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Fターム[5C094BA03]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 表示素子 (16,797) | 画素回路を有する表示素子 (4,890) | 画素毎にアクティブ素子を有するもの (4,834) | 画素毎に3端子型素子(FET、TFT) (4,665)

Fターム[5C094BA03]に分類される特許

201 - 220 / 4,665


【課題】 アクティブマトリクス用ゲート線駆動回路を用いた画像表示装置において、コンタクトホール近傍の金属薄膜の腐食を抑制することができる駆動回路を提供する。
【解決手段】 表示領域DAの外側の額縁領域PA1に形成され、アレイ基板100から供給された所定の電位を持つ透明電極270を具備し、この透明電極270はカラーフィルタ基板200上おいて、アレイ基板100に対向する面上にゲート線駆動回路160を覆うように形成され、前記所定の電位はゲート線駆動回路160内のコンタクトホールに供給される最大電位以上の電位とする。 (もっと読む)


【課題】ボトムエミッション方式において開口率を高めることのできる画素構造を有する有機EL装置を提案する。
【解決手段】有機EL装置は、三原色に対応する三つの副画素10R−2、10G−2、10B−2を含む画素領域10−2を備える。三つの副画素10R−2、10G−2、10B−2のうち少なくとも一つの副画素10B−2は、有機EL装置を駆動するための信号又は電流を供給する複数の配線40に絶縁膜を介して積層形成された画素電極24B−2と、蒸着法により画素電極24B−2に形成される発光層とを備える。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるCu配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板1の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層4と、電極に用いられるCu合金膜5と、保護膜6と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Cu合金膜5は、基板側から順に、第一層(X)5aと第二層(Z)5bを含む積層構造を有し、第一層(X)は、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって第二層(Z)よりも電気抵抗率の低いCu合金からなり、第二層(Z)は、Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、希土類元素、Ge、およびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で2〜20原子%含むCu−Z合金からなり、第二層(Z)の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 (もっと読む)


【課題】バリアーパターンを利用して立体映像を具現でき、バリアーパターン及び電極パターンを利用して外部のタッチ情報を認識できる表示装置が提供される。
【解決手段】第1基板、第1基板と対向して具備された第2基板、及び複数の画素を含む表示パネルと、第2基板に具備され、第1方向へ延長された複数の電極パターンと、第2基板に具備され、電極パターンと絶縁されるように第1方向と異なる第2方向へ延長された複数のバリアーパターンと、を含み、各画素は、第1方向へ延長されたゲートラインと、第2方向へ延長されたデータラインと、ゲートライン及びデータラインに電気的に連結され、電極パターンの中で対応する電極パターンと電界を形成して階調を表示する画素電極と、を含む。 (もっと読む)


【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材110上で半導体層150と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、前記チャネル領域を制御するゲート電極140と、前記ドレイン電極130と接続され液晶材料を駆動する画素電極190と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極190の間の空間に配された無機絶縁膜195と、前記画素電極190とは接触せずに、前記無機絶縁膜195と接触するようにして配された遮光膜200と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第1電極;画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第1電極を覆う第1保護層;第1保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第2電極;ゲート電極及びキャパシタ第2電極を覆う第1絶縁層;第1絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層;半導体層を覆う第2絶縁層;第2絶縁層上に形成され、かつ第2絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極;及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第3絶縁層;を含む平板表示装置用バックプレーン。 (もっと読む)


【課題】画素のシャッタ機構により表示制御を行う表示装置において、構造を強化すると共に、耐久性を向上させる。
【解決手段】表示装置は、絶縁性のある基板である絶縁基板部215と、絶縁基板部215上で各画素に薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ部220と、薄膜トランジスタ部220の薄膜トランジスタにより電気的に駆動され、各画素の光の透過を制御するシャッター機構部300と、を備え、シャッター機構部300は、構造的部分であるメカニカル層352と、メカニカル層352上に形成された導電層354と、を有し、メカニカル層352と導電層354とは共に、薄膜トランジスタ部220に形成された導電部226に接して固定されている。 (もっと読む)


【課題】一定方向に湾曲することが出来るフレキシブル表示装置を実現する。
【解決手段】R、G、Bの画素がモザイク状に配列している。該ディスプレイはA方向には湾曲することが出来、B方向には湾曲することを想定していない。データ線11はA方向に延在し、セレクト線13はB方向に延在する。ディスプレイがA方向に湾曲した場合、データ線11に歪が蓄積してデータ線11が断線しないように、データ線11をクランク状に屈曲させる。これによって、ディスプレイを湾曲した場合でもデータ線11への歪の蓄積はhの長さ分だけになるので、歪を小さく抑えることが出来る。これによってフレキシブルディスプレイにおける断線を防止することが出来る。 (もっと読む)


