【課題】耐摩耗性及び耐蝕性を維持しつつ保護層の薄膜化を図ることができる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上方に形成された磁性層３と、磁性層３の上方に形成された、密度が2.2g/cm³以上の非晶質窒化シリコン膜からなる保護層４と、保護層４上の潤滑層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】電磁変換特性および耐腐食性に優れた磁気記録媒体及び磁性層へのダメージを与えることなく、薄膜化による電磁変換特性の向上を可能にする保護膜形成法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に少なくとも磁性膜を形成したディスク上に、高周波プラズマＣＶＤ法でカーボン保護膜を形成する保護膜形成法であって、カーボン保護膜形成における放電初期においては０Ｖ〜−２００Ｖのバイアス電圧を印加し、放電終了時においては−２００Ｖ以下かつ−５００Ｖより大きい電圧を印加することを特徴とする保護膜形成法、および非磁性基板上に少なくとも磁性膜と保護膜を備えた磁気記録媒体であって、前記保護膜が、上記保護膜形成法で形成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】DLC保護膜の薄膜化するとともに、充分な性能を持つDLC保護膜の成膜方法、薄膜化したDLC保護膜を有する磁気記録媒体を備えることを特徴とする磁気記録装置を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも記録層、保護膜を設けた磁気記録媒体において、該保護膜が磁気記録媒体用保護膜であり、該磁気記録媒体用保護膜と記録層の間に遷移層を有する磁気記録媒体。該遷移層を薄くするために、プラズマCVD法による磁気記録媒体用保護膜の成膜工程において、負のバイアス電圧を増加しながら成膜することを特徴とする成膜方法および磁気記録装置。 （もっと読む）

【課題】 ＡＦＣを熱に強い構造とすることで、垂直磁気記録ディスクの耐熱温度を上げ、ＡＦＣの機能を損なうことなくコロージョンの発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明によるディスク基体１０上に軟磁性層１４、磁気記録層２２、媒体保護層２６をこの順に備える垂直磁気記録媒体１００では、軟磁性層１４は、Ｆｅを３０〜７０ａｔ％含有する反強磁性交換結合（ＡＦＣ）構造で形成され、磁気記録層２２は、少なくともＣｏを含有する結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層であり、媒体保護層は、ラマンスペクトルのピーク比Ｄｈ／Ｇｈが、０．６０〜１．０５であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ヘッドに対する耐磨耗性の低下や特性低下が少なく、保護層のカバレッジ性の低下による磁気記録層からの金属溶出、耐腐食性低下の少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターンが形成された磁気記録媒体にＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法およびディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターン形状を有し、さらに該凹凸パターン形状の上に保護層を有する磁気記録媒体において、前記保護層がＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層からなることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐腐食性に優れた二重保護層を備えた磁気記録再生ヘッドまたは磁気ディスクおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気記録再生ヘッド１０または磁気ディスク２０の清浄化された表面に、シリコン酸化窒化物（ＳｉＯ_xＮ_y）からなる密着性向上のための下地層１８０（２８０）と、ＤＬＣ層１９０（２９０）とからなる２層構造保護膜を形成する。ｘは０．０２〜２．０の範囲、ｙは０．０１〜１．５の範囲とすることが好ましい。下地層１８０（２８０）のｘ，ｙの値を適切に調整することにより、基板とＤＬＣ層との間の強い化学的結合、優れた耐摩耗性および耐腐食性、化学的・機械的安定性、および低い導電性が得られる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置内におけるパーティクルの発生を低減して炭素保護膜表面の平坦性を向上させ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能な炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１０内に、磁性膜が形成された円盤状の基板Ｄを設置し、該基板Ｄの両面に離間対向した電極１１を設け、表面１１ａが粗面化処理された電極１１を用い、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で該基板Ｄ上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す形成方法としている。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の記録層に用いるＣｏ系合金は腐食しやすい合金であるため、記録密度向上のために保護膜の薄膜化を進めていくと、耐食性、耐久性の観点から製品性能を満足する結果を得ることが難しくなってくる。
【解決手段】垂直磁気記録媒体のグラニュラー磁性層６を保護するＤＬＣ保護膜７をＣＶＤ法により形成する際に、グラニュラー磁性層界面側の第１層７ａの膜厚を保護膜全膜厚の７．５〜２５％，水素含有量を３３〜３８％とし、第２層７ｂの膜厚を保護膜全膜厚の５０〜８５％，窒素含有量を３〜７％とし、最表面側の第３層の膜厚を保護膜全膜厚の７．５％〜２５％，水素含有量を２５％以下とする。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】蒸着テープの製造方法として、磁性層の保護膜としてのＤＬＣ膜の膜質が均一で、且つ大量生産のできるロ−ルツーロール型のプラズマ真空処理装置を提供する。
