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Fターム[5C127DD53]の内容

冷陰極の製造 (9,839) | 特徴のある製造対象の製造方法 (3,577) | 被膜のパターニング、成形 (623) | エッチング (376) | ドライエッチング (156)

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【課題】陽極酸化膜中の欠陥を低減し、高信頼性かつ長寿命の薄膜電子源とこの薄膜電
子源を用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板10上に第1の電極11と絶縁層12と第2の電極13とをこの
順に積層してなる薄膜電子源の上記絶縁層12を陽極酸化法によって形成し、該絶縁層中
に存在する欠陥数を3×1019個/cm3以下とした。 (もっと読む)


【課題】所望とする位置及び密度にカーボンナノチューブが形成され状態を、高い精度でより容易に得られるようにする。
【解決手段】結晶シリコンからなる基板101の上に、シリコン酸化膜102を備え、シリコン酸化膜102には、所定の間隔で配列された貫通孔104を備えている。貫通孔104の部分においては、基板101の表面が露出し、シリコン酸化膜102が存在していない。また、シリコン酸化膜102の上には、触媒金属層103が形成されている。このように構成されたカーボンナノチューブ成長用基板によれば、よく知られた触媒金属法によるカーボンナノチューブの成長において、基板温度を上昇させる段階で、シリコン酸化膜102の上の触媒金属層103は、拡散して消滅する。 (もっと読む)


【課題】高性能、高信頼性のある電界電界電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、電子回路を構成する導体層4上に電子放出のための電子を供給する導体膜6を所要の膜厚に成膜し、この導体膜6上に電子放出材料8を配置すること、導体膜6を膜厚方向に選択除去して、除去されなかった導体膜6を電子放出点への電子供給用とする一方、その先端に存在する電子放出材料8をその電子放出点とすることを特徴とする製造方法である。 (もっと読む)


【課題】抵抗層を設計通りの抵抗値で安定化させることができる微小電子源装置の製造方法、及び抵抗層と帯電防止層を設計通りの抵抗値で安定化させることができるカソードパネルの製造方法を提供し、電子放出の均一化及び長寿命化を図ることのできる微小電子源装置及びカソードパネルを提供する。
【解決手段】表面にカーボンナノチューブの一端を突出させた微小電子源層12を備える微小電子源装置の製造方法において、カソード電極11と微小電子源層12との間に炭化珪素及び/または窒素含有炭化珪素からなる抵抗層I1aを形成する工程と、前記抵抗層I1aを構成する炭化珪素及び/または窒素含有炭化珪素を相変化させて結晶質の抵抗層I1cとする熱処理工程を有する。 (もっと読む)


【課題】基板を高温に加熱せず、非耐熱ガラス基板を用いることを可能し、微細なエミッタパターンの形成を可能にすること。
【解決手段】基板2上に電極4を形成する工程、電極4上に電子放出材料8が分散したフォトレジスト6を塗布する工程、フォトレジスト6をパターニングする工程、エッチングにより、パターニングしたフォトレジスト6とその下の電極4とを残す工程、フォトレジスト6を、フォトレジスト6の熱分解温度以下で分解除去し、電子放出材料8を電極4上に残渣として残す工程を有する。 (もっと読む)


【課題】 安定した品質の表示が可能な電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板11と基板11上に形成された配線18とを覆うようにバリア膜15を形成し、バリア膜15の上に配線17を形成する。さらに、配線17とバリア膜15とを覆うように絶縁膜16を形成する。配線18に接続する第1電極24と配線17に接続する第2電極25とに導電性薄膜14を形成し、導電性薄膜14に形成された電子放出部13が、バリア膜15と絶縁膜16とが積層した絶縁層51の上に配置されている。 (もっと読む)


【課題】 不良率を低減することができる電子源及び電子源の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板10に形成されたX方向配線18x1と、X方向配線18x1に接続された第1の素子電極11と、基板10に形成された複数本からなるY方向配線19y1,19y2と、第1の素子電極11と対向するように第2の素子電極12が複数個形成される。第1の素子電極11と第2の素子電極12a,12b間をそれぞれ接続する導電性膜15a,15bは、正規とする電子放出部17aと予備とする電子放出部17bとを有する。 (もっと読む)


