【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気回路１１は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第１のマグネット４０と、第１のマグネット４０の内側に同心円状に配置されて、第１のマグネット４０とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第２のマグネット４１とを有し、且つ、これら第１及び第２のマグネット４０，４１の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第１のマグネット４０と第２のマグネット４１との間で発生する磁場Ｍの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Ｂｚが０［Ｔ］となる点を結ぶＢｚ＝０ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Ｌを描くようにする。 （もっと読む）

【課題】比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてＣｒ：５０〜７０モル％を含有し、残部がＣｏからなるＣｒ−Ｃｏ合金粉末、Ｐｔ粉末、非磁性酸化物粉末、Ａ金属粉末（ただし、Ａ金属はＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの内の少なくとも１種を示す）およびＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％、Ａ：０．５〜８原子％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成となるように配合し混合して得られた混合粉末を金属製缶体に充填し、金属製缶体内部を真空にして封入し、この混合粉末を真空封入した金属製缶体を温度：８００℃以下で熱間圧延する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｃｒを３３〜４０原子％含有し、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の溶解鋳造インゴットを、１１５０℃〜１３００℃の加熱後に総圧下率５０％〜９０％の熱間塑性加工を行い、次いで５００℃〜１２００℃の加熱温度範囲で熱処理を行うＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】２５０Ｇビット／平方インチ以上の記憶容量であってもノイズの少ない、グラニュラ磁気記録層を含む磁気ディスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気ディスクは、ディスク基体１０上に直接又は中間層を介して形成され、グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有してなるグラニュラ磁気記録層２０と、前記グラニュラ磁気記録層２０上に形成され、前記グラニュラ柱状粒子間で交換相互作用させる補助記録層２２と、を具備し、前記補助記録層２２は、０．１モル〜３モルの酸素を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームが走査された蒸発源から、基板に向かって成膜を行う薄膜の製造方法において、長時間安定成膜に有効な、棒状の供給材料を先端より順次溶解して供給する供給方法を長時間安定に実現する。
【解決手段】 蒸発源の上方に棒状供給材料３２を差し向け、前記棒状供給材料３２に前記電子ビームを照射することにより前記蒸発源の材料の溶解供給を行うものであって、かつ、前記棒状供給材料３２を前記蒸発源の両側に配し、前記電子ビームの走査範囲は、前記棒状供給材料上および前期蒸発源上であって、前記蒸発源上の電子ビームの走査範囲は一定であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な膜を手軽に成膜する。
【解決手段】ロータリーマグネトロンスパッタ装置３００において、ターゲット３３０と、そのターゲット３３０のディスク基板２０１側に対する裏側に配置され磁界を発生させる、その磁界は頂点がターゲット３３０のディスク基板２０１側に達するアーチ状の磁界であり、その磁界をターゲット３３０に沿って周回移動させるロータリーマグネトロンカソード３４０との間に挿入され、上記磁界の周回移動経路上の一部でその磁界のターゲット３３０への到達を減らす軟磁性板３６０を備えた。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、ＳｉおよびＢを総量として０．１〜１０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜を製造するスパッタリングターゲット材。また、上記ＳｉおよびＢの組成比が２：８〜６：４である、スパッタリングターゲット材、および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜にある。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＭ_Ｙ、２０≦Ｘ≦８０、４≦Ｙ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／あるいはＴａであるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相および／またはＦＣＣ相とＭ元素を含有する金属間化合物相とでなる金属組織を有し、ミクロ組織においてＭ元素を含有する金属間化合物相に描ける最大内接円の直径が１０μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性層膜として用いるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金およびそれを用いたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｆｅ：１０〜４５％、Ｎｉ：１〜２５％、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂの１種または２種以上が、Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｂ／２：５〜１０％、（ただし、Ｂは０％以上７％以下）、Ａｌ，Ｃｒの１種または２種が、Ａｌ＋Ｃｒ：０〜５％、残部３７％以上のＣｏおよび不可避的不純物よりなり、かつ原子比で、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１０〜０．５０、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．０１〜０．２５を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびこれを成膜するためのスパッタリングターゲット材並びにその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】２層構造の磁気記録層１２２において結晶粒子の粒径を工夫することで、高い保磁力を維持したまま、ＳＮＲを向上させた磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、ディスク基体１１０上に少なくとも下地層１１８、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂをこの順に備える垂直磁気記録媒体１００であって、第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂは柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層であり、第１磁気記録層１２２ａ中の結晶粒子の平均粒径をＡｎｍ、第２磁気記録層１２２ｂ中の結晶粒子の平均粒径をＢｎｍとした場合、Ａ＜Ｂであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１磁気記録層の結晶粒子の間隔を工夫することで、連続層としての機能をも備えさせた連続層を備える垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００は、第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂは柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層であり、第１磁気記録層１２２ａにおいて結晶粒子と隣接する結晶粒子との粒界部の最短距離の平均により定められる粒子間距離は１ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、媒体ノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板の配向性に関わらず、磁性層の（００１）面方位への配向性を強くした磁気デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相１の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相２により包囲されている複合相３がＢを含むＰｔ合金相素地４中に均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録層に形成される境界の非磁性粒の密度を高めることで、粒界部を薄く形成したとしても高い逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）および良好なＳ／Ｎ比を維持し、高記録密度化を図ることを目的とする。
【解決手段】 磁気記録層２２として、少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部２２ｄが形成されたグラニュラー構造の強磁性層を有する、本発明の垂直磁気記録媒体としての垂直磁気記録ディスク１００は、粒界部に析出される酸化物の絶縁抵抗が、１．３×１０^１〜３×１０^１３Ωｍであることを特徴としている。 （もっと読む）