【課題】鮮明な磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を簡便なプロセスで製造することを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気的に分離された磁気記録パターンＭＰを有する磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基板１０の上に第１の磁性層１１を形成する第１の工程と、第１の磁性層１１の上に磁気記録パターンＭＰに対応した形状にパターニングされたレジスト層１２を形成する第２の工程と、第１の磁性層１１のレジスト層１２が形成された面上を覆う第２の磁性層１３を形成する第３の工程と、レジスト層１２をその上に形成された第２の磁性層１３と共に除去する第４の工程と、第１の磁性層１１を部分的に除去する、又は、第１の磁性層１１の磁気特性を部分的に改質する第５の工程とを、少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】バイアスアークが発生しない電圧で保護膜の膜質変化を簡単に制御でき、磁気記録層を保護するために十分な硬度と潤滑層との間の十分な密着力を有する炭素系保護層を備えた磁気ディスクを得ること。
【解決手段】本発明の磁気ディスクの製造方法は、ディスク基体上に少なくとも磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成する保護層形成工程と、前記炭素系保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と、を具備し、前記保護層形成工程は、高周波プラズマを用いたＣＶＤ法により前記磁気記録層上に前記炭素系材料を成膜する成膜工程と、前記成膜した炭素系材料膜に対して窒素ガスで窒化処理する工程と、を含み、前記成膜工程において、前記高周波プラズマの周波数を相対的に高い周波数から相対的に低い周波数に変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】潤滑層との間の密着性を高めると共に十分な機械的強度を持つ薄膜の炭素系保護層を備えた磁気ディスクを得ることができる磁気ディスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気ディスクの製造方法においては、基板１上に密着層２、軟磁性裏打ち層３、下地層４、非磁性中間層５、磁気記録層６、炭素系保護層７、潤滑層８を順次形成されてなる磁気ディスクの製造方法であって、炭素系保護層７の成膜後に、炭素系保護層７に対して、窒素ガスと、窒素よりもイオン化エネルギーの大きい希ガスとの混合ガスを用いて窒化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】レジストを溶剤で除去することで、レジストを簡単かつ確実に除去することができるため、表面に露出する層にダメージを与えずに磁気トラックパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、ディスク基体１１０上に、磁気記録層１２２を成膜し、磁気記録層の上に保護層１２６を成膜し、保護層の上にＳＯＧによってレジスト層１３０を成膜し、レジスト層を加工することで当該レジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンを形成し、レジスト層を介在させた状態で所定のパターンに基づいて磁気記録層にイオンを注入し、レジスト層を溶剤で除去することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】潤滑剤の保護層への付着特性を向上させ、磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも磁性層６と炭素系保護層７と潤滑層８が順次設けられた磁気ディスク１０であって、上記潤滑層８は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中にヒドロキシル基を有する連結基を介して結合している化合物を含有する潤滑剤を成膜した後、該潤滑層側から真空紫外線領域の光源を用いて光照射することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】潤滑膜との良好な結合を達成し、同時にコンタミネーションガスの吸着を抑制して、薄膜化を可能とする磁気記録媒体用の保護膜の形成方法の提供。
【解決手段】（１）基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマＣＶＤ法によって保護膜を形成する工程と；（２）工程（１）で形成した保護膜の表面処理工程であって、（２ａ）アルゴンガス中でのプラズマ処理と、（２ｂ）少なくとも窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理とを含む表面処理工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】従来と同等の工程数で製造できる、耐腐食性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターンが形成された磁気記録媒体において、凸部形状のテーパ角度が１００°以上であり、凹凸パターンが形成された磁気記録媒体の磁気記録層表面に保護層が形成され、溝部（凹部）の開口部が前記保護層で封鎖され、前記凹部の内部に空洞が形成されてなることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 成膜方法及び成膜装置に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 成膜原料のプラズマを発生するプラズマ発生部と、成膜原料を用いて被膜が形成される被成膜基板を内部に保持する成膜室と、プラズマを、プラズマ発生部から成膜室へ誘導する誘導管と、誘導管の内側に配置され、プラズマが通過可能な開口を有するパーティクル阻止部材とを有する成膜装置を用いて、プラズマ発生部においてプラズマを発生させるとともに、プラズマ発生部とパーティクル阻止部材との間に設置された電極に電圧を印加して、プラズマを開口に集め、開口を通過したプラズマにより被成膜基板上に被膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置されたリング状のＩＣＰ電極１７，１８と、前記ＩＣＰ電極に電気的に接続された第１の高周波電源７，８と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向するように配置されたディスク基板２と、前記ディスク基板に接続された第２の高周波電源６と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール２４，２５と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カソードと被成膜基板との間の距離を長くすることにより、被成膜基板に緻密で高硬度な薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー２内に配置されたカソード電極３と、カソード電極３の周囲を囲むように設けられたアノード電極４と、カソード電極３及びアノード電極４に対向するように配置される被成膜基板１を保持する保持部と、フロート電位とされるプラズマウォール８と、カソード電極３に接続された交流電源５と、アノード電極４に接続された直流電源７と、被成膜基板１に電気的に接続された直流電源１２と、を具備し、円筒形状のプラズマウォール８の内径が１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であり、カソード電極３と被成膜基板１との間の距離が２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フライスティクション障害や腐食障害などを防止することができ、故障が抑制され、安全性に優れる磁気ディスク、特にＬＵＬ方式ＨＤＤに好適な磁気ディスクを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に磁性層、窒素を含む炭素系保護層、潤滑層がこの順で成膜された磁気ディスクの製造方法であって、
ハイドロフルオロカーボンまたはパーフルオロカーボンの溶媒に、末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を分散溶解させた溶液を調整し、該溶液中に前記炭素系保護層まで成膜された磁気ディスクを浸漬することによって前記潤滑層が成膜されており、
前記潤滑層の成膜後に、磁気ディスク表面をハイドロフルオロエーテルを含む組成物で接触処理することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の耐久性、耐腐食性を向上させる磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】非磁性基板１の上に、密着層２、軟磁性層３、中間層４、磁性層５、保護膜層６及び潤滑層７が順次積層されてなる磁気記録媒体の製造方法において、保護膜層６を成膜後に、当該保護膜層６を特定の条件で窒化処理することにより、磁気記録媒体の耐久性、耐腐食性を向上させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボン保護膜作製チャンバーでの処理時間を短縮するとともにそのチャンバー内でのパーティクルの発生を防止し、生産性の向上を図る。
【解決手段】 一列に且つ無終端となるよう連結された複数のチャンバーを備えた磁気記録ディスク用成膜装置に、少なくとも３つのカーボン保護膜作製チャンバー６１，６２，６３を設ける。キャリア９０の数を全チャンバーの数より１だけ少なくし、３つのカーボン保護膜作製チャンバーのうちのいずれか一つが常に空き状態となるように、キャリアの移動を制御する。内部にキャリアが位置する２つのカーボン保護膜作製チャンバーでは、それぞれカーボン保護膜を作製する。同時に空き状態のカーボン保護膜作製チャンバーでは、アッシングによる内部クリーニングを行なう。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びアルミナ耐性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも磁性層６と炭素系保護層７と潤滑層８が順次設けられた磁気ディスク１０であって、上記潤滑層８は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ分子の末端に芳香族基と極性基を有する化合物を含有する。 （もっと読む）

