【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ ）Ｏ_３で表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、（Ｂａ_{１−ｘ１−ｙ}Ｓｒ_ｘ１Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第１主成分原料と、（Ｂａ_{１−ｘ２−ｙ}Ｓｒ_ｘ２Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第２主成分原料とを準備する工程と、第１主成分および第２主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第１主成分のモル数をａ、第２主成分のモル数をｂとし、ａ＋ｂ＝１、ａ：ｂ＝２０：８０〜８０：２０、０．２０≦ｘ≦０．４０、ｘ＝ａｘ１＋ｂｘ２、ｘ１／ｘ２≧１．０５、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、０．９５０≦ｍ≦１．０５０である。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、ＴｍおよびＬｕのうちの少なくとも１種）を含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＲｅの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＲｅ含有量の割合を５０％以上とし、Ｒｅの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＲｅ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品の構造欠陥を抑えることが可能な導電性ペーストおよびこの導電性ペーストから形成される内部電極層を有する電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属粒子と、溶剤と、樹脂と、第１共材と、第２共材と、第３共材と、を含み、前記第１共材、第２共材および第３共材の焼結開始温度が前記金属粒子の焼結開始温度よりも高く、前記第１共材の平均粒径をａ、第２共材の平均粒径をｂ、第３共材の平均粒径をｃとした場合、ａ、ｂおよびｃは所定の関係式を満たすことを特徴とする導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】例えば、携帯電子機器の小型電子部品として広く用いられる積層セラミック電子部品は、従来、内部電極にAg-Pdなどの貴金属材料が使用されていた。しかし、貴金属は、材料コストが高い、マイグレーションの発生によりセラミック層の薄型化が困難であるという問題があった。卑金属電極の検討も行われているが、卑金属は大気焼成で酸化しやすいという問題があった。焼成を還元性ガス雰囲気で行うと、セラミック層の電気的特性が劣化するという問題があった。
【解決手段】内部電極材料としてAgと卑金属を混合した導電性材料を用い、その混合比を最適範囲とし、さらにセラミック層に８００℃以下で焼成可能な材料を用いることにした。卑金属からなる内部電極を備えた積層セラミック電子部品の大気焼成が可能になり、製造コストの低減、電子部品の薄型化、大容量化が可能になった。 （もっと読む）

第１材料で構成される第１コンデンサユニット（2, 201, 202）と，第２材料で構成される第２コンデンサユニット（3, 301, 302）とが電気的に並列接続された積層セラミックコンデンサにおいて，第１材料は低電圧の印加時に高い誘電率（K）を示し，第２材料は高電圧の印加時に高い誘電率を示す。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、良好な比誘電率や温度特性が得られる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３および（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３から選ばれる１つからなる主成分、希土類元素の酸化物、およびＢａを含む複合化合物を複合化合物換算で９〜１３モル含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、非拡散相とＲ元素が含まれる拡散相とからなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子を有しており、表面拡散粒子において、非拡散相が占める面積をＳ１、拡散相が占める面積をＳ２とすると、Ｓ１：Ｓ２＝２０：８０〜３０：７０（ただしＳ１＝３０およびＳ２＝７０を除く）であり、表面拡散粒子における前記Ｒ元素の平均濃度をＣとした場合、４．８≦Ｓ２×Ｃ≦５．８である。 （もっと読む）

【課題】本発明は積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層と第１及び第２内部電極が交互に積層され、上記第１及び第２内部電極の一端が上記誘電体層の積層方向に交互に露出された容量部と、上記容量部の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、平均気孔のサイズが０．５から３μｍである多数の気孔を含有し、気孔率が２から１０％である保護層と、上記誘電体層の積層方向に露出された第１及び第２内部電極と電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、結晶性が高く、粒内に空孔の無い誘電体粉末、特にチタン酸バリウム粉末を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る誘電体粉末は、チタン酸バリウムを主成分とし、
Ｘ線ＣｕＫα線の粉末Ｘ線回折における（２００）面と（００２）面のピーク点の中間点におけるＸ線強度（Ｉ_ｂ）と（２００）面の回折線強度Ｉ（２００）の比（Ｉ_{（２００）}／Ｉ_ｂ）が１０〜２０であり、
ｃ／ａ値が１．００９５〜１．０１１０であり、
一次粒子中に直径１０ｎｍ以上の空孔が実質的に存在しないことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】水性分散体の成分として採用された場合においてもゲル化などの問題を生じさせるおそれのない焼結助剤に適したガラス組成物を提供し、ひいては、誘電体の製造方法における作業性の低下を抑制しつつ環境負荷の軽減を図ることを目的としている。
【解決手段】酸化物換算の質量％で、ＳｉＯ₂が３０〜６０％；ＺｒＯ₂及びＴｉＯ₂のいずれか一方又は両方が合計３〜２０％；Ｂ₂Ｏ₃が０〜２０％；Ａｌ₂Ｏ₃が０〜１５％；ＺｎＯが０〜１５％；ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの内の１種以上が合計０〜２５％；Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏの内の１種以上が合計０〜２０％の組成比を有し、しかも、Ｂ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、及びＫ₂Ｏの総合計が、４０質量％以下となる組成比を有しており、セラミック誘電体粒子の焼結助剤に用いられることを特徴とガラス組成物などを提供する。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品であって、誘電体層２が、ＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つ、ＢはＴｉおよびＺｒから選ばれる少なくとも１つである）で表される化合物と、希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物から構成されており、誘電体層２には、希土類元素の酸化物のみが偏析している偏析領域２０が存在しており、誘電体層２の断面において、１．０×１．０μｍの視野面積に対し、偏析領域２０が占める面積の割合が０．４５〜０．９０％である。希土類元素の酸化物の含有量は１．０〜２．０モル％が好ましい。偏析領域の面積割合はたとえば焼成時の昇温速度を７００〜２０００℃／時間とすることで制御できる。 （もっと読む）

