【課題】ガラス成分等の含有量を比較的に減らすことで薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂの酸化物を含むガラス成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、２〜７重量％であること。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＬの増大を招くことなく、積層型薄膜コンデンサの小型化・大面積化を図る。
【解決手段】 Ｓｉ基板１ａ上のＳｉＯ_２絶縁膜２ａにはマイクロレンズアレイ２Ａが形成されており、その上に、下部Ｐｔ電極４ａ，下部ＢＳＴ膜５ａ，中間Ｐｔ電極６ａ，上部ＢＳＴ膜７ａ，上部Ｐｔ電極８ａが順に成膜され、コンデンサが形成される。その上には、ＳｉＯ_２絶縁膜１３ａを介して各電極に接続する給電部２１ａが形成される。電極層や誘電体層は、いずれもＳｉＯ_２絶縁膜２ａのマイクロレンズアレイ形状とほぼ類似したものになり、占有面積を変えることなくコンデンサ容量が増加する。同一の容量という条件であれば、占有面積が低減され、ＥＬＳの増加も抑制できる。このＥＳＬ抑制効果は、単層型薄膜コンデンサよりも積層型薄膜コンデンサのほうが大きい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率、誘電損失および容量温度特性を良好に保ちながら、破壊電圧および寿命特性の向上が可能な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３（ただし、式中、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選択される１種以上の元素であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆから選択される１種以上の元素である。）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体酸化物を含む主成分を、少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記ＡＢＯ_３で表される誘電体酸化物を含む主成分原料を準備する工程と、Ｍ_４Ｒ_６Ｏ（ＳｉＯ_４）_６で表される複合酸化物（ただし、Ｍは、ＣａおよびＳｒから選択される少なくとも１種であり、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種である。）を含む副成分原料を準備する工程と、前記主成分原料および副成分原料を混合して、誘電体磁器組成物原料を得る工程と、前記誘電体磁器組成物原料を焼成する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 誘電体薄膜３２は、一般式Ｂａ_xＳｒ_yＴｉＯ₃で表わされ前記ｘおよびｙがｘ＋ｙ＜１を満たす主成分と、前記主成分１００ｍｏｌに対して３ｍｏｌ以下（０ｍｏｌを含まない）のＣｅと、を含有する。これにより、ＣｅがＡサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐電圧を向上させることが可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】面実装型電子部品１は、誘電体素体１２、互いに対向する電極１４，１６、引き出し導体１８，２０、ソルダーレジスト２２，２４及びリード端子２６，２８を備える。誘電体素体１２は、主面１２ａ，１２ｂ及び側面１２ｃ〜１２ｄを有する。電極１４は主面１２ａに形成され、電極１６は主面１２ｂに形成されている。引き出し導体１８は主面１２ａに配置され、引き出し導体２０は主面１２ｂに配置されている。ソルダーレジスト２２は、電極１４の全体及び引き出し導体１８の一部を覆うように、主面１２ａに配置されている。ソルダーレジスト２４は、電極１６の全体及び引き出し導体２０の一部を覆うように、主面１２ｂに配置されている。リード端子２６は引き出し導体１８と接続され、リード端子２８は引き出し導体２０と接続されている。 （もっと読む）

【課題】内部電極層の厚みが薄層化した場合でも、焼成段階での導電体粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れを有効に防止しつつ、しかも、製品のクラック発生率の改善された信頼性の高い積層型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部電極層と誘電体層とが交互に積層してある素子本体と、前記素子本体の両端部に形成された一対の端子電極と、を有する積層型電子部品を製造する方法において、焼成後に前記内部電極層となる電極パターン膜を形成するための電極ペーストとして、ニッケルを主成分とする第１導電材と、レニウム（Ｒｅ）を主成分とする第２導電材と、を所定の比率で含有するペーストを用い、かつ、焼成後に前記誘電体層となるグリーンシートと、焼成後に前記内部電極層となる電極パターン膜とを交互に積層してなる積層体の脱脂処理温度を８５０〜１０００℃とする。 （もっと読む）

【課題】還元雰囲気中で焼成した場合でもペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の結晶性を高めることが可能な複合酸化物膜形成用塗布剤を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ又はＰｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜を形成する際に、チタン化合物と、Ａサイトの金属元素を含む化合物との水溶液に、Ｍｎを含む化合物が溶解されてなり、この水溶液中のＴｉに対するＭｎのモル比が１０〜１００００ｐｐｍである複合酸化物膜形成用塗布剤を、基体に塗布することにより成膜し、これを還元雰囲気中で焼成する。 （もっと読む）

