【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板８の裏面と対向する面に１つ以上の開口部を有する基板支持部材９と、基板８を搭載した基板支持部材９を駆動させて、イオンビーム３の少なくとも一部が基板８上に照射される照射領域とイオンビーム３が基板８上に照射されない非照射領域に基板８を搬送する基板駆動機構と、基板８の下流側でイオンビーム３が照射される位置に配置されたビーム電流計測器１１を備えたイオンビーム照射装置１で、照射領域内に基板８が搬送されているときに、ビーム電流計測器１１によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】第一と第二の面を備えた３次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する３次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う３次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程Ｓ４と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程Ｓ５と、判別工程Ｓ５で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程Ｓ６を行う。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４の経路に向けて測定ビーム１２を放射するための測定ビーム源２０と、イオンビーム１４によって反射された測定ビーム１２、またはイオンビーム１４を透過した測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４に関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の最低イオン注入量と最高イオン注入量の比が５倍以上になるような２次元イオン注入量面内分布を実現するイオン注入方法を提供する。
【解決手段】メカニカルにウエハを走査するウエハ走査領域長と、イオンビームのビーム走査速度を、同時に制御しながらウエハにイオン注入する注入方法を、イオンビームに対するウエハ回転角を変える毎に行い、これをウエハ１回転の間に複数回繰り返すことにより、ウエハ面内全面領域にイオン注入しながら、２次元イオン注入量面内分布を実現する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した２次元イオン注入量面内分布を実現する。
【解決手段】イオンビームを往復走査し、イオンビーム走査方向に直交する方向にウエハをメカニカルに走査して、イオンをウエハに注入するに際し、イオンビーム走査方向のビーム走査速度とメカニカル走査方向のウエハ走査速度を同時かつ独立に、速度補正量を規定する別々の制御関数を用いて速度制御して、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正するための等方的な同心円形状のウエハ面内イオン注入量分布を生成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入方法において、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、それぞれの注入領域のビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現する。
【解決手段】各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御し、ウエハスキャン速度を各注入領域ごとに制御することにより、ウエハ面内の各注入領域のイオン注入量を制御するとともに、前記各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とするよう構成し、各注入領域に所望のイオン注入量分布を有するイオン注入を実現する。 （もっと読む）

【課題】ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。
【解決手段】ビームチューニングにおいて、ビームスキャン幅最大（ＢＳＷ１）時のビーム電流のスキャン（Ｘ）方向分布特性を測定し、このときのスキャン電圧補正関数１５ｗを演算する。これに基づいて横（Ｘ）方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各ビームスキャン幅（ＢＳＷ１〜３等）に対応する各スキャン電圧補正関数１５ｗを複数個自動計算する。続いて、メカニカルＹスキャン位置に応じてスキャン電圧補正関数を切り替えてウエハの片側のビームスキャンエリアをＤ形状にしてビームスキャンエリアを削減する。別の片側は一定のスキャンエリアであり、こちら側のサイドカップ（Ｐ１側の７６）のビーム電流を測定し、その測定値に応じてメカニカルＹスキャン速度を変化させることにより、縦（Ｙ）方向ドーズ量均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】本発明は多面取り工法が適用される大型基板に対するイオンドーピングを行うにおいて前記大型基板の領域を分割してスキャンする方式を実現するイオンドーピング装置及びドーピング方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るイオンドーピング装置は、チャンバと、前記チャンバ内に移送される基板を支持し、これを所定方向に移動させる基板駆動部と、前記チャンバ内に備えられ、前記基板の短軸長よりも狭い幅のイオンビームを発生して前記基板に提供するイオンビーム発生部が含まれ、前記基板駆動部は前記イオンビームの幅方向に対する垂直方向に前記基板を移動させることを特徴とする。 （もっと読む）

ビームラインに沿って圧力の増加を被るイオンビームの注入の均一性を向上させるための方法および装置が提供される。本方法は、実質的に一定の速さにてワークピースを横切るイオンビームを動かす、メインのスキャン波形を生成する工程を含む。一定の高さおよび波形を有している補正波形（例えば、二次波形）もまた生成されて、メインのスキャン波形と混合され（例えば、可変のミキサーによって）、ビームのスキャン波形を形成する。混合比は、瞬時の減圧信号によって調整され得る。当該調整は、スキャン波形を連続的に修正するのに比べ、非常に速い速度にて、非常に容易に実施され得る。混合は、ビームがワークピースを横切って動く際のイオンビームの速さを変える不定の傾きを有するビームのスキャン波形を供給する。従って、不定の傾きを有する、得られるビームのスキャン波形は、高速スキャンの方向に沿うドーズにおける不均一性を補償する。
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改良した太陽電池製造方法は、イオン注入装置のイオンビームに対して固定したマスクを利用する。イオンビームをマスクの複数の穴を介して基板へ向ける。基板を第１走査速度で移動する際にイオン線量率で、また基板を第２走査速度で移動する際に第２イオン線量率で基板にあてられるように、基板を異なる速度で移動させる。走査速度を変更することによって、種々の線量率を対応する基板位置で基板に注入することができる。これは、イオン注入を用いて太陽電池の製造に有利な精密ドーピングプロフィールを提供することを可能にする。
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イオン注入システム（１００）は、ワークピースを保持または支持するように構成されたエンドステーションに向かってイオンビーム（１７０）を導くように構成されたビームラインと、走査システムとを備えている。この走査システムは、該エンドステーションを、第１の方向にそった第１の走査軸（”速い走査”、１４２）と、この第１の方向とは異なる第２の方向にそった第２の走査軸（”遅い走査”、１４４）とを含む二次元的に走査して、イオンビームを通過させるように構成されている。上記システムは、上記イオンビームを、第１の方向とは異なる第３の方向を有する第３の走査軸にそってエンドステーションに対して走査するように構成された、上記走査システムと関連して作動可能な補助走査部をさらに備えている。
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イオン注入システム（１００）、および、これに関連する方法は、鉛筆状イオンビームを走査してリボン状イオンビーム（１１０）を形成するように構成された走査装置と、第１の方向を有する該リボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第２の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材（１１２）とを備えている。本システムは、第２の方向に進む該リボン状イオンビームを受け、また、加工対象物（１０４）を該リボン状イオンビームを注入するために固定するように構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーション（１０２）をさらに備えている。さらに、本システムは、該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システム（１２２、１２４、１０６）を備えている。
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【課題】 基板のステップ回転を用いることなく、基板の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成することができるイオン注入方法等を提供する。
【解決手段】 このイオン注入方法は、基板２の面内におけるイオンビーム４の走査速度を可変にして、基板２の面内におけるイオンビーム４の１片道走査または１往復走査ごとのＸ方向における走査速度分布を、基板２のＹ方向の位置に応じて変化させることによって、基板２の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 安価で、注入量分布のパターンに多様性を持たせることができ、各注入領域間の注入分布が連続的でスムーズになるような不均一注入を行うことができる新規なイオン注入方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。 （もっと読む）

