【課題】電子放出源の位置を正確に規定し、画素間の漏洩の無い電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】基板１００の上に形成されたカソード電極１１０と触媒層１３０の上に感光性レジスト層１４０をコートし、パターン形成後に焼結させて所定位置にホールを形成し、ホール内にプラズマＣＶＤでカーボンナノチューブ１５０を成長させる。更に感光性レジスト１６０を用いて直接電極上に画素単位に区画するスペーサ１６２を形成し、画素間の漏洩を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、第一電極と、第二電極と、少なくとも一つの陰極エミッタと、二次電子放出エミッタと、を含む。前記第一電極及び前記第二電極は、相互に間隔をあけて設置され、前記絶縁基板の一つの表面に設置される。前記陰極エミッタは、前記第一電極に電気的に接続される。前記二次電子放出エミッタは、電子放出面を有する。前記二次電子放出エミッタは、前記陰極エミッタに対向して、該陰極エミッタと間隔をあけて設置される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソードと該カソードから電界放出された電子が照射されるゲートとを備える電子放出素子であって、前記ゲートは、前記カソードから電界放出された電子が照射される部分に、モリブデンと酸素とを含む層を少なくとも有しており、前記層が、透過電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法によるスペクトル測定において、３９７ｅＶ〜４０１ｅＶの範囲と４１４ｅＶ〜４１８ｅＶの範囲と５３４ｅＶ〜５３８ｅＶの範囲と５４０ｅＶ〜５４７ｅＶの範囲のそれぞれにピークを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材９に形成された凹部７を挟んでゲート５とカソード６ａが設けられ、電子がゲート５に衝突、散乱した後に取り出される電子放出素子を用いた電子線装置において、安定した電子放出特性が得やすく、しかも過剰な発熱を生じた場合にも、過熱による素子劣化や素子破壊を防止できるようにする。
【解決手段】絶縁部材９の外表面と、絶縁部材９に形成された凹部７の内表面とに跨って位置する突起３０を有するカソード６ａとすると共に、ゲート５を、少なくとも２つの導電層５ａ，５ｂの積層体で構成し、突起３０と対向する部分に位置する導電層５ｂの熱膨張率を他の導電層５ａの熱膨張率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの各種部材や高周波無線用セラミック多層基板などに用いられる感光性ペースト組成物に関して、フォトリソグラフィー処方によるパターン加工性と、焼成時の形状保持性を両立し、ペーストのポットライフが良好な感光性ペースト組成物を提供する。
【解決手段】下記Ａ）〜Ｃ）から選ばれる少なくとも１種の感光性有機成分と無機粒子とカゴ状シルセスキオキサンを含有することを特徴とする感光性ペースト組成物。
Ａ）エチレン性不飽和基含有化合物および光重合開始剤、
Ｂ）グリシジルエーテル化合物、脂環式エポキシ化合物、オキセタン化合物からなる群から選択された１種以上のカチオン重合性化合物、および光カチオン重合開始剤、
Ｃ）キノンジアジド化合物、ジアゾニウム化合物、アジド化合物から選択された１種以上の化合物。 （もっと読む）

【課題】
電子放出電流が大きく、製造が容易で堅牢性に富んだ電子放出電流の大きな電子放出を実現し、３極真空管、磁気センサ、真空センサなどの応用デバイスを提供すること。
【解決手段】
陰極２から陽極３へ向けて電子を放出する電子放出素子において、陰極２と陰極２に隣接する電子放出領域１に跨って、かつ電気絶縁性薄膜５を介してゲート電極４を設け、陰極２に対して正となる電圧をゲート電極４に印加することにより、ゲート電極４近傍の陰極２における電子放出面６の障壁幅を狭くして電子に対するトンネル効果を促進し、陰極２から陽極３への電子放出を生じ易くしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイス，電子放出表示デバイス，および電子放出デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態による電子放出デバイスは，基板２と，基板２上に形成される主電極６ａと補助電極６ｂとを含むカソード電極６と，補助電極６ｂ上に形成される抵抗層１４と，抵抗層１４と連結する電子放出部１２と，電子放出部１２を露出させる第１開口部８ａを備え，基板２上に形成される絶縁層８と，第１開口部８ａに対応する第２開口部１０ａを備え，絶縁層８上に形成されるゲート電極１０とを含み，抵抗層１４はその厚さ方向に沿って変化する比抵抗値を有する。抵抗層１４は，補助電極６ｂの構成物質の一部を拡散させて形成される。これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 （もっと読む）