【課題】 明るくて、高画質・高精細の表示が可能な電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 配線17に第2電極4A、4Bを形成し、配線18に第1電極5A、5Bを形成し、第1電極5Aと第2電極4Aとに導電性薄膜14Aと、第1電極5Bと第2電極4Bとに導電性薄膜14Bとを配置し、第1配線に第1接続部35があり、第1接続部35に接続するように配線19を形成し、第2配線に第2接続部36があり、第2接続部36に接続するように配線20を形成し、配線19と配線20とから所定の電圧を導電性薄膜14A、14Bに印加して、最後に、第1接続部35と第2接続部36とで切断して、1つの画素G内に異なる電子放出特性を有する電子放出部13(13A、13B)を形成する。 (もっと読む)


【課題】高輝度を実現することができる平面ディスプレイ、ゲート電極構造体およびゲート電極構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】平面電極15は、導体の平板から形成される。このため、平面電極15上にゲートリブ16を形成することが可能となり、ゲート電極13と陽極となるメタルバック膜106との距離を長くすることができる。結果として、メタルバック膜106に高電圧を印加することが可能となるので、高輝度化を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】低い駆動電圧で輝度の均一化を実現することができるゲート電極構造体の製造方法および平面ディスプレイを提供する。
【解決手段】ゲート電極13は、導体の平板から形成される。このため、ゲート電極13の開口部を分割してゲート電極13の開口部の直径を小さくすることが可能となり、結果として、第2絶縁層11の厚さを薄くする、すなわちゲート電極13と陰極110との距離を短くすることができる。結果として、低い駆動電圧で輝度の均一化を実現することができる。 (もっと読む)


陰極処理の前、若しくは陰極処理中に、不利な環境条件から触媒層を保護するために触媒層上に形成された保護材料を有する電子放射装置。本発明は、更に、触媒層から保護層の一部を除去し、カーボン・ナノチューブの成長部分以外の触媒層をエッチングするように構成されるハーフ・エッチング方法を含む。保護層の一部は触媒層に残し、次の陰極形成工程より、触媒層を悪条件から保護する。
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【課題】簡便な手法により微小電子源層の損傷を抑制し、電子放出特性の信頼性の高い微小電子源装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板10上のカソード電極11に複数のカーボンナノチューブを含有する微小電子源層12を形成する工程と、前記微小電子源層12上に少なくとも2種以上のアルカリ土類金属の酸化物からなる保護層Pを形成する工程と、支持基板10、カソード電極11、保護層Pを覆う層間絶縁膜13Lを形成し、該層間絶縁膜13L上に開口部を有するゲート電極を形成する工程と、前記開口部直下の層間絶縁膜13Lをドライエッチングしてゲート電極及び層間絶縁膜13Lを貫通し、保護層Pが露出するゲートホールを形成する工程と、前記ゲートホール内の保護層Pを除去する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブの分散性を維持しつつ微小電子源装置を安定に形成できる微小電子源装置の製造方法を提供し、さらにカーボンナノチューブの電子放出特性の劣化を抑制し、寿命を改善することのできる微小電子源装置を提供する。また、寿命が改善された該微小電子源装置を用いた平面型表示装置を提供する。
【解決手段】基板10上にカソード電極11、絶縁層13、ゲート電極14が順に積層されてなり、ゲート電極14及び絶縁層13に形成された開口部15と、開口部15の底部に形成された微小電子源層12とを備える微小電子源装置において、前記微小電子源層12は、表面に耐酸化性皮膜が被覆されているカーボンナノチューブ12aが導電性のマトリクス12b中に埋め込まれ、カーボンナノチューブ12aの一端が前記マトリクスから突出してなる。 (もっと読む)


【課題】この発明は、電子の放出効率が高い電子放出素子、この電子放出素子を複数整列配置した電子放出装置、この電子放出装置に画像表示部を組み合わせた表示装置、および上記電子放出素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電子放出素子16は、基板上に互いに離間して形成した一対の素子電極40、40、および一対の素子電極をつなぐように形成された導電膜44を有する。導電膜44は、素子電極40よりアノード電極に向けて突出した凸面42を介して、一対の素子電極40、40をつなぐように形成され、凸面42の中央に電子放出部32を有する。凸面42の幅をある値より狭くすることで、電子放出部32を飛び越えた電子が導電膜44上でスキャッタリングする際に、電子が着地する領域を狭くし、電子の放出効率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも1個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 (もっと読む)


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