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Fターム[5E001AE01]の内容

セラミックコンデンサ (14,384) | 誘電体材料 (3,175) | SrOを主成分とするもの (300)

Fターム[5E001AE01]に分類される特許

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【課題】100nm以下の粒径のチタン酸バリウム系化合物を主原料として使用して誘電体層を形成しても、積層セラミックコンデンサの容量を増加させることができる方法を提供する。
【解決手段】チタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料とする誘電体セラミックスの誘電率を向上する方法であって、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物を主成分とする誘電体セラミックスの原料組成物に、誘電率向上剤としてバリウム化合物を含有させるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、積層セラミックスキャパシタ用セラミックス組成物、これを含む積層セラミックスキャパシタ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層セラミックスキャパシタ用セラミックス組成物は、誘電体セラミックス粉末、有機バインダ、及び特定の化学式で表される帯電防止剤を含む。本発明の一実施形態によるセラミックス組成物を含むセラミックスグリーンシートは、その厚さが薄くなっても静電気の発生量が少なく、優れた機械的物性を示すことができる。 (もっと読む)


【課題】比誘電率を高く維持しつつ、良好な温度特性を示す誘電体磁器組成物とその製造方法、および該誘電体磁器組成物が適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】一般式ABO(AはBa単独、または、BaとCaおよびSrから選ばれる少なくとも1つとであり、BはTi単独、または、TiおよびZrである)で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、Yの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、化合物を主成分とする誘電体粒子を含んでおり、化合物の原料粉末の平均粒子径を示すd[nm]と、原料粉末のペロブスカイト型結晶構造におけるc軸の格子定数とa軸の格子定数との比を示すc/aと、を用いて、α=1000×(c/a)/dと定義したときに、αが11.0以下である。 (もっと読む)


【課題】比誘電率を向上させつつ、しかも良好な信頼性を有する誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】ABO(AはBa単独、または、BaとCaおよびSrから選ばれる少なくとも1つとであり、BはTi単独、または、TiおよびZrである)で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、ScおよびYを含む希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物が、コアと、少なくともR元素が含まれるシェルと、からなるコアシェル構造を有する誘電体粒子を含んでおり、シェルにおいて、R元素の含有割合が最大となる領域が、コアとシェルとの境界領域である。 (もっと読む)


【課題】共振周波数におけるインピーダンスの急激な低下を抑えることができ、かつクラックの発生を抑制できる積層コンデンサの実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ2の実装構造1では、樹脂電極層14が第2コンデンサ部12のESR成分として機能するようなフィレット高さHのハンダフィレット7によって積層コンデンサ2と回路基板6との接続がなされている。これにより、樹脂電極層14の厚みに応じたESR成分が第2コンデンサ部12に付与され、共振周波数におけるインピーダンスのフラット化を実現できる。また、積層コンデンサ2の実装構造1では、第1コンデンサ部11と第2コンデンサ部12との間に間隔Dが設けられている。これにより、回路基板6の変形応力や第1コンデンサ部11の電歪振動による応力が第2コンデンサ部12に伝達しにくくなり、クラックの発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】誘電体層を薄層化しても、高い比誘電率を有し、低誘電損失で信頼性の高い積層型セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】誘電体層(厚みt1)と電極層(厚みt2)とが積層された素子本体を有する積層型セラミック電子部品であって、誘電体層(2)が、ABO(AはBaを含み、CaまたはSrを含んでもよい、BはTiを含み、ZrまたはHfを含んでもよい)で表される化合物を含み、化合物100モルに対し、MgOを0.75〜2.0モル、Y、Dy、Ho等の酸化物を酸化物換算で0.4〜1.0モル、SiOを0.4〜0.8モル含み、電極層が形成されるべき領域に電極層が形成されていない電極不存在部(30)の少なくとも一部には、Mgを含む偏析相(20)が形成されており、電極層(3)の線被覆率が60〜90%、0.3≦t1≦2.0、0.3≦t2<1.0である。 (もっと読む)


【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、300℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに組成物を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜500℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い500〜800℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を1回又は2回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を2回以上行った後、焼成を1回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは20〜600nmにすることを特徴とする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比(下部電極の厚さ/誘電体薄膜の厚さ)は0.10〜15.0の範囲とするのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】素子本体の表面強度を高めて耐湿性を向上させ、かつ構造欠陥が抑制されたセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体層を備える素子本体を有するセラミック電子部品であって、誘電体層が、一般式ABO(AはBaを含み、CaまたはSrを含んでもよい、BはTiを含み、ZrまたはHfを含んでもよい)で表される化合物を含み、素子本体10は、内部12と内部を覆う表層部11とから構成されており、表層部11は、素子本体10の表面からの深さが10μmまでの領域であり、表層部11におけるAとBとのモル比(A/B)をAB1とし、内部12におけるAとBとのモル比(A/B)をAB2としたとき、0.992≦AB1/AB2≦0.998である。AB1/AB2の値は、非水溶性バインダ樹脂に対する水溶性バインダ樹脂の割合を変化させることで制御できる。 (もっと読む)


