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Fターム[5E001AE01]の内容

セラミックコンデンサ (14,384) | 誘電体材料 (3,175) | SrOを主成分とするもの (300)

Fターム[5E001AE01]に分類される特許

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【課題】コンデンサを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の方法は、第1の電極または裸の金属箔を有する基板の上に誘電体層を形成するステップと、誘電体層の上に上部導電層を堆積するステップと、誘電体層および上部導電層をアニールするステップとを含み、箔または第1の電極、誘電体、および導電層がコンデンサを形成する。 (もっと読む)


【課題】多端子電極とすることなく、低製造コストで、ESLを大幅に低減できる積層コンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ10は、複数の誘電体層12aが積層される誘電体素体12と、第1内層用導体層21および第2内層用導体層22が該誘電体層12aを介して交互に積層される内層部17と、該内層部17の両端面に隣接し、第1外層用導体層23および第2外層用導体層25が誘電体層12aを介して積層される外層部19a,19bと、第1側面12Aに形成される第1端子電極31と、第2側面12Bに形成される第2端子電極32とを有する。前記外層部19a,19bに位置する一対の前記第1外層用導体層23あるいは一対の前記第2外層用導体層25と重複する領域において、一対の前記第1外層用導体層23同士あるいは一対の前記第2外層用導体層25同士を互いに接続させる複数のピンホール導体部20を有する。 (もっと読む)


【課題】所望の静電容量が得られるキャパシタを薄膜プロセスによって安定して形成できるキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】外面に金属層12aが形成された基板10を用意する工程と、誘電体パターン層14が配置される領域に開口部20xが設けられた絶縁層20を金属層12aの上に形成する工程と、絶縁層20の開口部内20xに誘電体を埋め込むことにより、誘電体パターン層14を形成する工程と、誘電体パターン層14の上に上部電極16を形成すると共に、絶縁層20を除去する工程と、金属層12aをパターニングすることにより、誘電体パターン層14の下に下部電極12を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性が向上するグリーンシートおよびこれを用いたセラミックスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、ペロブスカイト化合物の一般式をABO3(A、Bは元素、Oは酸素をそれぞれ示す)としたとき、少なくとも元素Aと元素Bからなるとともに元素Aのモル数が元素Bのモル数よりも大きい化合物αと少なくとも元素Bを含む化合物βを用いてなることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】リンギングの発生を抑制できると共に、電源電圧の変動時においても迅速にICへ電力供給を行うことができる積層コンデンサ、回路基板及び回路モジュールを提供すること。
【解決手段】第1の内部電極5と第2の内部電極6とを含む積層コンデンサ1。第1のビア導体7は、上面16と下面17との間を貫通するように形成され、金属酸化物を含有する材料により形成され、下面17側の端部における金属酸化物の含有率が中央部又は上面16側の端部における金属酸化物の含有率よりも高い。第2のビア導体8は、上面16と下面17との間を貫通するように形成され、金属酸化物を含有する材料により形成され、下面17側の端部における金属酸化物の含有率が中央部又は上面16側の端部における金属酸化物の含有率よりも高い。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電率を向上させるペロブスカイト化合物粉末の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、ペロブスカイト化合物の一般式をABO3(A、Bは元素、Oは酸素をそれぞれ示す)としたとき、少なくとも元素Aと元素Bからなるとともに元素Aのモル数が元素Bのモル数よりも大きい化合物αと、少なくとも元素Bを含む化合物βとを混合して熱処理することを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】好適なチューナブルマルチプレクサを提供すること。
【解決手段】本発明は、CDMA通信デバイスにおいて利用するためのチューナブル強誘電性マルチプレクサを提供する。チューナブル強誘電性キャパシタは、マルチプレクサで利用されるいくつかの共振器の共振周波数をチューニングし、かつ、マルチプレクサの周波数応答の形状をチューニングするために利用される。低損失強誘電性材料および構成が提供される。チューナブルマルチプレクサは、同様であり、固定チューニングされたマルチプレクサより小さい挿入損失を有する。 (もっと読む)


