【課題】焼成時の収縮挙動を抑制しつつ、誘電特性を従来と比べて飛躍的に向上させることができ、しかも信頼性を確保できるようにした。
【解決手段】セラミック組成物は、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＯ系ガラス組成物（ただし、ＭはＣａ、Ｍｇ、Ｓｒ、及びＢａの中から選択された少なくとも１種を示し、Ｂ_２Ｏ_３：４〜１７．５重量％、ＳｉＯ_２：２８〜５０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：０〜２０重量％、ＭＯ：３６〜５０重量％である。）を２６〜６０重量％含有すると共に、ＳｒＴｉＯ_３及びＣａＴｉＯ_３のうちの少なくとも１種を３０〜６５重量％含有し、かつ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＣａの中から選択された少なくとも１種を含む金属酸化物が１０重量％以下（ただし、０重量％を含む。）に調製されている。このセラミック組成物を焼成してセラミック焼結体２を作製し、該セラミック焼結体２を有する複合ＬＣ部品２０を得る。 （もっと読む）

【課題】積層セラミック電子部品に備えるセラミック積層体が薄型化されると、外部電極からのガラス成分の浸潤が原因で、外部電極に覆われている部分とそうでない部分との境目に応力集中が起こり、クラックが生じやすい。
【解決手段】セラミック積層体３の外表面を規定する表層部を与える保護層１４と保護層１４以外の本体部１５とを構成するセラミックは、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、またはＢａならびにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含む。Ｂは、Ｔｉ、またはＴｉならびにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含む。）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつＳｉを副成分として含む組成を共通して有するが、保護層１４の組成は、本体部１５の組成に比べて、Ａ／Ｂ比が高く、またはＭｇ含有量もしくは希土類元素含有量が多くされ、保護層１４でのＳｉ濃度が高められるようにする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ層形成材が備える誘電層の平均容量密度の向上及びリーク電流密度の低減を同時に実現させることができるキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるキャパシタ層形成材において、当該第２導電層は、純度９９．９９ｗｔ％以上のニッケル層であり、且つ、当該誘電層は、（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１）の組成におけるバリウム、ストロンチウム、チタンの総量を１００ｍｏｌ％として、マンガンを０．２５ｍｏｌ％〜１．００ｍｏｌ％の範囲で含有するキャパシタ層形成材を採用する。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、高周波領域における誘電損失が低く、高精度な温度特性の制御が可能なセラミック組成物及びセラミック焼結体を提供する。
【解決手段】（ａ）固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末と、（ｂ）チタン酸ストロンチウム粉末及び／又はチタン酸カルシウム粉末と、（ｃ）アルカリ化合物、アルカリ土類化合物、ホウ素化合物、遷移金属化合物、リン化合物、亜鉛化合物から選ばれた、リチウム化合物及びホウ素化合物を含む２種以上の化合物の粉末を含有するセラミック組成物を成形し、焼結してセラミック焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃に対する耐性が高く、それゆえ、大容量化のために薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いるのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、ＡＢＯ_３がたとえばＢａＴｉＯ_３であるとき、その結晶粒子は、主成分からなるＢａＴｉＯ_３結晶粒子１１を含むとともに、二次相として、少なくともＭｇ、ＮｉおよびＴｉを含む結晶性酸化物からなるＭｇ−Ｎｉ−Ｔｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１２と、少なくともＢａおよびＳｉを含む結晶性酸化物からなるＢａ−Ｓｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１３とを含むようにする。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの加速寿命試験においては試験時間の短縮化が求められているが、温度や電圧を高くしすぎて絶縁抵抗の劣化を加速しすぎると、実使用条件とあまりに乖離するため加速係数の精度が低下し、実使用条件における故障寿命が正確に見積もれないという課題があった。
【解決手段】 積層セラミックコンデンサを用意する工程と、前記積層セラミックコンデンサに対し、室温以上の温度において電圧を印加した状態において、絶縁抵抗値の劣化速度の経時変化とを観察する工程と、前記絶縁抵抗値の劣化速度が、時間に対して極大値をとる時点の経過時間を特定する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線基板に埋め込み実装したときに層間絶縁樹脂との密着性を高め、実装信頼性の向上に寄与すること。
【解決手段】キャパシタ１０は、誘電体層１１を挟んで一方の面に下部電極（第１の導体膜１４）が形成され、他方の面に上部電極（第２の導体膜１５）が形成された構造を有する。第１の導体膜１４は、誘電体層１１に接する側のニッケル（Ｎｉ）層１２とこのＮｉ層上に形成された銅（Ｃｕ）層１３とからなる。第２の導体膜１５は、単一のＣｕ層からなり、又は、誘電体層１１に接する側のＮｉ層とこのＮｉ層上に形成されたＣｕ層とからなる。好適には、Ｃｕ層１３，１５の表面が粗化されている。さらに、両面を絶縁樹脂層１６，１７で被覆した構造のキャパシタ１０ａとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流特性の劣化などの特性劣化を低減することができる薄膜キャパシタを提案するとともに、そのような薄膜キャパシタを製造する方法を提案する。
【解決手段】 絶縁性基板２の上に第一の絶縁性水素バリア層３が形成され、その上にキャパシタ部４が形成されており、下部電極４ａの一部及び上部電極４ｃの一部を除いたキャパシタ部４全体及び第一の絶縁性水素バリア層３が第二の絶縁性水素バリア層５で覆われており、下部電極４ａの一部及び上部電極４ｃの一部が導電性水素バリア層７で覆われており、第一の絶縁性水素バリア層３は、キャパシタ部が形成されていない部分の厚さｔ２が、キャパシタ部が形成されている部分の厚さｔ１よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】外部電極の表面に形成される銅めっき層の表面粗化を適切に行うことができ、配線基板の樹脂絶縁層との密着性を十分に確保することができる配線基板内蔵用電子部品を提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサのセラミック焼結体１０４は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面を有する。セラミック焼結体１０４におけるコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面上には、メタライズ金属層１５１の表面に銅めっき層１５２を形成してなる複数のプレーン状電極１１１，１１２が配置されている。銅めっき層１５２を構成する銅粒子の最大粒径は１μｍ以下であり、かつメタライズ金属層１５１を構成するニッケル粒子の１つに対し、銅粒子が２つ以上接している。 （もっと読む）

