【課題】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、トランジスタのばらつきを低減する。
【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。 （もっと読む）

【課題】スキャナ内のトランジスタの特性の差に起因するスジの発生を抑止することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置のＥＬＡ結晶化工程においてエキシマレーザのスキャン方向と、垂直スキャナ内のバッファを形成するトランジスタ（ＴＦＴ）２１０のＬ長方向（電流が流れる方向）が直交する方向になるようにし、かつ、スキャナの画素配列に対応する各段バッファ群の各トランジスタが、チャネル長方向と同方向である駆動信号の出力線の配線方向と直交する方向において、列をなすように形成され、列をなすように形成された各段バッファ群の各トランジスタは、チャネル幅方向において大きい部分と小さい部分とが混在し、かつ、チャネル幅方向における同様の領域において粒径の大きい部分と小さい部分とが存在する。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】光センサの感度を効率よく向上させる。
【解決手段】光センサは、受光した光を電流に変換する光検出素子Ｄ１と、光検出素子Ｄ１との間に寄生容量を発生させる導電膜ＬＳと、リセット信号および読み出し信号とを、光検出素子Ｄ１を介して蓄積ノードＩＮＴへ供給する制御信号配線ＲＷＳＴと、蓄積ノードＩＮＴおよび出力配線ＯＵＴに接続され、読み出し信号にしたがって、蓄積ノードＩＮＴの電位に応じた出力信号を出力配線ＯＵＴへ出力するスイッチング素子Ｍ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】データ線１１４の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくくして、発光素子１５０に流す電流を制御する。
【解決手段】互いに交差する走査線１１２およびデータ線１１４と、これらの交差に対応して設けられた画素回路１１０と、シールド配線８１ａ、８１ｂとを有する。画素回路１１０は、発光素子１５０と、発光素子１５０に流れる電流を制御するトランジスター１４０と、トランジスター１４０のゲートノードｇとデータ線１１４との間で、走査線１１２に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御されるトランジスター１３０と、を備え、シールド配線８１ａ、８１ｂは、平面視したときにデータ線１１４とトランジスター１４０との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に第１及び第２の配線を有し、第１及び第２の配線上に第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜上に電極を有し、電極上に第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜上に画素電極を有し、画素電極は、電極と重なる第１の領域と、電極と重ならない第２の領域と、を有し、画素電極は、第１の配線に電気的に接続されており、第１の配線は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、電極は、画素部の外側において前記第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の薄型化、排熱の効率化、輝度ムラの低減のうち、少なくとも１つを実現すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、第２の半導体層４Ｂは、同一組成かつ連続した層であり、第１の半導体層４Ａは、連続した絶縁物の層４Ｉに、第２の半導体層４Ｂとは異なる組成で構成された複数の半導体領域４Ｓが、それぞれ別個独立して等間隔で配置された構造を持つ半導体・絶縁体複合層であり、第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、前記接合部近傍に発光部２が形成され、さらに、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとの接合面とは異なる面はそれぞれ第１電極５Ａと第２電極５Ｂが接合している。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置で光が混色されるのを防止して、色特性を向上させる。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置は、下部基板、上部基板、下部基板の上に形成される薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに接続される画素電極、下部基板と上部基板との間に位置する電子インク層、上部基板に形成される複数個の隔壁、隔壁の上に形成される反射層、及び隔壁の間に形成されるカラーフィルタを含む。 （もっと読む）

【課題】十分な容量の保持容量を確保することができなくても、フィールドスルーやオフリークの影響を受けにくいようにする。
【解決手段】画素回路１１０は、走査線１１２ａとデータ線１１４との各交差に対応して設けられている。反転走査線１１２ｂには、走査線１１２ａに供給された走査信号と論理反転の関係にある反転走査信号が供給される。画素回路１１０は、走査線１１２ａに供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御されるトランジスター１３０ａと、一端がトランジスター１３０ａのソース電極に接続された保持容量１３５と、保持容量１３５の一端と反転走査線１１２ｂとの間に電気的に介挿された容量素子１３１と、保持容量１３５による保持電位に応じた輝度で発光する発光素子１５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマト
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するセルフアライン構造の薄膜トランジスタを備えた表示装置、およびこの表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１の第１酸化物半導体膜２０のソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低い第１低抵抗領域２１を設ける。基板１１の薄膜トランジスタ１が設けられた領域以外の領域に第２酸化物半導体膜８０を設け、上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低い第２低抵抗領域８１を設ける。薄膜トランジスタ１，第２酸化物半導体膜８０および基板１１を高抵抗膜５０で覆い、この高抵抗膜５０のうち、第１低抵抗領域２１に接する領域に第１透光領域５１を設け、第２低抵抗領域８１に接する領域に第２透光領域５２を設ける。 （もっと読む）

【課題】フルカラーまたはそれに準じる表示が可能であって高コントラストの画像表示が可能な電気泳動表示装置およびその駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置は、互いに対向配置された第１および第２基板と、第１基板および第２基板の間に配置され、第１色に着色された複数の第１帯電粒子および第２色に着色された第２帯電粒子と、これら第１および第２帯電粒子を保持する分散媒とを有する電気泳動層と、第１基板の電気泳動層側に配置され互いに独立駆動される第１画素電極および第２画素電極と、第２基板の電気泳動層側に配置される対向電極と、電気泳動層より第１基板側の位置に設けられる反射電極と、を備え、第１帯電粒子が、第１波長領域で透過性を有するとともにそれ以外の波長領域で吸収性を有し、第２帯電粒子が、第２波長領域で反射性を有するとともにそれ以外の波長領域で吸収性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な半導体装置（薄膜トランジスタ）を製造する。
【解決手段】本発明は、（ａ）基板ＳＵＢの上方に、第１金属酸化物を含有する半導体からなる導電層を形成する工程と、（ｂ）導電層上に第２金属酸化物を含有する半導体からなる犠牲層ＳＬを形成する工程と、（ｃ）導電層と犠牲層ＳＬとの積層膜を加工する工程と、（ｄ）上記（ｃ）工程の後、犠牲層ＳＬ上に、金属膜を形成する工程と、（ｅ）上記（ｄ）工程の後、上記金属膜の第１領域をドライエッチングにより除去する工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記第１領域の上記犠牲層ＳＬをウェットエッチングにより除去する工程と、を有し、上記（ｃ）工程と、上記（ｆ）工程との間に、（ｇ）導電層に熱処理を施し、導電層を結晶化し、導電層ＣＬｃとする工程を有する。かかる工程によれば、ドライエッチングにより生じた犠牲層ＳＬのダメージ領域ＤＲを除去できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少なくし、且つ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを含む回路と、当該第１の基板とシール材で固定された第２の基板とを有し、当該シール材、当該第１の基板、及び当該第２の基板で囲まれる閉空間は、減圧状態、或いは乾燥空気を充填する半導体装置に関する。当該シール材は、少なくとも前記トランジスタを囲み、閉じられたパターン形状を有する。また当該回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタを含む駆動回路である。 （もっと読む）