【課題】素子分離の信頼性の確保を図ると共に、走査信号配線の低抵抗化と給電及び導通の信頼性の確保を図り、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供する。
【解決手段】映像信号配線８と走査信号配線９間に配置された層間絶縁膜１４にアンダーカット部２５を設けると共に、前記走査信号配線９をアルミニウム膜からなる下層膜９２と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる上層膜９４の積層構造とした。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子、これを備えた電子放出ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板２１０と、第１基板上に配置されたカソード電極２２０と、カソード電極２２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極２４０と、カソード電極２２０とゲート電極との間に配置されてカソード電極２２０とゲート電極２４０とを絶縁する絶縁体層２３０と、カソード電極２２０上に配置された触媒成長層２２５と、触媒成長層２２５から垂直成長させて形成配置された炭素ナノチューブを備える電子放出源と、を備える電子放出素子。これにより、電子放出素子の動作電圧を低下させることができ、このような電子放出素子を採用したディスプレイ装置は電力の消費を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。
【解決手段】 柱状ダイヤモンド単結晶１０片端を研磨して滑らかな平面１１を形成し、滑らかな平面１１上にセラミック層１２を形成する。このセラミック層１２上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層１４を堆積した後、この薄膜層１４をマスクとして、エッチングによりセラミック層１２をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶１０の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
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【課題】より低温環境で、所望の構造を有する電子放出部を確実に構成可能な電子放出物質の製造方法および表示装置を提供する。
【解決手段】 導電性を有する触媒導電層１２上に、カーボン材料を含み繊維状または管状を成すとともに側部にグラフェンシート２２の端面２２ａが露出しているグラファイトナノチューブ２１を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法であって、前記導電触媒層１２を加熱し、減圧雰囲気下において、導電触媒層１２の周囲に混合ガスを導入し、プラズマを発生させてＣＶＤを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化膜中のトラップサイトを低減する方法により、残像が低減し、高信頼性かつ長寿命の画像表示装置を提供する
【解決手段】電子加速層となる絶縁層を形成する陽極酸化処理の前又は後あるいは前後で、オゾン雰囲気中でのアニール処理する。この方法で製造された画像表示装置の薄膜電子源は、その電子加速層の欠陥順位が１.５ｅＶ以下の欠陥を、１.５×１０１８個以下有する。 （もっと読む）

【課題】低真空状態であっても、電子放出部の周りに存在する残留ガス等の物質による電子放出部への影響を低減することを可能とする。
【解決手段】画像表示装置１は、電子放出素子１０と、この電子放出素子１０から放出される電子により発光する表示部３０とを備えている。電子放出素子１０は、カソード基板１１と、このカソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、電子放出部２１ａを有するカーボン層２０と、を備えている。電子放出部の外表面は被覆膜２２によって覆われている。被覆膜２２は電子放出部２１ａよりも酸化しにくい材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性能を維持し、かつ、容易に、電子放出に要する電圧を低減することができる電子放出素子、電子放出素子の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１０は、基板１１と、導電層１２と、絶縁層１５と、ゲート電極１６と、電子放出部２８とを備えている。導電層１２は、基板１１上に設けられている。絶縁層１５は、導電層１２上に形成されている。絶縁層１５は、電子放出部２８を露出させる絶縁孔部２１を有する。ゲート電極１６は、絶縁層１５上に形成されている。ゲート電極１６は、電子放出部２８が露出するゲート孔部２２を有する。電子放出部２８は、絶縁孔部２１及びゲート孔部２２の内部において導電層１２上に形成されている。ゲート孔部２２において、ゲート孔部２２内に電界集中を生じさせる電界集中部２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー自体の抵抗値が経時的に変化しにくい配線基板を備えた電子源を提供することを目的とする。
【解決手段】電子源は、表面に溝を備える基板と、該溝に沿って、該溝内に少なくともその一部が配置された導電性のワイヤーと、ワイヤーと交差してワイヤー上に配置された配線と、を備えた配線基板と、配線基板上に配置され、前記導電性のワイヤーと前記配線に電気的に接続された複数の電子放出素子と、を備え、ワイヤーの表面が、ワイヤーを構成する材料の酸化物からなる被覆層で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 カーボン系エミッタ作製による電極間に堆積した導電性物質の除去。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１１、絶縁層１２及びゲート電極１３を順次積層し、次いで、このゲート電極１３にゲートホール１３ｂを形成した後に、このゲートホール１３ｂを介して絶縁層１２にホールを形成し、その後、このホール底部に触媒層１５を形成し、この触媒層１５に炭素原子含有ガスを接触させてカーボン系エミッタ１６を成長させてなるカソード基板の作製方法において、基板表面に紫外線照射して、カーボン系エミッタ成長時に基板表面の触媒層以外の場所（例えばゲート電極間）に生成された導電性物質１７を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法およびその電界放出ディスプレイに関する。さらに具体的には、本発明は、電極構造が形成される前に、電子放出源としての炭素ナノチューブの位置を決定して均一に成長させ、感光性レジストを用いて、選択的に均一に形成された前記炭素ナノチューブを画素単位に区分するスペーサを直接電極上に形成することにより、画素間の相互干渉現象である漏話を防止し且つ均一な電子放出によって画素の均一度を向上させることができる、電界放出素子の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法および電界放出ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出電極を各給電電極毎に簡便に分割する方法が必要であった。
【解決手段】 電子放出電極に給電する給電電極と同層かつ平行に絶縁性の隔壁を形成し、画像表示領域全面に電子放出電極を成膜し、隔壁側面での断切れ、熱処理による凝集や固溶拡散、Ｓｉ隔壁上面へのレーザー照射によるアブレーション、Ｓｉ隔壁を挟んだ走査線間への通電によるジュール熱溶断で、電子放出電極を切断する。 （もっと読む）