【課題】高容量で、漏れ電流が低く、且つ容量の温度依存性・バイアス電圧依存性が小さいコンデンサ内臓回路基板を提供する。
【解決手段】ベース基板または絶縁層上にチタンまたはチタン合金からなる金属層を形成し、過酸化水素を含む温度３℃以下の電解液中で陽極酸化して金属層表面をアモルファス二酸化チタン層に化成し、該アモルファス二酸化チタン層上に金属層を形成することによって、回路基板中または回路基板上に第一電極層と誘電体膜と第二電極層とからなるコンデンサを組み込んだ回路基板を得た。 （もっと読む）

【課題】 粒度分布のシャープなチタン酸金属塩（チタン酸バリウムを代表例とする）の微細粉末を水熱合成法で簡便に製造する。
【解決手段】 チタン塩と水溶性金属塩を水中で反応させてチタン酸金属塩を製造する方法において、上記チタン塩が長繊維状酸化チタンであり、上記水溶性金属塩の濃度が０.４〜２０モル／Ｌであり、撹拌状態で反応させることにより、チタン酸金属塩粒子を製造する方法である。水溶性金属園（水酸化バリウムなど）を所定以上の高めの濃度に保持しながら、チタン塩（長繊維状酸化チタン）と共に水熱合成することで、１〜５０ｎｍ程度の粒子径を有し、粒度分布のシャープなチタン酸金属塩の微細粒子を製造でき、その比表面積を大幅に増大できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体薄膜として誘電率が高い強誘電体を用いても、電圧依存性を抑制した薄膜キャパシタを得ることができる手段を提案する。
【解決手段】 下部電極と上部電極との間に誘電体薄膜が形成された薄膜キャパシタにおいて、厚さｄ１の前記誘電体薄膜と前記上部電極との間に、互いに間隔ｐ１で並んでいる複数の貫通孔を有する絶縁体薄膜が形成されており、前記貫通孔には前記上部電極を構成する金属が充填されており、前記上部電極と前記誘電体薄膜は前記貫通孔中の金属を通じて接しており、前記誘電体薄膜の厚さｄ１と前記貫通孔の間隔ｐ１の関係が２．５≦ｐ１／ｄ１≦７．５で表される薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】 直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器４内部のＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．００７質量％以下（ゼロを含まず。）含有し、内部におけるＡｌの濃度を１としたとき、誘電体磁器４の表面近傍におけるＡｌの濃度の比が０．５〜２であり、かつ平均気孔径が８μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学溶液法により誘電体膜を形成させる誘電体素子の方法において、誘電体膜のウェットプロセスに対する耐性を高める方法を提供すること。
【解決手段】金属層１１上の前駆体の溶液の膜２０を酸化雰囲気下で加熱して、前駆体から生成した誘電体材料を含む仮焼き膜２０を形成させる工程と、仮焼き膜２０をアニールして、結晶化した誘電体材料を含む誘電体膜２０を形成させる工程とを備える、誘電体素子１の製造方法。誘電体材料は、Ａサイト及びＢサイトを有するペロブスカイト構造の結晶を形成する金属酸化物である。前駆体の溶液が、誘電体膜２０においてＡサイトを構成する元素及びＢサイトを構成する元素を、Ａサイトを構成する元素のＢサイトを構成する元素に対するモル比が０．８５以上１．００以下となる比率で含んでいる。溶液の膜２０をアニールする温度は４００〜４８０℃である。 （もっと読む）

