【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

微粒子、有機材料、非有機材料、または溶媒と混合されていることがある、または混合されていないことがあるカーボンナノチューブが、基板上に堆積されて、冷陰極を形成する。カーボンナノチューブ混合物の堆積は、インクジェット印刷プロセスまたはスクリーン印刷プロセスを使用して行われることがある。
（もっと読む）

【課題】輝度バラツキと劣化速度を減少させることができる、均一な高さの電子放出素子及びその製造方法と、当該電子放出素子を用いて、高画質で効率も良い、さらに高解像度で耐久性のある電界放出型ディスプレイ（画像表示装置）を提供する。
【解決手段】少なくとも表面上に触媒金属を含有する母微小体（Ａ）と、母微小体（Ａ）上の触媒金属から成長した繊維状炭素材料（Ｂ）とから構成される微小体（Ｃ）を含むことを特徴とする、電子放出素子の製造に用いるインキ組成物と、前記微小体（Ｃ）を電極上に形設することを特徴とする電子放出素子及びその製造方法と、その電子放出素子を用いた電界放出型ディスプレイ（画像表示装置）などを提供した。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイス，電子放出表示デバイス，および電子放出デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態による電子放出デバイスは，基板２と，基板２上に形成される主電極６ａと補助電極６ｂとを含むカソード電極６と，補助電極６ｂ上に形成される抵抗層１４と，抵抗層１４と連結する電子放出部１２と，電子放出部１２を露出させる第１開口部８ａを備え，基板２上に形成される絶縁層８と，第１開口部８ａに対応する第２開口部１０ａを備え，絶縁層８上に形成されるゲート電極１０とを含み，抵抗層１４はその厚さ方向に沿って変化する比抵抗値を有する。抵抗層１４は，補助電極６ｂの構成物質の一部を拡散させて形成される。これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブと導電性基材とのオーミックコンタクトが確保でき、十分な接合強度を有するとともに、ビーム軸調整が容易な高信頼性電子源とそれを用いることにより、従来機種と比べ、高分解能化，高輝度化，低加速電圧化による試料ダメージの低減化，低コスト化，小型化を実現する電子顕微鏡および高精細化，高効率化，低コスト化，小型化を実現する電子線描画装置を提供する。
【解決手段】導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 （もっと読む）

【課題】 集束電極上に残留する電子放出物質から電子が放出されることを抑制して表示特性を向上させることができる電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は集束電極上に残留する電子放出物質から電子が放出されることを抑制して表示特性を高めるための電子放出素子及びその製造方法を提供する。本発明による電子放出素子は、基板上に形成されるカソード電極と、第１絶縁層を間に置いてカソード電極と他の層に位置するゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第２絶縁層を間に置いて前記カソード電極及びゲート電極上に形成される集束電極とを含む。この時、集束電極は下部電極層と、下部電極層上の残留電子放出物質を覆いながら下部電極層上に形成される上部電極層からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板の表面にナノレベルの微細構造を容易に形成することができる微細加工方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】レーザ発振部１としてＮｄ：ＹＡＧレーザを用いてレーザビームＬをシリコン基板Ｍの表面に垂直方向から照射することで、シリコン基板Ｍの表面に針状結晶突起又は樹枝状結晶突起からなるナノレベルの微細構造を形成する。レーザのフルーエンスが８Ｊ／ｃｍ^２〜１８Ｊ／ｃｍ^２の範囲では、樹枝状結晶突起（ｄｅｎｄｒｉｔｅ）からなる微細構造が形成されており、１８Ｊ／ｃｍ^２〜４０Ｊ／ｃｍ^２の範囲では、針状結晶突起（ｎｅｅｄｌｅ−ｌｉｋｅ）からなる微細構造が形成されている。したがって、フルーエンスを調整することにより微細構造を樹枝状結晶突起又は針状結晶突起に選択して形成することができる。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】上面にシリコン層30が形成された基板20を設けるステップ、基板のシリコン層上にバッファ層40及び触媒金属層50を順次に形成するステップ、基板を真空アニーリングして、シリコン層、バッファ層及び触媒金属層の間の拡散により部分的にメタルシリサイドドメイン35を形成するステップ、及び触媒金属層の表面に炭素ナノチューブ60を成長させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】電界放出ディスプレイ用の高密度の放出素子を形成するための方法およびその方法に従って形成される電界放出ディスプレイを提供すること。
【解決手段】シリコン基板を含むプラズマ・エッチング・チャンバの中に酸素とシリコン・エッチング剤が導入される。酸素がシリコン表面と反応して二酸化ケイ素の領域を形成し、その一方でシリコン・エッチング剤がシリコンをエッチングして放出素子を形成する。二酸化ケイ素領域は下にあるシリコンをシリコン・エッチング処理中にマスクする。先行技術で実践されていたようなフォトリソグラフィ処理を使用することなく高密度で高アスペクト比の放出素子が形成される。本発明に従って形成される放出素子は先行技術よりもさらに均一な電子放出を提供する。さらに、本発明に従って形成された放出素子を組み入れるディスプレイは増加した輝度を与える。さらに、そのディスプレイの信頼性は蛍光基板材料を刺激して画像を作り出すための電子を供給するために複数の放出素子を使用することに起因して高められる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な製造方法で作製することが可能であり、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途等に適した、十分な量の電子放出電流を安定して低電圧で得ることが可能な電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板を異方性エッチングして作製された柱状の突起の先端部に、電子放出源として円周状のエッジ部を有する電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの広がりを制御する。
【解決手段】 対向配置される第１基板２及び第２基板４と，第１基板２上に形成されるカソード電極６と，カソード電極６に電気的に連結される電子放出部１２と，電子放出部１２が第１基板２上に露出されるようにする開口部８ａを有して第１基板２上に形成される第１絶縁層８と，第１絶縁層８上に形成されるゲート電極１０とを含み；電子放出部１２は，カソード電極６上に形成される少なくとも一つの多孔性アルミナテンプレート１４の複数の気孔内で垂直に成長して形成されるように構成した。また，多孔性アルミナテンプレート１４の気孔は，第１基板２とカソード電極６に電圧を印加してカソード電極６を陽極酸化させることにより，カソード電極６の面に対して垂直に形成されるようにした。 （もっと読む）

ディスプレイデバイスにおけるカソードとしての使用のためのナノ粒子エミッターをパターン化するための工業的スケールの方法が開示される。低温の方法が、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに高容量適用で実施され得る。この方法のステップは、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いる表面の所望されない部分からのＣＮＴエミッター材料の引き続く除去を含む。
（もっと読む）

【課題】ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるＳｉベースの物質層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたＳｉベースの物質層である。また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
（もっと読む）

基板上にナノ構造材料のパターニングされたコーティングを成膜する方法は、（１）前記ナノ構造材料を含む溶液又は懸濁液を形成する工程；（２）前記基板の少なくとも１つの表面の一部にマスクを形成する工程；（３）前記溶液中に電極を浸す工程であって、その上に前記電極の１つとして機能する前記ナノ構造材料が成膜されるか又は少なくとも前記電極の１つに電気的に接続される工程；（４）前記２つの電極の間に所定の期間の間、直流電流電界及び／又は交流電流電界を印加し、それによって前記溶液中のナノ構造材料を前記基板電極に向けて移動させて付着させる工程；（５）その後の随意的な処理を行う工程、を含む。
（もっと読む）