【課題】 鉛（Ｐｂ）を含まず、容量温度特性および比誘電率に優れ、しかも広い周波数領域における誘電損失の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式ａ（ＳｒＴｉＯ_３ ）＋ｂ（ＢａＴｉＯ_３ ）＋ｃ（Ｂｉ_２ Ｏ_３ −ｘＴｉＯ_２ −ｙＭｇＯ）で表され、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図（ａ，ｂ，ｃ）で表したとき、図２に示す点Ａ〜Ｈで囲まれた領域内にあり、かつ、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＴｉＯ_２ のモル比を表すｘと、Ｂｉ_２ Ｏ_３ に対する、ＭｇＯのモル比を表すｙとが、０．７≦ｙ／ｘ≦１．５および１．０≦ｘ＋ｙ≦１．８の関係を満足する誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

Ｘ８Ｒ要求を満たし、ニッケル及びニッケル合金などの非貴金属が内部及び外部電極に使用できるように還元雰囲気の焼結条件に合致する積層セラミックチップコンデンサが、本発明に従って作られる。前記コンデンサは、望ましい誘電特性（大容量、低散逸率、高絶縁抵抗）、高加速寿命試験における優れた性能、及び、絶縁破壊に対する卓越した耐性を示す。前記誘電体層は、ＢａＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＭｏＯ_３、ＣａＯ、Ｌｕ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、又はＷＯ_３などの他の金属酸化物を様々な組み合わせでドープしたチタン酸バリウム基板を含む。