【課題】 電子収束に優れたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１、２以上のゲートホール５が形成されたゲートホール領域７を有するゲート電極６、絶縁層２及びエミッタ４を少なくとも備えたカソード基板において、エミッタ４とゲート電極６との間で形成される等電位面が、エミッタから放出された電子を収束する凸面となるようにゲート電極及びエミッタのうち少なくとも１つを構成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出電極を各走査線毎に簡便に分割した画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層１３Ｐを成膜し、隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間の電子放出電極を溶断して分離する。 （もっと読む）

【課題】低電界における電子放出を可能とした、表面処理された電子放出材料及びその製造方法並びに電極を提供する。
【解決手段】本発明にかかる表面処理された電子放出材料の製造方法は、マトリクス金属中にカーボンナノファイバーが分散された電子放出材料を得る工程と、電子放出材料の表面を平坦化する工程と、平坦化された電子放出材料の表面に微細な凹凸を形成する表面処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子を均一に放出することができ、製造工程が簡単であり低コストで製造することの可能な電子放出素子と、この電子放出素子を備えて画素間の均一度を向上させることの可能なディスプレイ装置および電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１０と、第１基板１１０上に配置されたカソード電極１２０および電子放出源と、カソード電極１２０と電気的に絶縁されるように配置されたゲート電極１４０と、カソード電極１２０とゲート電極１４０との間に配置され、カソード電極１２０とゲート電極１４０とを絶縁する絶縁体層１３０と、カソード電極１２０に接するように配置され、半導体カーボンナノチューブを含む抵抗層１２５と、を備える電子放出素子１０１である。 （もっと読む）

【課題】露光光の回折、表面−マスク間反射、表面散乱を抑制することで、高精細なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基材上に感光性有機成分を含むパターン形成層と、該パターン形成層上に位置するコート層の少なくとも２つ以上の層を設け、コート層側から露光を行った後に現像処理を行うパターン形成方法であって、該コート層が光褪色性材料を含み、かつ該コート層の屈折率Ｎ１とパターン形成層の屈折率Ｎ２が下式（１）を満たすことを特徴とするパターン形成方法。
｜Ｎ２−Ｎ１｜＜０．１ （１） （もっと読む）

【課題】 カソード電極２とゲート電極４とを絶縁層３を間に挟んで積層し、ゲート電極４と絶縁層３を貫通するゲートホール内に位置するカソード電極２上に電子放出膜５を配置した電子放出素子の製造方法において、開口内の絶縁層３の壁面に付着した電子放出膜５の材料を除去できるようにし、リーク電流の少ない高効率な電界放出型の電子放出素子を容易に製造できるようにする。
【解決手段】 絶縁層３とゲート電極４のうち、少なくともゲート電極４を貫通し、ゲートホールである第１開口６に並設される第２開口を形成し、前記第２開口と、内部に前記電子放出膜５が堆積された前記第１開口６との間に存在する絶縁層３を、前記第１開口６と第２開口７とが連通するまでエッチングする工程を有する電子放出素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】水銀を使用しない光源およびこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下部基板と、少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上で成長したエミッタチップ用カーボンナノチューブと、前記下部基板に対向し位置して、蛍光物質と透明電極を含む上部基板と、を含むことを特徴とする面光源装置およびその製造方法、前記面光源装置を用いた液晶表示装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出部の特性を向上させることができる電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコーンラダーポリマーからなる絶縁層４に開口部を形成し、カーボンナノチューブ層３を露出させる工程は、条件が異なる２種類のドライエッチングを用いて実行される。第１段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ₄およびＯ₂の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０Ｐａより小さく設定されている状態で、カーボンナノチューブ層３を露出させない程度の深さのホール４ａが形成される。その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ₄およびＯ₂の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 （もっと読む）