【課題】高い電界放出効率を具現することが可能な電界放出エミッタアレーが提供される。
【解決手段】本発明による電界放出エミッタアレー１００は、ニッケル基板１０５と、上記ニッケル基板から垂直方向に延長された多数のナノフィラー１１０とを含む。上記ナノフィラーは、上記ニッケル基板と一体を成し且つ垂直方向に延長されたニッケルから成るナノフィラー本体部１０７と、上記ナノフィラー本体部上に形成されたＣＮＴ‐ナノフィラー複合物質から成るナノフィラー上端部１０４とを含む。上記ナノフィラー上端部の上面には一つ以上のＣＮＴ３０が外部へ突出している。 （もっと読む）

この発明は、高周波化と高出力化の両立が図られた冷陰極電子源と、これを用いたマイクロ波管及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る冷陰極電子源においては、アスペクト比Ｒが４以上となるようにエミッタ（２４）の先端が先鋭化されているため、ゲート電極（１６）から遠ざかった分だけ、エミッタ（２４）とゲート電極（１６）と間の静電容量が小さくなっている。そのため、冷陰極電子は高周波に対応することが可能である。なお、この冷陰極電子源の陰極材料には、タングステンやシリコン等の従来の陰極材料ではなく、融点と熱伝導率の高いダイヤモンドが用いられている。そのため、エミッタ（２４）内を流れる電流の電流密度が高い場合であってもエミッタ（２４）が溶融しにくいので、この冷陰極電子源は高出力に対応することが可能である。
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【課題】高密度化および小型化が可能な電子源装置を提供する。
【解決手段】電子源装置１０は、Ｓｉ基板１上にマトリックス状に配置された複数の電子放出部４と、この電子放出部４を制御するための、互いに直交する複数のエミッタライン３および複数のゲートライン８とを有している。また、複数のエミッタライン３の各々を囲うように素子分離領域２が設置され、複数のエミッタライン３の各々にはコンタクトホール３ａが形成され、素子分離領域２によって囲まれた領域外には、複数のエミッタライン３の各々に対応する複数のエミッタライン用実装電極７が設置され、複数のエミッタライン用実装電極７の各々に接続された配線６は、コンタクトホール３ａを介して、複数のエミッタライン用実装電極７の各々に対応する複数のエミッタライン３と接続されている。 （もっと読む）

【課題】 カソード・アノード間の絶縁耐圧が高く、かつ電子放出効率が高く、かつ発光均一性の高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電界電子放出装置１は、カソード電極１１ｂと、カソード電極１１ｂ上に形成され、孔６ａを有する絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成され、孔６ａに連通する孔６ｂを有するゲート電極３ａと、孔６の底部に形成され、かつカソード電極１１ｂと電気的に接続されたカーボンナノチューブ７と、孔６ｂの内壁面に沿って形成された絶縁膜８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノ材料と陰極部材との接合部の耐熱温度を上げることで、最大陰極電流を大きくした電界放射電子源を提供する。
【解決手段】 陰極部材１の先端にカーボンナノ材料からなる細線部材２が接合され、細線部材２の先端から電子が放射するように形成された電界放射電子源１０において、陰極部材１と細線部材２との接合部に、融点が５００℃以上である金属の被覆層３を形成することにより、耐熱性のある金属膜で接合部を付着する。 （もっと読む）

10 nm未満の外径、及び10層未満の層を有するカーボンナノチューブ物質を開示する。また、基板、任意に接着促進層、及び電子電界放出物質層を含む、電子電界放出素子を開示する。該電子電界放出物質は、１チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有する、カーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブ製造方法の１つは、下記段階を含む：(a) MgO 粉末上に支持されたFe、及びMoを含む触媒を製造する段階；(b) 水素、及び前駆体としての炭素を含む混合ガスを使用する段階；及び(c) カーボンチューブを製造するように、前記触媒を950℃以上に加熱する段階である。電子電界放出陰極の他の製造方法は、下記段階を含む：(a) １チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有するカーボンナノチューブを含む、電子電界放出物質を合成する段階；(b) 適切な溶媒中で、該電子電界放出物質を分散する段階；(c) 基板上に、該電子電界放出物質を堆積する段階；及び(d) 該基板をアニールする段階である。 （もっと読む）

本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
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【課題】ナノダイヤモンドを用いた改良された電子放出構造と画素化された配列と共に、冷陰極の放出領域をより簡単に製造する方法を提供する。
【解決手段】高い仕事関数を有する金属１８であって、金属−ドープされたダイヤモンドナノ結晶粒子層１４を低い仕事関数を有する金属陰極１２の平坦面と接触させて包むカプセルである金属１８を備えた電子放出素子と、その形成方法である。その方法は、伝導性を有するナノダイヤモンド粉末を金属性の溶液と調合すること、仕事関数が高い金属を含むこと、及び、それを金属陰極１２の上に配置して低い電子親和力を示す表面領域を有する合成の物質層を構成することを含んでいてもよい。得られる冷陰極構造は、効率的な電子放出のために必要な抽出電界が低く、単位面積あたりの放出電流を制限する手段を有し、そして、吸着/脱着に対する電子放出感度が低減されている。 （もっと読む）