【課題】静電容量の容量変化率（ΔＣ／Ｃ）が広い温度域において小さく、比誘電率が大きく、誘電損失が小さい、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物、その製造方法、及びその誘電体磁器組成物を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】一般式［Ｎａ_１−ｘＫ_ｘ］_１−ｙＬｉ_ｙ［Ｎｂ_１−ｚＴａ_ｚ］Ｏ_３(但し、ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．４０)で示される主成分と、副成分として、主成分に対するモル％で１．０〜８．０モル％のＮｂ_２Ｏ_５、１．０〜８．０モル％のＭｇＯ、３．０〜１６．０％のＲＯ（但しＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａの内、少なくとも１種）を含む誘電体磁器組成物である。また、同様の組成の粉末を焼成することによる誘電体磁器組成物の製造方法であり、その誘電体磁器組成物よりなる誘電体を有する誘電体磁器コンデンサである。 （もっと読む）

【課題】 電子機器に搭載される電子部品や回路基板の小型化に有用であり、低磁気損失（ｔａｎδ）を呈する、複合材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の複合材料は、絶縁材料とこの絶縁材料内に分散している微粒子とを含有しており、微粒子は上記した絶縁材料と実質的に同一成分の絶縁材料で予め被覆されている。
微粒子は有機物又は無機物から構成され、形状は扁平形状が好ましい。
絶縁材料としては、電子部品の分野で通常用いられる絶縁材料を適宜用いる。
本発明の複合材料の好ましい製造方法としては、微粒子を絶縁材料で予め被覆し、前記絶縁材料と実質的に同一成分の絶縁材料中に分散させる方法がある。
本発明の複合材料は回路基板及び／または電子部品の材料として適用することにより、数百ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯域における情報通信機器の更なる小型化、低消費電力化を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】主成分の原料粉末と微量の副成分の原料粉末との混合分散性が高いセラミック材料粉末の製造方法、および、高信頼性のセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主成分の原料粉末と副成分の原料粉末の混合において、主成分の原料粉末の懸濁液中の表面電位と副成分の原料粉末の懸濁液中の表面電位とを、あらかじめ同電位側になるように表面電位を調整した後に、これらの懸濁液を混合するセラミック材料粉末の製造方法であり、これにより、各原料粉末の表面電位が同電位側にあるため、各原料粉末が電気的に反発した状態で混合が行われるので、分散状態の均一性に優れたセラミック材料粉末を得ることができる。また、分散状態のセラミック材料粉末を用いて作製するので、信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率と共振周波数を有しつつ、共振周波数の温度係数を低い値に調整できる誘電体組成物および材料を得ること。
【解決手段】ａＡＴｉＯ_３−ｂＮａＮｂＯ_３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつａ＋ｂ＝１を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】 不純物元素、好ましくはアルミニウム元素を低減したチタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 （Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程
（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、
（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程及び
（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程
を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品。 （もっと読む）