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【課題】下部共通電極を有するコンデンサにおいて、寄生抵抗が小さいものを提供する。
【解決手段】 基体と、基体の上面に形成された第１下部電極層と、第１下部電極層と分離して形成された第２下部電極層と、第１下部電極層と第２下部電極層とを覆って形成された誘電体層と、誘電体層を挟んで第１下部電極層と対向するように設けられた第１上部電極層と、誘電体層を挟んで第２下部電極層と対向するように設けられ、第１上部電極層と電気的に接続された第２上部電極層と、誘電体層を挟んで第１下部電極層と対向するように設けられ、第１上部電極層と分離して形成された第３上部電極層と、誘電体層を挟んで第２下部電極層と対向するように設けられ、第２上部電極層と分離して形成された第４上部電極層と、を含むコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】チタン酸バリウム結晶粒子とチタン酸バリウムカルシウム結晶粒子とから構成される誘電体磁器を誘電体層とする積層セラミックコンデンサについて、高温負荷試験における時間変化に伴う絶縁抵抗の低下を抑制でき、還元処理を行っても高絶縁性の積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体層５を構成するＢＴ結晶粒子９ｂおよび前記ＢＳＴ結晶粒子９ａがマグネシウム、希土類元素およびバナジウムを含有するとともに、前記ＢＴ結晶粒子９ｂの表面のＭｇおよび希土類元素の含有量に対する前記ＢＴ結晶粒子９ｂの中央部に含まれるＭｇおよび希土類元素のそれぞれの含有量の比が前記ＢＳＴ結晶粒子９ａの表面のマグネシウムおよび希土類元素のそれぞれの含有量に対する前記ＢＳＴ結晶粒子９ａの中央部に含まれるマグネシウムおよび希土類元素のそれぞれの含有量の比よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】誘電体層のリーク電流の増加や短絡不良の発生を防止できるようにしたキャパシタを、高い歩留まりで製造する。
【解決手段】キャパシタ１の製造方法は、下部電極２の上に、誘電体層３を形成する工程と、誘電体層３の形成後に、電気泳動法を用いて、誘電体層３のうち電流が流れる部分の上に選択的に樹脂絶縁体５を形成する工程と、樹脂絶縁体５の形成後に、上部電極４を形成する工程とを備え、下部電極２と上部電極４との間に２Ｖの電圧を印加したときの誘電体層３のリーク電流が１×１０^−６Ａ／ｃｍ^２以下となるキャパシタ１を製造する。樹脂絶縁体５を形成する工程では、電気泳動法を用いて樹脂絶縁体５を形成する際の印加電圧を２〜５０Ｖの範囲内とし、電圧印加時間を０．５〜５００ミリ秒の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ又はＰｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、基体上に複合酸化物膜形成用塗布剤を塗布する塗布工程と、この基体上の塗膜にマイクロ波を照射して焼成する焼成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】複雑で大掛かりな設備を必要とせず、チタン含有複合酸化物膜中に含まれるＡサイトの金属元素の含有比率を容易に制御できるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの中から選ばれる２つ以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、チタンを含む基体に、大気圧下又は減圧下で、蒸発、昇華、熱分解のうちの少なくとも一つの手段で気体となる塩基性化合物と、Ａサイトの２つ以上の金属元素のイオンとを含む溶液を反応させて、基体表面にチタン含有複合酸化物膜を形成する工程と、蒸発、昇華、熱分解のうちの少なくとも一つの手段で塩基性化合物を気体として複合酸化物膜から除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜を効率良く得ることができるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、チタン又はチタンを含む合金からなる基体の表面に複合酸化物膜を形成する工程と、複合酸化物膜にマイクロ波を照射して焼成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
金属メッキ膜の転写制御性を向上させた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】
基体４の表面に金属メッキ膜３を析出させる析出工程と、金属メッキ膜３を基体４から第一転写材１０へ転写する第一転写工程と、金属メッキ膜３が転写された第一転写材１０の表面接着力を、少なくともその転写領域３´において低減させる接着力低減工程と、第一転写材１０に転写された金属メッキ膜３を、表面接着力が低減された第一転写材１０の転写領域３´から第二転写材２８へ転写する第二転写工程とを含む電子部品の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】粒子径が小さく、しかも、結晶性の良いチタン酸バリウム等の複合酸化物粉末を製造する。
【解決手段】チタン及び／又はジルコニウムの金属酸化物と、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属炭酸塩とを混合した原料粉末を焼成する際に炭酸ガスが発生する間の少なくとも一部の期間、炭酸ガスが原料粉末に吸着しないように、気体を流して原料粉末を流動させながら焼成する。得られた複合酸化物粉末は微粒子であっても高い結晶性を有し、微粒子化に伴って生じる結晶性の低下を抑制することができる。具体的には、粒子径が０．０１〜０．３μｍの範囲であり、しかも、優れた結晶性を有するチタン酸バリウム等の複合酸化物粉末が製造できる。また、この複合酸化物粉末を焼結させたセラミック組成物を用いると、小型化等を満足するセラミック電子部品、特に積層セラミック電子部品が得られる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ層形成材を用いてキャパシタ回路を形成する際に、加工プロセスで誘電層の劣化の無いキャパシタ層形成材及び製造方法等を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、誘電層の片面側に上部電極回路を備え、他面側に下部電極用導電層を備える上部電極回路付キャパシタ層形成材において、当該上部電極回路は、誘電層に接して配置される厚さ０．０２μｍ〜０．５μｍの第１金属層と当該第１金属層の上に配置される厚さ０．５μｍ〜５０μｍの第２金属層との２層構造を備え、且つ、誘電層が０．０２μｍ〜１μｍの厚さであることを特徴とした上部電極回路付キャパシタ層形成材を採用する。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度が高く、経済的で、構造欠陥が発生しにくい、低ＥＳＬ化が図られた積層コンデンサを提供する。
【解決手段】第１および第２の内部電極４２および４３の各々の引出し部５２および５３、ならびに第３および第４の内部電極４４および４５の各々の引出し部５４および５５を、側面３６，３７の長さ方向に関して交互に露出するように配置する。第１および第３の内部電極ならびに第２および第４の内部電極４３および４５の各々を、好ましくは、同一面内において、側面３６，３７の長さ方向に並びかつ互いの間に所定の間隔を隔てて配置する。誘電体層３２の積層方向で見たとき、第１および第４の内部電極４２および４５の各々の容量形成部４８および５１が重なり合わず、第２および第３の内部電極４３および４４の各々の容量形成部４９および５０が重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＬを大幅に低減することができる積層コンデンサと、その製造方法を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ１０は、複数の誘電体層１２ａ，１２ｂが積層されて形成される誘電体素体１２と，複数の第１内層用導体層および第２内層用導体層が誘電体層を介して交互に積層されている内層部１７と、内層部１７の両端面に隣接し、複数の第１外層用導体層および第２外層用導体層が誘電体層１２ｂを介して積層されている外層部１９ａ，１９ｂと、側面に形成される複数の第１端子電極および第２端子電極と、を有する。第１端子電極が第１内層用導体層と第１外層用導体層とに接続され、第２端子電極が第２内層用導体層と第２外層用導体層とに接続される。外層部１９ａ，１９ｂの誘電体層１２ｂが一対の第１外層用導体層あるいは一対の第２外層用導体層において、各々の外層用導体層同士を互いに接続させる複数のピンホール導体部２０を有する。 （もっと読む）