説明

Fターム[5D112FB02]の内容

磁気記録媒体の製造 (17,949) | 乾式薄膜製造手段 (812) | 薄膜形成材料及び形状 (294) | 蒸発源、ターゲット (238)

Fターム[5D112FB02]の下位に属するFターム

有機材 (3)
無機材 (127)
形状 (5)

Fターム[5D112FB02]に分類される特許

101 - 103 / 103


【課題】 広幅かつ長尺のフィルム状基板上に機能性薄膜を長手方向だけでなく幅方向においても均一な膜厚で、再現性よく安定して形成することができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空化された空間内において、連続的に供給されるフィルム状基板に対向して配置された薄膜形成材料を加熱蒸発させて、当該フィルム状基板上に蒸着により付着させることでもって薄膜の形成を行う薄膜形成方法において、上記薄膜形成材料として昇華性材料を用い、上記フィルム状基板の供給方向に直交する幅方向における幅寸法の1.5倍以下の距離寸法だけ上記フィルム状基板の表面から離間したそれぞれの位置であって、かつ、当該基板の幅方向の異なる複数の位置に配置された上記それぞれの昇華性材料を抵抗加熱法により加熱して当該昇華性材料を蒸発させながら、上記供給されるフィルム状基板上に薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】1000〜4000エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Co、0より多く24原子パーセント以下のCr、0より多く20原子パーセント以下のPt、0より多く20原子パーセント以下のB及び0より多く10原子パーセント以下のX1を含み、前記X1が、Ag,Ce,Cu,Dy,Er,Eu,Gd,Ho,In,La,Lu,Mo,Nd,Pr,Sm,Tl,W及びYbからなるグループから選択された1つの元素である。このスパッタターゲットは、更にX2を含み、前記X2が、W,Y,Mn及びMoからなるグループから選択された1つの元素である。スパッタターゲットは、更に0〜7原子パーセントまでのX3を含み、前記X3が、Ti,V,Zr,Nb,Ru,Rh,Pd,Hf,Ta及びIrからなるグループから選択された1つの元素である。 (もっと読む)


【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板1上に下地膜2を形成し、その下地膜2上に、強磁性材料と電気抵抗が106 Ωcm以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が106 Ωcm以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜3を成膜し、その上に保護膜4を成膜して磁気記録媒体とする。 (もっと読む)


101 - 103 / 103