【課題】誘電体粒子の表面に被膜が強固に形成され、焼結開始温度の高い誘電体原料粉末とその製法、ならびに、このような誘電体原料粉末の焼結体を誘電体層として用いた高容量かつ高信頼性の積層セラミックコンデンサとその製法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体粒子1と被膜成分7とを溶媒中で混合し、乾燥させて、前記誘電体粒子1の表面に該誘電体粒子1よりもサイズの小さい前記被膜成分7が付着した複合粒子5を調製する工程と、該複合粒子を構成している前記被膜成分を瞬時に溶融させる加熱工程と、溶融した前記被膜成分を瞬時に固化させる冷却工程とを有する製法により、誘電体粒子1と、該誘電体粒子1の表面に形成された被膜3とを有し、前記被膜3が非晶質の金属酸化物である誘電体原料粉末を得る。 (もっと読む)


【課題】積層セラミック電子部品の内部電極を形成するために用いられ、セラミックグリーンシートの厚みを薄層化した場合においても、シートアタックを有効に防止可能な導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】積層セラミック電子部品の内部電極を形成するために用いる導電性ペーストであって、導電性粉末と、有機ビヒクルとを含み、前記有機ビヒクル中の有機バインダが、エチルセルロース樹脂、アルキド樹脂およびアクリル樹脂から選択される1種以上を主成分とし、前記有機ビヒクル中の溶剤が、プロピレングリコールジアセテートを主成分とすることを特徴とする導電性ペースト。 (もっと読む)


【課題】1000℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Q値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール1に備える多層セラミック基板2において積層されるガラスセラミック層3のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第1のセラミック粉末と、CaTiO3 、SrTiO3 およびTiO2 より選ばれる少なくとも1種を主成分とする第2のセラミック粉末と、Li2 O、MgO、B2 3、SiO2、ZnOおよびAl2 3 を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、3重量%以上を占めており、CaO、BaOおよびSrOからなる群より選ばれる少なくとも1種の添加成分をさらに含む。 (もっと読む)


【課題】 高容量でかつ、全厚が薄くて埋め込みに適した形態を有し、高周波においても使用可能な薄膜キャパシタを、安価かつ高い歩留りで得ることができるキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のキャパシタの製造方法は、基板(10)の片面に分離層(20)を形成する分離層形成工程と、分離層(20)上に誘電体層(30)を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層(30)上に金属箔(40)を形成する金属箔形成工程と、基板(10)と分離層(20)の界面で分離する分離工程と、分離工程によって分離された誘電体層の金属箔が形成された面とは反対側の面に、分離層(20)を介して電極層(50)を形成する電極層形成工程と、を含むように構成される。 (もっと読む)


【課題】 高容量でかつ、全厚が薄くて埋め込みに適した形態を有し、高周波においても使用可能な薄膜キャパシタを、安価かつ高い歩留りで得ることができるキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のキャパシタの製造方法は、基板(10)の片面に貴金属層(20)を形成する貴金属層形成工程と、貴金属層(20)上に誘電体層(30)を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層(30)上に金属箔(40)を形成する金属箔形成工程と、貴金属層(20)と誘電体層(30)の界面で分離する分離工程と、分離工程によって分離された誘電体層の金属箔が形成された第一の面とは反対側の第二の面に、電極層(50)を形成する電極層形成工程と、を含むように構成される。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物ナノ結晶の結晶子径を数ナノメートル刻みで精密に制御できる金属酸化物ナノ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物前駆体を含酸素有機溶媒及び前記金属酸化物前駆体のモル数に対して15〜50倍の水を共存させてソルボサーマル法に供し、金属酸化物を得る。 (もっと読む)


