【課題】設計自由度が高く曲げ強度が高く極めてアスペクト比が高いニードルを提供する。
【解決手段】最小幅１μｍ以上の連続領域を保護する膜であるリード保護膜Ｒ１をシリコン基板１００の主面１０１の一カ所以上に形成する工程と、シリコン基板１００の主面１０１のリード保護膜Ｒ１から露出している領域を垂直方向にエッチングすることによって直柱体１０２を形成する工程と、直柱体１０２の内部に酸化されずに残る直柱体領域１０４の横断面最大幅が１μｍ未満になるまでシリコン基板１００を熱酸化する工程と、シリコン基板１００に形成された酸化膜１０３を除去することによって、直柱体領域１０４からなるリードと、底に向かって広がるフレア面を側面とし頂からリード１０４が突出するマウント１０５とを有しシリコンからなるニードル１０を形成する工程と、を含むシリコンナノニードルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なり、且つ半導体基板の面内において周期的に形成された周期的ナノ構造体を制御性よく製造する製造方法および電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面１ａに周期的に配列された複数個の垂直孔３１を陽極酸化により形成してから、垂直孔３１の内周面の平滑性を向上させ、垂直孔３１の内周面に沿ってシリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源１０を得る。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して９重量パーセント未満を占めるペースト使用し、電子電界エミッタを形成し、材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、その後、材料を剥離して、電子電界エミッタの新たな表面を形成する電子電界エミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】 固形分の総重量に対して９重量％未満、好ましくは０．０１から２重量％のカーボンナノチューブを含むペースト、或いは、０．０１から６．０重量％のカーボンナノチューブ、４０〜７５重量％の銀微粒子及び３〜１５重量％のガラスフリットを含むペーストを用いて、電子電界エミッタを形成し、材料を電子電界エミッタに密着接触し、その後、剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは前記電子電界エミッタを再配列させ、前記電子電界エミッタの新たな表面を形成し、カーボンナノチューブで構成される電子電界エミッタを製造することを特徴とする方法 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の少なくとも前記側面の上に第１導電性膜を設ける第１工程と、前記上面の上から前記側面の上に渡って、かつ前記第１導電性膜の上に、第２導電性膜を設ける第２工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面及び該上面と接続する側面を備える絶縁層の前記上面の上方に電極を設ける第１工程と、第１導電性膜を、前記電極と離間するように前記上面の上から前記側面の上に渡って設ける第２工程と、第２導電性膜を、前記上面の上から前記側面の上に渡って、前記第１導電性膜の上に設ける第３工程と、前記第２導電性膜をエッチングする第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、リーク電流の発生を抑えた信頼性の高い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 上面と該上面と角部を介して接続する側面とを備える絶縁層の上に、前記側面から前記上面にかけて延在し、前記角部の少なくとも一部を覆う、導電性膜を形成し、前記導電性膜に形成された膜密度の差を利用してエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】性能の高いＣｕ_２Ｏ円錐状突起からなる電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出型電子源として、Ｃｕ_２Ｏ円錐状突起体を用いる。この円錐状突起体は、突起体先端の曲率半径ρが１５〜２００ｎｍ、開き角θが５〜６０degであることが望ましく、突起体先端の曲率半径ρが２０〜７０ｎｍ、開き角θが１０〜３０degであることがさらに望ましい。また、円錐状突起の長さｌと曲率半径ρの比ｌ／ρ＞１５が望ましい。また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したＣｕワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からＡｒイオンを照射して、チップの先端にＣｕ_２Ｏ円錐状突起を形成することを特徴とするものである。この発明において、Ｃｕワイヤとして予め機械研磨または電解研磨が施されたものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体材料層の厚み方向に連なって形成された複数のナノ構造部を有し且つ半導体材料層の面内においてナノ構造部が周期的に形成された周期的ナノ構造体を所望のナノ構造部の周期で容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板（半導体材料層）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列されたサイト３１を形成してから、シリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することでナノ構造部３２が周期的に配列された周期的ナノ構造体１０を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源２０を得る。 （もっと読む）

