【課題】封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１Ａは、駆動側基板１０および対向基板１８間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部１０Ａと、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂに配設されたトランジスタＴＦＴ１１と、額縁領域１０Ｂにおいて、トランジスタＴＦＴ１１を被覆して設けられた平坦化膜１３（絶縁膜）と、画素部１０Ａを封止すると共に平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられたシール層１９とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、配線のインピーダンスを低減する。
【解決手段】液晶パネル２０は、スイッチ装置４８と、ピクセル電極５０と、対向電極５２と、を含んで構成される複数の絵素４２を備える。液晶パネル２０は、ガラス基板４０Ａと、ガラス基板４０Ａと対向するガラス基板４０Ｂと、ガラス基板４０Ａにピクセル電極５０が形成されるとともに、ガラス基板４０Ｂに対向電極５２が形成される第１絵素４２Ａと、ガラス基板４０Ｂにピクセル電極５０が形成されるとともに、ガラス基板４０Ａに対向電極５２が形成される第２絵素４２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する表示装置において、寄生容量を軽減する。表示装置において、解像度の向上や、高精細化といった高性能化及び高品質化を達成する。
【解決手段】ボトムゲート型のトランジスタにおいて、酸化物半導体膜と重畳して設けられるゲート電極が第１のゲート電極と第２のゲート電極とに間隔を有して分割して設けられる。第１のゲート電極はソース電極又はドレイン電極の一方と重畳して設けられ、第２のゲート電極はソース電極又はドレイン電極の他方と重畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】画素部と同じ絶縁基板上において、大きな電流供給能力が得られるトランジスタで構成される電源線駆動回路を備えたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、複数の走査線、及び複数の電源線を有するアクティブマトリクス型表示装置において、前記絶縁基板上に電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、好ましくは１２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上を有する酸化物半導体のトランジスタを有し、トランジスタを１つの構成要素とする電源線駆動回路を有するＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】可動シャッタ方式のディスプレイにおいて、可動シャッタを、低応力で安定したアモルファスシリコン膜で形成する。
【解決手段】第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、前記表示パネルは、複数の画素を有し、前記各画素は、可動シャッタと、前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置であって、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増やすことなく、オイルに対する耐性の高いバンプを形成することを目的とする。
【解決手段】第３上面６８を囲むように樹脂層５０を貫通する切れ目７６が形成されている。膜５２は、切れ目７６の内側では樹脂層５０の底面を除く全体を覆い、切れ目７６の外側では樹脂層５０の少なくとも一部が露出するように形成する。切れ目７６の内側では膜５２に全体的に覆われた樹脂層５０を残し、切れ目７６の外側では膜５２からの露出面から連続する樹脂層５０の全体を除去する。切れ目７６の内側に樹脂層５０及び膜５２からバンプ４８を形成し、切れ目７６の外側に第１基板１０から浮いた状態で膜５２からシャッタ１４と駆動部４０の少なくとも一部とを形成する。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極；画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層；第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極；ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層；半導体層を覆う第２絶縁層；第２絶縁層上に形成され、かつ第２絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極；及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第３絶縁層；を含む平板表示装置用バックプレーン。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるＣｕ配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、電極に用いられるＣｕ合金膜５と、保護膜６と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Ｃｕ合金膜５は、基板側から順に、第一層（Ｘ）５ａと第二層（Ｚ）５ｂを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）は、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって第二層（Ｚ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなり、第二層（Ｚ）は、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、Ｎｂ、希土類元素、Ｇｅ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ−Ｚ合金からなり、第二層（Ｚ）の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 （もっと読む）