イオン注入システムにおける利用に適している偏向部（２３６）は、そこを通過しているイオンビーム（１２４）を曲げたり、偏向したり、収束したり、拡散したり、加速したり、減速したり、そして／または除染したりするように、選択的にバイアスされ得る複数の電極（２３６ａおよび２３６ｂ）を備えている。上記電極は選択的にバイアスされ、こうしてそれらの一または複数がバイアスをかけられていない、または、オフの状態であるので、ビームパスの実効長は、所望の通りに（例えば、エネルギー、ドーズ量、または種等のビーム特性に基づいて）選択的に調整される。
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本発明は、従来達成できなかった角度の精度による大傾斜角注入のための方法を具える。幅および高さ次元を有するイオンビームは、複数の個々のビームレットから形成される。これらビームレットは、典型的に、これら２つの次元の一方において高い平行度を見せる。それ故に、角度誤差を最小化するため、ワークピースは、高い平行度を有する次元に実質的に垂直な軸について傾斜される。ワークピースは、その後、大きな傾斜角で注入され、ワークピースの表面に直交するラインの周りに回転される。このプロセスは、大きな傾斜注入が要求される全ての領域において行われるまで繰り返されることができる。
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【課題】イオン注入発散角を抑制することによる半導体基板への注入角度ばらつきの低減を図る。
【解決手段】半導体基板１が保持された保持部材上で、イオンビーム２０４を一次元走査する走査手段２０１と、一次元走査の走査方向と直角な方向に、イオンビーム２０４が保持部材に対して相対的に移動するように、保持部材を移動させる移動手段３０３と、イオンビーム２０４の保持部材に対する相対的な移動に対して、イオンビームの、半導体基板１を超えた保持部材上でのスキャン範囲が等しくなるように、走査手段２０１を制御する制御手段３０２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入におけるエネルギーコンタミネーションを低減するハイブリッド偏向器およびイオンビームの偏向方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係るイオン注入システムのためのハイブリッド偏向器５００は、イオンビームをビーム軸から偏向するように動作する磁気偏向モジュール３５０と、前記イオンビームを前記ビーム軸から偏向するように動作する静電偏向モジュール５０４と、１つまたは複数の入力制御信号に基づいて、前記磁気偏向モジュールと前記静電偏向モジュールの１つを選択的に動作させるコントローラー３０４とを含む。また、本発明に係るイオンビームの偏向方法は、ビームに関する１つまたは複数の特性を判別するステップと、この判別に基づいて、磁気偏向モジュールと静電偏向モジュールの１つを選択的に動作させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の作動範囲内でイオンを加工物に注入するシステム及び方法を提供すること。
【解決手段】イオンの所望ドーズ量が与えられ、スポットイオンビーム112がイオン源108から形成され、質量分析器126によって質量分析される。イオンは、第１モード又は第２モードの一方で、所望のドーズ量に基づいて加工物に注入される。質量分析器126の下流配置されたビーム走査システム128によってイオンビームが走査され、このビーム走査システム128の下流に配置されたパラライザー130によって平行化される。第１モードでは、加工物122は、加工物走査システム167によって少なくとも１次元で走査イオンビームを通って走査される。第２モードでは、イオンビームは、ビーム走査システム128とパラライザー130を走査しないで通過し、かつ加工物122は、スポットイオンビーム112を通って二次元で走査される。 （もっと読む）

【課題】イオンビームのエネルギー変化やビーム電流値の減少およびターゲットへの入射角の変化などの現象を生じずに常時ターゲットの中心を照射することができるイオンビーム装置およびビーム安定化方法を提供することである。
【解決手段】イオンビーム発生器２の出側に通電コイルを有する質量分離手段３と、ビーム照射方向下流側に、対向する電極６ａ、６ｂからなるスリット電極６を設けたイオンビーム装置１で、スリット電極６ａ、６ｂを流れる電流の検知回路部７と、検知したスリット電流Ａ１、Ａ２を、またはこの電流を電圧に変換して比較する比較回路部８と、比較回路部８の出力を質量分離手段３へフィードバックする制御回路部９を設け、質量分離手段３のコイル電流をフィードバック制御することにより、温度変化などの環境要因の影響を無くして、イオンビーム４を常時ターゲットＴの中心部に照射できるようにした。 （もっと読む）