この発明は、高周波化と高出力化の両立が図られた冷陰極電子源と、これを用いたマイクロ波管及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る冷陰極電子源においては、アスペクト比Ｒが４以上となるようにエミッタ（２４）の先端が先鋭化されているため、ゲート電極（１６）から遠ざかった分だけ、エミッタ（２４）とゲート電極（１６）と間の静電容量が小さくなっている。そのため、冷陰極電子は高周波に対応することが可能である。なお、この冷陰極電子源の陰極材料には、タングステンやシリコン等の従来の陰極材料ではなく、融点と熱伝導率の高いダイヤモンドが用いられている。そのため、エミッタ（２４）内を流れる電流の電流密度が高い場合であってもエミッタ（２４）が溶融しにくいので、この冷陰極電子源は高出力に対応することが可能である。
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【課題】 カソード・アノード間の絶縁耐圧が高く、かつ電子放出効率が高く、かつ発光均一性の高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電界電子放出装置１は、カソード電極１１ｂと、カソード電極１１ｂ上に形成され、孔６ａを有する絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成され、孔６ａに連通する孔６ｂを有するゲート電極３ａと、孔６の底部に形成され、かつカソード電極１１ｂと電気的に接続されたカーボンナノチューブ７と、孔６ｂの内壁面に沿って形成された絶縁膜８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁層及び第２絶縁層が積層された構造の安定性を確保して電子放出部のエミッション特性及び電子ビーム集束効率を向上させることが可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】基板１０と，前記基板１０上に，第１絶縁層１２を介在して互いに絶縁状態で配置されるカソード電極１１及びゲート電極１３と，前記カソード電極１１に電気的に連結される電子放出部１６と，前記電子放出部１６を開放させるように，前記電子放出部１６上に形成される集束電極１５と，前記カソード電極１１及び前記ゲート電極１３のなかでいずれか１電極と前記集束電極１５間に配置される第２絶縁層１４とを含み，前記第１絶縁層１２と前記第２絶縁層１４がそれぞれ１μｍ以上の厚さを有し，前記第１絶縁層１２が前記第２絶縁層１４の軟化温度より３０℃以上高い軟化温度を有する。 （もっと読む）

【課題】 炭素ナノチューブエミッタを備える電界放出ディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＮＴエミッタの周りに形成されたゲート積層物が前記ＣＮＴエミッタの周りのエミッタ電極を覆うマスク層、前記マスク層上に順次に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極、第１シリコン酸化膜（ＳｉＯ_Ｘ）（Ｘ＜２）及びフォーカスゲート電極を含み、非晶質シリコンよりなる前記マスク層は、前記ＣＮＴエミッタより高く備わったことを特徴とするＣＮＴ ＦＥＤ及びその製造方法である。前記第１シリコン酸化膜は、２μｍ以上、望ましくは３〜１５μｍの厚さを有する。前記第１シリコン酸化膜及び／または前記ゲート絶縁膜を製造する過程でシラン（ＳｉＨ_４）のフロー率は５０〜７００ｓｃｃｍに保持し、窒酸（Ｎ_２Ｏ）のフロー率は７００〜４,５００ｓｃｃｍに保持する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、冷陰極エミッタを備えた冷陰極素子及び電界放出型ディスプレイに関し、画素間の輝度のばらつきを低減すると共に、解像度の低下や混色等の画質劣化を抑制することのできる冷陰極素子及び電界放出型ディスプレイを提供することを課題とする。
【解決手段】 ゲート電極５７上に開口径Ｒ２の開口部５８Ａを有した誘電体層５８と、誘電体層５８上に開口径Ｒ１の開口部５９Ａを有した導体５９とを備えた冷陰極素子６０を複数設けて、電界放出型ディスプレイ５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 容易に製造することができ、かつ解像度の高い冷陰極電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の冷陰極電子源３０は、導電膜５および導電膜６に印加された電圧によってＣＮＴ膜４から電子を放出する冷陰極電子源であって、絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成された導電膜５と、導電膜５上に形成された導電膜６と、導電膜５と導電膜６との間に形成された絶縁膜７とを備えている。絶縁膜２および導電膜５の各々には孔２ａ，５ａの各々が開口しており、導電膜６には孔２ａ，５ａに繋がる孔１２が開口している。さらに、孔２ａ，５ａの底部に形成されたＣＮＴ膜４を備えている。絶縁膜７から離れるに従って孔１２の口径が減少している。 （もっと読む）