【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性(寿命特性)に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、BaTiO3系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、BaTiO3系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、R(Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,ErおよびYから選ばれる少なくとも1種)、および、M(Mg,Mn,Ni,Co,Fe,Cr,Cu,Al,Mo,WおよびVから選ばれる少なくとも1種)を含み、RおよびMは、BaTiO3系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、RおよびMの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分C2と、極大となる部分C3とを有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】500以上の誘電率εを得ながら、120kV/mm以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層3を構成する誘電体セラミックとして、(BaxSryCaz)TiO3(x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である)を主成分とし、前記(x,y,z)が、点A(0.70,0.00,0.30)、点B(0.69,0.02,0.29)、点C(0.55,0.10,0.35)、点D(0.35,0.15,0.50)、点E(0.50,0.00,0.50)で構成される五角形ABCDEに囲まれる領域内にある(点B、点C、点D、および線分AE以外の線分を含む)。 (もっと読む)


【課題】外部端子電極が厚くなって、実効体積率が低下することを抑制しつつ、特性の良好なセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】対向する側面10a,10bを有するセラミック素体10と、内部電極21a,21bと、外部端子電極1a,1bとを備えたセラミック電子部品において、外部端子電極を、上記側面への内部電極の露出部31a,31bと導通する、めっきにより形成された第1の導電層11a,11bと、第1の導電層を被覆するように形成された導電性樹脂を含む第2の導電層12a,12bを備えた構成とし、かつT2(第2の導電層の厚み)/T1(第1の導電層の厚み)=3.4〜11.3を満足させる。
また、T1を3.6〜10.2μm、T2を34.3〜40.8μmとする。
セラミック電子部品を、側面の長手方向の寸法Xが1.2mm以下、対向する側面の間の寸法Yが1.0mm以下のものとする。 (もっと読む)


【課題】異なる材料の誘電体層を積層して形成しても積層された誘電体層同士の間で剥離が生じるのを抑制することができるセラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のセラミック電子部品10は、第1の誘電体層11と、第2の誘電体層12と、中間層13とを含むものである。第1の誘電体層11は、BaOとNd23とTiO2とを含む層であり、第2の誘電体層12は第1の誘電体層11とは異なる材料を含む層であり、中間層13は第1の誘電体層11と第2の誘電体層12との間に形成され、主成分として第1の誘電体層11および第2の誘電体層12の双方に共通に含まない主成分を含む層である。 (もっと読む)


【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、高い電界強度下における比誘電率が高く、しかも良好な温度特性および信頼性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム100モルに対して、(1−x)BaZrO+xSrZrOで表される成分を、BaZrOおよびSrZrO換算で5〜15モル、Mgの酸化物をMgO換算で3〜5モル、希土類元素の酸化物をR換算で4〜6モル、Mn、Cr、CoおよびFeから選ばれる少なくとも1つの元素の酸化物を、MnO、Cr、CoおよびFe換算で0.5〜1.5モル、Siを含む化合物をSi換算で2.5〜4モル、含有し、xが0.4〜0.9であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】積層体の吸湿による性能の劣化を抑制できる電子部品を提供することである。
【解決手段】積層体12は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている。コンデンサ導体18は、積層体12に内蔵され、かつ、該積層体12の所定の面において、絶縁体層間から露出している露出部26を有している。外部電極14は、露出部26を覆うように所定の面に直接めっきにより形成されている。外部電極14の外縁Eは、露出部26から0.8μm以上離れている。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を1.0〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、2.5≦α/β≦5.0、1.0≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】(CaSr1−x)(TiZr1−y)Oを主成分とする誘電体磁気組成物であって、内部電極としてNiなどの卑金属を用いたとしても、高湿度下における絶縁抵抗の経時による劣化が生じ難い積層コンデンサを得ることを可能とする誘電体磁気組成物を提供する。
【解決手段】主成分を(CaSr1−x)(TiZr1−y)Oと表したときに、0≦x≦1かつ0≦y≦0.50である主成分と、副成分として、主成分100モル部に対し、SiOを0.5モル部以上、15モル部以下、MnOを0.1モル部以上、10モル部以下含み、さらにAlを0.01モル部以上、0.079モル部以下の割合で含む、誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がABO(AはBa、CaおよびSrから選ばれる1つ以上、BはTi、ZrおよびHfから選ばれる1つ以上)で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ABOで表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物100モルに対して、各元素換算で、Mgの酸化物を0.6〜2.0モル、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.010〜0.6モル、V、MoおよびWから選ばれる1つ以上の酸化物を0.010〜0.2モル、R1の酸化物(R1はY、Yb、ErおよびHoから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、R2の酸化物(R2はDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、Baの酸化物および/またはCaの酸化物と、Siの酸化物と、からなる成分を0.2〜1.5モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】高電界強度の電圧が印加されても良好な誘電特性を有し、高温負荷試験の寿命特性が優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、主成分としてABO3(ただし、Aは、Ba、Ca、Srのうちの少なくとも1種であり、Bは、Ti、ZrおよびHfのうちの少なくとも1種である。)を含み、副成分としてCaCu3Ti412を含むことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、高周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも誘電率温度特性に優れ、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】酸化ストロンチウムをSrTiO換算で29.34〜44.70重量%、酸化ビスマスをBi換算で22.56〜28.48重量%、酸化チタンをTiO換算で26.36〜30.27重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で3.61〜5.56重量%、酸化ネオジムを、Nd換算で、1.86〜3.42重量%、酸化マンガンをMnO換算で0.21〜0.99重量%、酸化ケイ素をSiO換算で0.06〜0.50重量%含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


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