【課題】バンプ等の外部接続端子に働く鉛直方向の応力が電極層に集中しない構造を有するとともに、等価直列抵抗を所望の値に増加させることが容易な薄膜キャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され少なくとも１層の誘電体薄膜と少なくとも２層の電極層からなるキャパシタ部と、前記キャパシタ部の少なくとも一部を覆う保護層と、前記キャパシタ部のいずれかの電極層と電気的に接続する引き出し導体と、前記引き出し導体上に形成されたバンプと、を備え、前記引き出し導体は、前記保護層に形成された開口部内に形成されて前記キャパシタ部のいずれかの電極層と電気的に接続する接続部と、前記保護層上に延伸された引き回し部とからなり、前記バンプは前記引き回し部上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサーの大エネルギー容量化
【解決手段】本発明では積層セラミックコンデンサーの誘電膜作成を、巻取り式電子ビー
ム真空蒸着法を用いて作成し、誘電膜蒸着時に、アイドラーと接する電極の蒸着部の
温度を所定の温度に設定することで、結晶性の最適化をおこない、高誘電率で高耐電圧
の誘電膜を高能率で作成する。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】外部基板へのハンダ実装時における電子部品の固着強度を向上させることができ、これにより、電気的な特性及び信頼性等を十分に高めることが可能な電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品であるコンデンサ１は、基板２上に形成される回路素子５と、回路素子５ｂと接続する電極層５ａと、電極層５ａを覆う保護層６，８と、保護層６，８を貫通するビア導体Ｖａ，Ｖｂにより電極層５ａと接続し、かつ、保護層６，８の側壁面を覆うように形成される端子電極９ａ，９ｂとが形成されており、これにより、パッド電極９ａ，９ｂが保護層６，８の最上面から側壁面までを覆うように形成されるので、ハンダがパッド電極９ａ，９ｂと接触する面積が増大し、ハンダ実装時におけるコンデンサ１の固着強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性の高い誘電体セラミックおよびその製造方法ならびにその誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、誘電体セラミック成分の粉末を含む第１の原料粉末を用意する工程と、アルカリ金属元素を含有する化合物を含む第２の原料粉末を用意する工程と、前記第１の原料粉末と前記第２の原料粉末とを成形して成形体を得る工程と、前記成形体とアルカリ金属元素を含む組成物とを同時に焼成する工程と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】カラムナー構造の誘電体薄膜を備え、容量が大きく、絶縁抵抗値及びその信頼性が高い薄膜コンデンサの製造を低コストで実現する薄膜コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、金属溶液の塗膜の仮焼成を電極上で一回以上行い、一層以上の前駆体層を電極上に積層する積層工程、一層以上の前駆体層を真空中で本焼成して、誘電体層を電極上に形成する本焼成工程、並びに積層工程及び本焼成工程を交互に二回以上行い、誘電体薄膜を電極上に形成する薄膜形成工程を備え、金属溶液が元素Ａ（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ又はＰｂの少なくともいずれか）と元素Ｂ（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ又はＳｎの少なくともいずれか）を含み、Ｂのモル数の合計Ｍ_Ｂに対するＡのモル数の合計Ｍ_Ａの比Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｂを１未満にして、一層の誘電体層の単位面積当たりの質量を１０〜５０μｇ／ｃｍ^２にする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて絶縁抵抗値が高く、且つ信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサ１は、誘電体薄膜３と、誘電体薄膜３を挟んで対向する電極２、４とを備え、誘電体薄膜３が、下記化学式（１）で表される組成を有するペロブスカイト型の複合酸化物と、Ｍｎと、Ｖ，Ｎｂ及びＴａからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素Ｍとを含み、誘電体薄膜３中のＭｎの含有量が複合酸化物１００モルに対して０．０５〜０．４５モルであり、誘電体薄膜３中の元素Ｍの含有量の合計が複合酸化物１００モルに対して０．０５〜０．５モルである。
Ａ_ｙＢＯ_３ （１）
［化学式（１）中、ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ及びＰｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、ＢはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ及びＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表す。０．９７≦ｙ≦０．９９５。］ （もっと読む）

【課題】極超薄膜の誘電体に高電界が印加された場合であっても、電界電子放出によって生じる漏れ電流を抑制することができ、これにより消費電力の節減を図ることができ、かつ素子が発熱により損傷するのを極力回避することができる電子部品を実現する。
【解決手段】内部電極層２と誘電体セラミック層５との間に低酸素欠陥絶縁膜１が介装され、前記低酸素欠陥絶縁膜１は、酸素欠陥濃度が１．０×１０²⁶ｍ^-3以下である。また、前記低酸素欠陥絶縁膜１は、膜厚が２．２ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 微細結晶からなり、かつ正方晶性が高い誘電体粉末及びその製造方法、並びに積層化に適した高誘電率の焼結体及びそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタンを含有し、結晶構造がペロブスカイトからなり、平均結晶粒子径が１μｍ以下の誘電体粉末において、Ｘ線回折によるｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数の比ｃ／ａが１．００９以上であり、特に、周期律表第２ａ族元素を含む。 （もっと読む）