【課題】製造過程において安定で、かつ、低電圧で高効率な電子放出を安定して行うことのできる電子放出素子の製造方法、該製造方法で製造された電子放出素子、該電子放出素子を用いてなる電子源、及び、該電子源を利用した、高いコントラストを示す画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電性の金属粒子が含まれたカーボン層を用意する工程と、前記導電性の金属粒子の一部を酸化させる工程と、前記カーボン層の表面にダイポール層を形成する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る電子放出素子は、上記電子放出素子の製造方法で製造されたことを特徴とする。また、本発明に係る電子源は、上記電子放出素子を複数備えることを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置は、上記電子源と、電子の照射によって発光する発光部材と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、電極配線金属からの異常成長を防止し、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に第１絶縁膜１２を形成する工程と、第１絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール（１１）を形成する工程と、ホールの底面に触媒微結晶核２９を形成する工程と、ゲート電極１４表面上に第２絶縁膜５０を形成する酸化工程と、触媒微結晶核２９上にカーボンナノチューブ４を形成する工程とを有することを特徴とするカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高速であり、及び／または生産コストが低い電子エミッタが提供される。
【解決手段】ナノワイヤ電子エミッタを用いた電界効果型の電子放出装置であって、ナノワイヤ電子エミッタを絶縁層の細孔内で成長させ、及び／またはナノワイヤ電子エミッタの少なくとも一部を細孔から露出させた電子放出装置が開示される。電界効果型の電子放出装置の製造方法もまた開示される。電界効果型の電子放出装置は表示装置の中で使用することができる。 （もっと読む）

【課題】エミッタの先端を損傷させてしまうことがなく、異材料間での熱膨張差の影響を少なくでき、製造コストが低減できる電界放出型冷陰極装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】真空状態の中に、複数の先鋭先端のエミッタ３を上面に形成したエミッタ金属層７を備えて支持基板１２に支持されたカソード電極部４と、エミッタ３に所定離間距離を設けて対向配置されたアノード電極５とを設け、アノード電極５とこれに対向するエミッタ３との間に所定電位を与えて電子の放出が行われるようにした装置で、カソード電極部４は、エミッタ金属層７の上下両面に、エミッタ金属層７と異なる材質の上側保護膜８、下側保護膜９が設けられていると共に、上面側保護膜８には、アノード電極５に対向する所定部分のエミッタ３上方に、エミッタ開口１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】カソード電極層とアノード電極層との間でのショートが防止され、電子放出効率が高く、かつ複数の画素の発光の均一性が高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔６は、少なくとも絶縁層２を貫通する部分においてカソード電極層１１ｂに向かって除々に幅または径が大きくなっている。貫通孔６内においては、複数のカーボンナノチューブ７が触媒層５の内側面から貫通孔２の側面に沿って延びている。複数のカーボンナノチューブ７の先端がゲート電極層３ａの内側面の近傍の位置から下方または斜め下方に向かって延びるラインＬに沿って切り揃えられている。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ先端の極めて小さな曲率半径に基づく電子放出効率を有する、ディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の電子放出源を形成する所定の位置に、カーボンナノチューブを生成する触媒微粒子４３を担持し、基板上に触媒微粒子４３を介して基板に直立して成長するカーボンナノチューブ４４とカーボン不純物４５とを含む粗生成物４６を堆積するディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法であって、粗生成物４６が堆積された基板を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物４５が選択的に酸化される温度に加熱して、粗生成物４６からカーボン不純物４５を取り除いて、直立したカーボンナノチューブ４４のみを残す。 （もっと読む）

【課題】この発明は、電子の放出効率が高い電子放出素子、この電子放出素子を複数整列配置した電子放出装置、この電子放出装置に画像表示部を組み合わせた表示装置、および上記電子放出素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電子放出素子１６は、基板上に互いに離間して形成した一対の素子電極４０、４０、および一対の素子電極をつなぐように形成された導電膜４４を有する。導電膜４４は、素子電極４０よりアノード電極に向けて突出した凸面４２を介して、一対の素子電極４０、４０をつなぐように形成され、凸面４２の中央に電子放出部３２を有する。凸面４２の幅をある値より狭くすることで、電子放出部３２を飛び越えた電子が導電膜４４上でスキャッタリングする際に、電子が着地する領域を狭くし、電子の放出効率を向上させる。 （もっと読む）