【課題】画素がデルタ配列している表示装置において、映像信号線が走査線と同じ方向に延在する部分が存在することによる配線間容量の増加に伴う表示むらを解消する。
【解決手段】第1の行において画素が所定のピッチpで横方向に配列しており、第2の行において画素が所定のピッチpで横方向に配列しており、第1の行の画素の中心と第2の行の画素の中心が所定の距離dだけずれている。dはp/2よりも小さい。映像信号線が走査線と重畳する部分はdなので、従来のデルタ配置の場合よりも映像信号線と走査線との線間容量を小さくすることが出来る。これによって線間容量に起因する表示むらを軽減することが出来る。 (もっと読む)


【課題】ドライバから出力される駆動信号によるトランジスタの駆動を、制御線の伸長方向における位置に関係なく一定に行うことが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】ドライバから出力される駆動信号を伝送する制御線と、制御線の伸長方向に沿って配置され、当該制御線を通して供給される駆動信号をゲート入力とする複数のトランジスタとを備えた表示装置において、制御線の伸長方向におけるドライバからの距離に応じて、複数のトランジスタのゲート−ソース間の寄生容量を異ならせることで、制御線の伸長方向におけるドライバからの距離に関係なく、カップリング量をほぼ等しくする。 (もっと読む)


【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第1の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第2の加熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜ト
ランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提
供することを課題の一つとする。
【解決手段】少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄
膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての
紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させ
る熱処理を行う表示装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】向上した発光効率を有する、低電力のディスプレイを提供する。
【解決手段】前部および後部反射面の両方を有する光キャビティを利用する、空間光変調のための改良された装置および方法が開示される。光を空間変調するために、前部反射面内に、光透過領域が形成される。意図される見る人に面した前面と、光源に面した後面とを有する基板と、基板の前面の上に配置された誘電体材料層と、複数のアパーチャを含む、誘電体材料層の上に配置された金属層と、金属層の上に配置された複数の光変調シャッタ組立体102とを備え、複数のアパーチャは、複数の光変調シャッタ組立体102による変調のために、金属層を光源からの光が通過するのを許可する、ディスプレイデバイス。 (もっと読む)


【課題】 有機発光ダイオードの色毎に異なる発光効率や電圧-電流特性を補正することができ、有機発光ダイオードの陽極の電位変化に伴う駆動トランジスタのゲート電極−ソース電極間の電圧の変化のばらつきを低減することができるアクティブマトリクス型有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型有機発光表示装置は、複数色の何れか1色を発光可能な複数の画素PXR、PXG、PXBを備える。駆動トランジスタDRは、発光色毎にチャネル幅Wとチャネル長Lとの比が異なる。駆動トランジスタDRは、発光色毎にそれぞれ、1つのトランジスタ、又は直列に接続された2つ以上のトランジスタで形成される。駆動トランジスタDR内の有機発光ダイオードの陽極側のトランジスタのチャネル幅及びチャネル長は、全ての発光色の画素で等しい。 (もっと読む)


【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的
の一とする。
【解決手段】13族元素および酸素を含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜と一部が接する
酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と
、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物
半導体膜と一部が接する第2の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、13族元素
および酸素を含む第1の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構
成とする。 (もっと読む)


【課題】画素内に作り込む容量素子をメタル層−メタル層間以外に形成することで、画素の断面構造の自由度を上げることを可能にした表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置において、トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、メタル層に電圧を印加することによって、画素内に作り込む容量素子を形成するようにする。 (もっと読む)


【課題】FPCを使用せずに信号や電力を入力することができる新規な半導体装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】第1の基板と、第2の基板とを有する半導体装置であって、受信用のアンテ
ナが第1の基板の表面側に設けられ、第2の基板には、送信用のアンテナと集積回路とが
設けられ、第2の基板は、第1の基板の裏面側に貼り付けられており、受信用のアンテナ
と送信用のアンテナとは、第1の基板を介して重なっている。これにより、アンテナ間の
距離を一定に保つことができ、信号や電力を高効率で受信することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上
においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層
103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層10
4aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170
aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】3層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板201上に3層以上のn層の導電層202〜204が積層して形成され、n層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、(n−1)個の導電層202,203を接続する(n−1)個の接続領域211,212を有し、(n−1)個の導電層のうち基板201に対する積層方向(基板201の主面に対する法線方向)において第1層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンCPTNの縁の一部に臨むように形成され、(n−1)個の導電層は、第n層の導電層により電気的に接続されている。第n層の導電層は、コンタクトパターンCPTNであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 (もっと読む)


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