【課題】誘電率が比較的高く、積層コンデンサの誘電体層を形成するのに適した、樹脂セラミック複合材料を提供する。
【解決手段】60〜70%の体積割合でセラミック粒子が樹脂の中に分散している、樹脂セラミック複合材料であって、隣り合う第1および第2のセラミック粒子1,2が互いに接触する部分での径を2aとし、第1のセラミック粒子1の径を2Rとしたとき、a/Rが0.3以上である状態を、ネッキングしていると定義した場合、セラミック粒子が他のセラミック粒子とネッキングしている個数割合が40%以上となるようにし、かつ、任意の断面上での1μm角の面素において、セラミック粒子の占める面積割合が40%以上である面素の個数割合が90%以上となるようにする。 (もっと読む)


【課題】MOD法によるペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜を形成してなる誘電特性に優れた誘電体薄膜被覆基板を得るための、誘電体薄膜形成用基板の前処理方法を提供する。
【解決手段】Pt膜/TiO膜/SiO層/Si基板(A)上に、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属元素と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素とを含有する複合酸化物からなる誘電体薄膜を形成させる方法において、基板(A)を、成膜されたままの状態で、酸素雰囲気中700〜900℃の温度下に加熱処理し、次いで加熱処理された基板(A)の最上層のPt膜上に、有機酸塩熱分解法に用いられる塗布液を塗布した後、酸素雰囲気中700〜900℃の温度下で焼成して、膜厚が30〜80nmの誘電体薄膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】周波数特性に優れた大面積を有するキャパシタを形成する際に、薄膜誘電体にショートが発生しても、薄膜誘電体の上方に位置する陽極酸化可能な導体を陽極酸化処理し、これにより絶縁体である陽極酸化膜を作成してこの陽極酸化膜を誘電体としたキャパシタを形成することにより、ショート不良を修復することができる薄膜キャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタは、下部電極1と、下部電極1の上に形成された薄膜誘電体層2と、薄膜誘電体層2の上に形成された第1の上部電極3と、第1の上部電極3の上に形成された陽極酸化可能な導体からなる導体層4と、導体層4の上に形成された第2の上部電極5と、を有し、下部電極1を一方の電極とし、第1の上部電極3、導体層4及び第2の上部電極5を他方の電極とし、薄膜誘電体層2を誘電体としてキャパシタが構成されている。 (もっと読む)


無機ガラスフラックス材料を、高誘電率組成物に添加し、得られた混合物を基板上に堆積し、基板を、無機ガラスフラックスの軟化点と、基板の融点との間の温度でアニールすることによって、化学溶液堆積により密度の高い誘電体層を製造する方法。密度の高い誘電体層を含むキャパシタを製造する方法。
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【課題】MOD法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体薄膜の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体膜形成用組成物とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】金属成分としてバリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属元素と、チタン、スズ、又はジルコニウムから選ばれる少なくとも1種の元素を含有する複合有機酸塩液と、アルコール系溶剤及びそれとエーテル系溶剤又はエステル系溶剤からなる有機溶剤に、エチルヘキサン酸類及び/又はメチルペンタン酸類からなるカルボン酸を添加してなる混合有機液相とを含み、かつ、アルコール系溶剤の含有量は、混合有機液相の全体に対して40〜60容量%であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層が薄くてもリーク電流を十分に抑えられる誘電体素子を提供する。
【解決手段】 誘電体素子10は、誘電体層14と、この誘電体層に接する複数の金属層12、16を備えている。これらの金属層の少なくとも一つは、卑金属を含んでいる。これらの金属層の各々と誘電体層との間には、界面18、20が存在する。これらの界面の算術平均粗さの平均値をRamと表すと、このRamと誘電体層の厚みTとは、T/Ram≧1.3を満たしている。 (もっと読む)


【課題】強固な強誘電体薄膜を形成することのできる強誘電体薄膜作製溶液およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸アルキル、水酸基を有さないカルボン酸類および水溶性金属塩を含む水溶液である、強誘電体薄膜作製溶液。 (もっと読む)


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