料台ホルダー００７に対し変位可能に取り付けた試料台１０２と、赤外線ランプ０１０からの赤外線信号を受光する赤外線センサー１０８と、赤外線センサー１０８で受光した赤外線信号に応じて試料台１０２を駆動するモーター１１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 （もっと読む）

【課題】ダミーウエハを必要とせず、製造コストを低減して、ウエハ装着部を照射イオンビームから保護しかつウエハディスクの処理回転中に発生するウエハの割れ等の問題を回避すること。
【解決手段】ウエハ装着用の複数のディスクパッド22を有するウエハディスク20を備え、このディスク20を円周方向に回転させながら、イオンビームを照射してウエハにイオンを注入するバッチ式イオン注入装置１において、前記ディスク20の円周上に配置されかつウエハを保持するディスクパッド22が、ディスク20に対して反転可能に取り付けられており、ディスクパッド22は、ディスク20の径方向に対して垂直方向に回転軸27を有し、かつディスクパッド22の重心Ｇが、ディスク20の中心方向に偏位した位置にあることを特徴とする。これにより、ウエハが載置されていないディスクパッドを反転させて、照射イオンビームからディスクパッド22を保護し、かつディスク20の偏心による振動の発生をなくす。 （もっと読む）