【解決手段】基材の成膜ステージとなるロール型カソード電極をカソードとし、対向するプラズマインジェクション型反応管をアノ−ドとし、両電極間に高周波を印加する容量結合型プラズマＣＶＤ方式において、プラズマインジェクション反応管の開口面積よりもアノード面積が大きくなるように電極を構成することにより、プラズマの非対称放電効果でカソード上の基材に高速成膜できる。また、蒸着テープに限らず、基材の電気抵抗に依存せずにプラズマを発生させることができるため、プラズマＣＶＤの他、イオンエッチング、イオンアッシング、イオンボンバード等のプラズマ処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の高密度化し保護膜のアモルファス性の向上を図ると、フィルムへのダメージの危険性を飛躍的に上昇させてしまう。
【解決手段】磁性層２の厚み方向に関して酸素量分布に極大値を有する場合、磁性層２表面の極大値が、磁性層２中間部の酸素量が最も少ない部分と比較して１倍以上１．５倍以下の比率で酸素量を含有させる。このことで、保護膜３成膜時の印加電圧を上げることなくプラズマ密度を向上することができ、信頼性および耐久性の優れた薄膜磁気記録媒体を安価に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】機械的ダメージや腐食に対して耐久性のある磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ドーナツ形の基板と、前記基板上の磁性膜と、前記磁性膜上の保護膜とを具備し、前記基板の主面が、外周端と内周端との間の中央部にある記録領域と、外周端または内周端からそれぞれ１００μｍ以上２０００μｍ以内の範囲にある端部領域と、前記端部領域と前記記録領域との間にあり記録がなされない隣接領域とに区分されており、前記端部領域における磁性膜の膜厚が前記隣接領域のそれよりも薄く、前記端部領域における保護膜の少なくとも一部の膜厚は前記隣接領域のそれよりも厚くなっていることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを十分に除去し、良質なダイヤモンドライクカーボン等より成る保護膜を形成しうる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１０が載置される成膜室１２と、基板上に成膜を行うための成膜原料１４が載置され、成膜原料をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、成膜原料のプラズマ２８を生成するプラズマ生成部１６と、プラズマ生成部と成膜室とを接続し、プラズマ生成部において生成されるプラズマを成膜室内に移動させるための移動経路１８と、プラズマ生成部と成膜室との間に設けられ、移動経路を開閉するシャッター２０、２２とを有し、シャッターの開閉を時間的に制御することにより、成膜原料から飛散するパーティクル３８をシャッターにより遮断しつつ、プラズマを基板上に到達させる。 （もっと読む）

【課題】３ｎｍ以下の保護層膜厚であっても、耐摩耗性、摺動特性に好適な磁気ディスクを提供する。また、ＬＵＬ方式用として好適な磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板１と、磁気記録を行うために基板１上に成膜された磁性層３と、磁性層３を保護するために磁性層３上に成膜された保護層４とを少なくとも備える磁気ディスクの製造方法において、保護層４は、実質的に炭素及び水素からなる炭化水素保護膜４ａを磁性層３側に有し、磁気ディスクの製造方法は、安定したプラズマ放電を確保するためのイグナイターを用いてプラズマ点火を行いつつ、０．１Ｐａ以上２Ｐａ以下の真空度の雰囲気中で炭化水素保護膜４ａを成膜する炭化水素保護膜成膜工程を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドの腐食の発生を抑えることが可能な磁気ディスクを提供する。
【解決手段】面取部及び側壁部からなる端面と、主表面とを有する基板上に磁性層と保護層とを順次形成する磁気ディスクの製造方法であって、前記保護層の成膜時に、前記基板に対して所定のバイアスを印加することによって前記端面に保護層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマＣＶＤにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。
【解決手段】テープ状基板１上に形成された磁性膜１ａ上にプラズマ反応によって保護膜１ｂを成膜する成膜装置１０は、磁性膜１ａに保護膜１ｂを形成するためのプラズマ反応空間を形成する反応室１１と、反応室１１内に保護膜１ｂを形成するための反応ガスを供給する反応ガス導入部１２と、反応室１１内に設けられており磁性膜１ａとの間にプラズマを発生させる陽極電極３１と、反応室１１の外部に設けられ、磁性膜１ａに対して非接触で電子流を供給する電子供給源３４，３５と、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を制御する制御部３６とを備える。制御部３６は、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を、陽極電極３１に対して供給される電流量以上に制御する。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板上に磁性記録層を有し、この磁性記録層上に被覆層を有する磁気ディスクにおいて、磁性記録層と被覆層との密着度を向上させ、被覆層の十分な耐久性、特に、良好な耐ＬＵＬ特性を維持することができるようにする。
【解決手段】 非磁性基板１上に磁性記録層３を有し、この磁性記録層３上に被覆層４を有する磁気ディスク１０であって、被覆層４は、磁性記録層３側に、ホウ素及び炭素からなる第１被覆層４ａを有して形成されている。 （もっと読む）