【課題】裁断するのみで、裁断面に磁性層の断面が露出することがない記録媒体の単体とすることができ、裁断時には、裁断方法に特定されることなく、パターニングされた記録層間の裁断部を単に裁断するのみで、裁断面に磁性層の断面が露出することがない記録媒体の単体を確実に製造できる。
【解決手段】非磁性支持体１上に磁性層２を有してなる薄膜型の磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁性層２を含む記録層６を前記非磁性支持体１上において規定された幅に裁断される裁断部７間にパターニング形成し、当該パターニング形成により前記裁断部７を含む部分に前記記録層６を有しない所定幅の非記録層部６ｂを形成し、当該磁気記録媒体原反Ｂを、前記裁断部７に添って裁断することにより所定の形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びＣＦＴ特性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも磁性層６と炭素系保護層７と潤滑層８が順次設けられた磁気ディスク１０であって、上記潤滑層８は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ分子の末端以外に極性基を有する化合物を含有する。 （もっと読む）

【課題】潤滑層を構成する潤滑剤特性、特に流動性、表面エネルギー、ＣＦＴ特性などの特性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、かかる潤滑層は、特定のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤と、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にはヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中に少なくとも２個のヒドロキシル基を有する２価の連結基を介して結合している化合物からなる潤滑剤とを混合した潤滑剤が成膜されてなる。 （もっと読む）

【課題】保護膜中に含まれる金属コンタミネーションを低減する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１の上に密着層２、軟磁性層３、中間層４、Ｒｕ中間層５、グラニュラー磁気記録層６、Ｃｏ合金キャップ層７、ＤＬＣ保護膜８を有する。Ｃｏ合金キャップ層７まで積層した基板１を保護膜形成室２１に搬入する（ステップ１０２）。保護膜形成室２１は、ＲＦ電源から高周波電力が印加されるＲＦ電極２２を備えている。この電極２２に灰分５ｐｐｍ以下、且つかさ密度１.８ｇ/ｃｍ^３以上の一体物のグラファイト材を使用する。保護膜形成室２１に炭化水素ガスを導入し（ステップ１０４）、プラズマを誘引して保護膜８を形成する（ステップ１０８）。保護膜形成後、基板１を取り出し、保護膜形成室２１に酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるアッシングを行い、電極２２に堆積した硬質ＤＬＣ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク端面からの内部成分溶出や腐食障害の発生を十分に抑えることが可能な磁気ディスクを提供する。
【解決手段】ディスク基板上に順次形成された磁性層と炭素系保護層と潤滑層とを含む薄膜を有する磁気ディスクである。前記磁気ディスクの主表面と端面とが前記炭素系保護層で被覆されている。前記炭素系保護層の前記潤滑層側は窒素を含有し、前記端面に形成された保護層中の炭素に対する窒素含有量は、前記主表面に形成された保護層中の炭素に対する窒素含有量以上である。 （もっと読む）

【課題】３ｎｍ以下の保護層膜厚であっても耐摩耗性及び摺動特性に優れ、ハイフライライト障害等を回避できる磁気ディスクを提供する。
【解決手段】磁気記録を行う磁気ディスク１０であって、磁気記録を行うための磁性層４と、磁性層４上に形成されて、磁性層４を保護する保護層５と、保護層５上に形成される潤滑層６とを備え、保護層５は、実質的に炭素、水素、及び窒素からなる層であり、Ｘ線光電子分光法の角度分解深さ方向分析により、Ｃ１ｓ光電子及びＮ１ｓ光電子の脱出角度を検出器に対し７°にして、Ｎ１ｓ及びＣ１ｓスペクトルの強度から窒素と炭素の原子量比（Ｎ／Ｃ）を求めた場合、原子量比（Ｎ／Ｃ）が０．１５以上０．２５以下である。 （もっと読む）